Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
Исследован процесс деградации контакта Шоттки NbN–GaAs методом измерения спектральных характеристик латеральной фотоЭДС. Результаты позволяют установить закономерную связь между формой спектральных кривых, концентрацией азота в пленке NbN и температурой отжига образцов. Показано, что после отжига пр...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116719 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге / Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 77-83. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |