Електричні властивості структур In/p-PbTe
Досліджено механізми формування бар’єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p–n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який визначає механізми проходження темнового струму. Показано, що в інтервалі тем...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116720 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Електричні властивості структур In/p-PbTe / Г.П. Маланич, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.І. Павлович // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 84-90. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116720 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Маланич, Г.П. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Павлович, І.І. 2017-05-14T12:31:39Z 2017-05-14T12:31:39Z 2012 Електричні властивості структур In/p-PbTe / Г.П. Маланич, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.І. Павлович // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 84-90. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116720 621.315.592 Досліджено механізми формування бар’єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p–n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який визначає механізми проходження темнового струму. Показано, що в інтервалі температур 77–146 К за напруг зворотного зміщення ≤ 150 мВ домінує генераційно-рекомбінаційний механізм, а за температур 150–220 К – дифузійний. При великих зворотних зміщеннях та азотних температурах реалізується тунельний механізм пробою переходів. Оцінено параметри приконтактного шару і встановлено, що у ньому відбувається компенсація власних дефектів домішкою індію. Отримані результати слід враховувати при виготовленні омічних контактів до p-PbTe. The mechanisms of the barrier formation in In/p-PbTe contacts are invesigated. It is established that during the short low-temperature processing of contacts the shallow p-n-junction is formed due to diffusion of indium in the undersurface layer which determines the dark current mechanisms. It is shown that in the temperature range 77- 146 K for reverse bias voltages ≤ 150 mV the dark current is dominated by generacionrecombination mechanism, and in the temperature range 150-200 K - by diffusion. For lange reverse bias and liquid nitrogen temperatures the tunnel breakdown is realized. Parameters of a layer which is formed under contact's metal is estimated and it is found that in this layer intrinsic defects are compensated by doped indium. The results obtained in this investigation should be taken into account when making ohmic contacts to p-PbTe. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Електричні властивості структур In/p-PbTe Electrical properties of In/p-PbTe structures Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Електричні властивості структур In/p-PbTe |
| spellingShingle |
Електричні властивості структур In/p-PbTe Маланич, Г.П. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Павлович, І.І. |
| title_short |
Електричні властивості структур In/p-PbTe |
| title_full |
Електричні властивості структур In/p-PbTe |
| title_fullStr |
Електричні властивості структур In/p-PbTe |
| title_full_unstemmed |
Електричні властивості структур In/p-PbTe |
| title_sort |
електричні властивості структур in/p-pbte |
| author |
Маланич, Г.П. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Павлович, І.І. |
| author_facet |
Маланич, Г.П. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Павлович, І.І. |
| publishDate |
2012 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Electrical properties of In/p-PbTe structures |
| description |
Досліджено механізми формування бар’єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p–n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який визначає механізми проходження темнового струму. Показано, що в інтервалі температур 77–146 К за напруг зворотного зміщення ≤ 150 мВ домінує генераційно-рекомбінаційний механізм, а за температур 150–220 К – дифузійний. При великих зворотних зміщеннях та азотних температурах реалізується тунельний механізм пробою переходів. Оцінено параметри приконтактного шару і встановлено, що у ньому відбувається компенсація власних дефектів домішкою індію. Отримані результати слід враховувати при виготовленні омічних контактів до p-PbTe.
The mechanisms of the barrier formation in In/p-PbTe contacts are invesigated. It is established that during the short low-temperature processing of contacts the shallow p-n-junction is formed due to diffusion of indium in the undersurface layer which determines the dark current mechanisms. It is shown that in the temperature range 77- 146 K for reverse bias voltages ≤ 150 mV the dark current is dominated by generacionrecombination mechanism, and in the temperature range 150-200 K - by diffusion. For lange reverse bias and liquid nitrogen temperatures the tunnel breakdown is realized. Parameters of a layer which is formed under contact's metal is estimated and it is found that in this layer intrinsic defects are compensated by doped indium. The results obtained in this investigation should be taken into account when making ohmic contacts to p-PbTe.
|
| issn |
0233-7577 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116720 |
| citation_txt |
Електричні властивості структур In/p-PbTe / Г.П. Маланич, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.І. Павлович // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 84-90. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT malaničgp električnívlastivostístrukturinppbte AT sukačav električnívlastivostístrukturinppbte AT tetʹorkínvv električnívlastivostístrukturinppbte AT voroŝenkoat električnívlastivostístrukturinppbte AT kravecʹkiimû električnívlastivostístrukturinppbte AT pavlovičíí električnívlastivostístrukturinppbte AT malaničgp electricalpropertiesofinppbtestructures AT sukačav electricalpropertiesofinppbtestructures AT tetʹorkínvv electricalpropertiesofinppbtestructures AT voroŝenkoat electricalpropertiesofinppbtestructures AT kravecʹkiimû electricalpropertiesofinppbtestructures AT pavlovičíí electricalpropertiesofinppbtestructures |
| first_indexed |
2025-11-26T08:13:40Z |
| last_indexed |
2025-11-26T08:13:40Z |
| _version_ |
1850615284630552576 |
| fulltext |
84 ISSN 0233-7577. Oïòîýëåêòðîíèêà è ïîëóïðîâîäíèêîâàÿ òåõíèêà, 2012, âûï. 47
ÓÄÊ 621.315.592
. . , . . , . . ,
. . , . . ,
. . 1
In/p-PbTe
Äîñë³äæåíî ìåõàí³çìè ôîðìóâàííÿ áàð�ºðà ó êîíòàêòàõ In/p-PbTe.
Âñòàíîâëåíî, ùî ó ðàç³ êîðîòêîòåðì³íîâî¿ íèçüêîòåìïåðàòóðíî¿ îáðîáêè êîíòàêò³â
ôîðìóºòüñÿ ì³ëêèé p�n-ïåðåõ³ä óíàñë³äîê äèôó糿 ³íä³þ â ïðèïîâåðõíåâèé øàð, ÿêèé
âèçíà÷ຠìåõàí³çìè ïðîõîäæåííÿ òåìíîâîãî ñòðóìó. Ïîêàçàíî, ùî â ³íòåðâàë³ òåìïå-
ðàòóð 77�146 Ê çà íàïðóã çâîðîòíîãî çì³ùåííÿ 150 ì äîì³íóº ãåíåðàö³éíî-ðå-
êîìá³íàö³éíèé ìåõàí³çì, à çà òåìïåðàòóð 150�220 Ê � äèôóç³éíèé. Ïðè âåëèêèõ
çâîðîòíèõ çì³ùåííÿõ òà àçîòíèõ òåìïåðàòóðàõ ðåàë³çóºòüñÿ òóíåëüíèé ìåõàí³çì ïðî-
áîþ ïåðåõîä³â. Îö³íåíî ïàðàìåòðè ïðèêîíòàêòíîãî øàðó ³ âñòàíîâëåíî, ùî ó íüîìó
â³äáóâàºòüñÿ êîìïåíñàö³ÿ âëàñíèõ äåôåêò³â äîì³øêîþ ³íä³þ. Îòðèìàí³ ðåçóëüòàòè
ñë³ä âðàõîâóâàòè ïðè âèãîòîâëåíí³ îì³÷íèõ êîíòàêò³â äî p-PbTe.
Êëþ÷îâ³ ñëîâà: òåëóðèä ñâèíöþ, ìåõàí³çì ôîðìóâàííÿ êîíòàêòó, òåìíîâèé ñòðóì.
²íä³é, çàâäÿêè òåõíîëîã³÷íîñò³ íàíåñåííÿ òà çàäîâ³ëüí³é
àäãå糿, ÷àñòî âèêîðèñòîâóºòüñÿ ïðè âèãîòîâëåíí³ îì³÷íèõ êîíòàêò³â ìå-
òîäîì âïëàâëåííÿ àáî ïàÿííÿ äî PbTe p- àáî n-òèïó ïðîâ³äíîñò³ [1�3].
Êð³ì öüîãî, íàíåñåí³ òåðìîâàêóóìíèì ñïîñîáîì çà ê³ìíàòíî¿ òåìïåðàòó-
ðè òîíê³ øàðè ³íä³þ íà PbTe º áàð�ºðîóòâîðþþ÷èìè ÿê äëÿ n-òèïó ïðî-
â³äíîñò³ [4], òàê ³ äëÿ p-òèïó [5�7]. Ëåãóâàëüíà äîì³øêà ³íä³þ â PbTe
º äîíîðíîþ, ùî âèêîðèñòîâóºòüñÿ äëÿ âèãîòîâëåííÿ p�n-ïåðåõîä³â [7].
³äîìî òàêîæ, ùî êîíòàêò ³íä³þ ç PbTe ìîæå â³äáóâàòèñÿ ç ôîðìóâàí-
íÿì ïðîì³æíèõ ôàç (íàïðèêëàä, InTe, In2Te3 àáî In4Te3) íà ãðàíèö³ êîí-
òàêòó âíàñë³äîê îáì³ííî¿ âçàºìî䳿 [8�10]. Öåé åôåêò ìîæå îáóìîâëþ-
âàòè çá³ëüøåííÿ ïèòîìîãî ïåðåõ³äíîãî îïîðó êîíòàêòó çà ðàõóíîê ôîð-
ìóâàííÿ â ïðèêîíòàêòí³é îáëàñò³ n�p-ãåòåðîïåðåõîäó, íåñòàá³ëüí³ñòü
éîãî ïàðàìåòð³â òà ï³äâèùåíèé ð³âåíü øóìó. Çàçíà÷èìî òàêîæ, ùî åëåê-
òðîô³çè÷í³ âëàñòèâîñò³ áàð�ºðíèõ ñòðóêòóð In/PbTe äîñë³äæóâàëèñÿ çà
àçîòíî¿ òà ê³ìíàòíî¿ òåìïåðàòóð [4�6, 10], òîä³ ÿê çàêîíîì³ðíîñò³ ¿õ ïî-
âåä³íêè çà ïðîì³æíèõ òåìïåðàòóð íå äîñë³äæóâàëèñü.
Òàêèì ÷èíîì, àêòóàëüíîþ çàëèøàºòüñÿ ïðîáëåìà ç�ÿñóâàííÿ ìåõàí³-
çì³â ôîðìóâàííÿ êîíòàêò³â äî p-PbTe, âñòàíîâëåííÿ âçàºìîçâ�ÿçêó ì³æ
òåõíîëîã³÷íèìè îïåðàö³ÿìè âèãîòîâëåííÿ ñòðóêòóð In/p-PbTe òà ¿õ åëåê-
òðîô³çè÷íèìè âëàñòèâîñòÿìè â ³íòåðâàë³ òåìïåðàòóð 77�295 Ê, ùî ³ º
ìåòîþ ïðàö³.
Ìîíîêðèñòàë³÷íèé çëèâîê íåëåãîâàíîãî PbTe âèðîùåíî
ìåòîäîì Áð³äæìåíà â ²íñòèòóò³ òåðìîåëåêòðèêè ÍÀÍ Óêðà¿íè (ì. ×åð-
í³âö³). Äëÿ ïîäàëüøèõ äîñë³äæåíü çëèâîê ðîçð³çàâñÿ ïåðïåíäèêóëÿðíî
äî íàïðÿìó ðîñòó íà ïëàñòèíè òîâùèíîþ 1,5 ìì àáðàçèâíèì ñïîñîáîì
çà äîïîìîãîþ ñòàíêà ñòðóííî¿ ð³çêè, íà ñòðóíó ÿêîãî íàíåñåíî àáðàçèâ ç
ñåðåäí³ì ðîçì³ðîì çåðåí 40 ìêì. Ïëàñòèíè âèãîòîâëÿëèñÿ ³ç ñåðåäíüî¿
÷àñòèíè çëèâêà. ϳñëÿ â³äïîâ³äíèõ òåõíîëîã³÷íèõ îïåðàö³é ìåõàí³÷íî¿
îáðîáêè ïëàñòèí ñóñïåíç³ÿìè àáðàçèâíèõ ïîðîøê³â Ì.5 òà Ì.1 ïîðóøå-
© Ã.Ï. Ìàëàíè÷, À.Â. Ñóêà÷, Â.Â. Òåòüîðê³í, À.Ò. Âîðîùåíêî, Ì.Þ. Êðàâåöüêèé,
².². Ïàâëîâè÷, 2012
85
íèé øàð îñòàòî÷íî âèäàëÿâñÿ ìåòîäîì õ³ì³êî-ìåõàí³÷íîãî ïîë³ðóâàííÿ ç
âèêîðèñòàííÿì ñïåö³àëüíî ðîçðîáëåíîãî áðîìâèä³ëÿþ÷îãî ïîë³ðóâàëüíîãî
òðàâèëüíîãî ðîç÷èíó ñêëàäîì (â îá�ºìíèõ ÷àñòêàõ, %) 6H2O2 + 74 HBr + 20
åòèëåíãë³êîëü ³ç ñåðåäíüîþ øâèäê³ñòþ òðàâëåííÿ 80 ìêì/õâ ïðè Ò 295 Ê.
ϳñëÿ çàâåðøåííÿ ïðîöåñó òðàâëåííÿ çðàçêè âèëó÷àëèñü ç òðàâèëüíèêà ³
ïðîìèâàëèñü çà ñõåìîþ: äèñòèëüîâàíà H2O 15 % NaOH H2O HCl
(êîíö.) H2O. Òðèâàë³ñòü êîæíî¿ îïåðàö³¿ ïðîìèâêè 30 ñ. Äëÿ çàïîá³-
ãàííÿ îêèñëåííÿ ïîâåðõí³ ïëàñòèí àáî çðàçê³â ¿õ çáåð³ãàëè â äèìåòèëôîðà-
ì³ä³. Äåòàëüí³øå ïèòàííÿ øîäî ðîçðîáêè ³ çàñòîñóâàííÿ áðîìâèä³ëÿþ÷èõ
òðàâèëüíèê³â äëÿ õ³ì³÷íîãî ïîë³ðóâàííÿ PbTe âèêëàäåíî ó ïðàö³ [11]. Òîâ-
ùèíà ñòðàâëþâàíîãî øàðó ñòàíîâèëà 120�150 ìêì. Çàçíà÷èìî, ùî íåîá-
õ³äíà äëÿ ñòåõ³îìåòðèçàö³¿ ñêëàäó PbTe ³ ïîë³ïøåííÿ îäíîð³äíîñò³ éîãî
åëåêòðîô³çè÷íèõ òà òåðìîåëåêòðè÷íèõ ïàðàìåòð³â òåõíîëîã³÷íà îïåðàö³ÿ
òåðìîâ³äïàëó ïëàñòèíè çà ìåòîäèêîþ [7, 12] íå ïðîâîäèëàñü.
Ó ïîäàëüøîìó ³ç ïëàñòèí áåç ïîðóøåíîãî øàðó çà äîïîìîãîþ ñòàíêà
àáðàçèâíî¿ ñòðóííî¿ ð³çêè âèãîòîâëÿëè çðàçêè ðîçì³ðîì 7,2×1,5×1,5 ìì,
ç áîêîâèõ ïîâåðõîíü ÿêèõ äîäàòêîâî âèäàëÿëè ïîðóøåíèé øàð. Íà òîðö³
åêñïåðèìåíòàëüíèõ çðàçê³â òåðìîâàêóóìíèì ìåòîäîì íàíîñèëè øàð ³í-
ä³þ òîâùèíîþ 10 ìêì, ï³ñëÿ ÷îãî ñòðóêòóðè òåðìîîáðîáëÿëèñü çà T
520±1 Ê â àòìîñôåð³ î÷èùåíîãî âîäíþ âïðîäîâæ 10 õâ. Âîëüò-
àìïåðí³ õàðàêòåðèñòèêè (ÂÀÕ) âèçíà÷àëè ìåòîäîì ïîñò³éíîãî ñòðóìó â
³íòåðâàë³ òåìïåðàòóð 77�293 Ê, à âèñîêî÷àñòîòí³ (f = 1 Ìãö) âîëüò-
ôàðàäí³ õàðàêòåðèñòèêè (ÂÔÕ) � ëèøå çà òåìïåðàòóð 77�130 Ê. Ðå-
çóëüòàòè âèì³ðþâàíü ÂÔÕ çà T > 130 Ê âèõîäèëè çà ìåæ³ êîðåêòíîãî
âèì³ðþâàííÿ çíà÷åíü áàð�ºðíî¿ ºìíîñò³ ñòðóêòóðè âíàñë³äîê ñóòòºâîãî
çðîñòàííÿ âèñîêî÷àñòîòíî¿ àêòèâíî¿ ñêëàäîâî¿ ¿õ ³ìïåíäàíñó.
Òèï ïðîâ³äíîñò³ ó ïëàñòèíàõ PbTe âèçíà÷àëè çà ïîëÿðí³ñòþ
òåðìîÅÐÑ. Ç�ÿñîâàíî, ùî ïëàñòèíè PbTe òà âèãîòîâëåí³ ç íèõ çðàçêè
â³äïîâ³äàëè p-òèïó ïðîâ³äíîñò³. Ðåçóëüòàòè âèì³ðþâàíü åëåêòðîô³çè÷íèõ
ïàðàìåòð³â çðàçê³â, âèãîòîâëåíèõ ç ð³çíèõ ïëàñòèí, ìåòîäîì åôåêòó Õîë-
ëà òà ÂÀÕ çà ê³ìíàòíî¿ òåìïåðàòóðè íàâåäåíî â òàáëèö³. Ðåçóëüòàòè àíà-
ë³çó çíà÷åíü åëåêòðîïðîâ³äíîñò³ , õîëë³âñüêî¿ ðóõëèâîñò³ ä³ðîê µp òà
êîíöåíòðàö³¿ ä³ðîê p ïîêàçóþòü, ùî â³äõèëåííÿ â³ä ñåðåäíüîãî çíà÷åííÿ
äëÿ êîæíîãî ç ïàðàìåòð³â íå ïåðåâèùóº 21%, ùî ñâ³ä÷èòü ïðî äîñòàòíüî
çàäîâ³ëüíó ¿õ îäíîð³äí³ñòü ó ñåðåäèíí³é ÷àñòèí³ çëèâêà PbTe. Çíà÷åííÿ
µp, íàâåäåí³ â òàáëèö³, íèæ÷³, í³æ çíà÷åííÿ ðóõëèâîñò³ ó ñòðóêòóðíî äî-
ñêîíàëèõ òåðìîâ³äïàëåíèõ êðèñòàëàõ p-PbTe, äëÿ ÿêèõ µp 850 ñì2/(·ñ)
çà T = 300 Ê [12]. Çàóâàæèìî, ùî ó ÂÀÕ çðàçê³â çà T = 293 Ê ë³í³éíèé
õàðàêòåð. Çà â³äîìîþ ôîðìóëîþ äëÿ ïèòîìî¿ ïðîâ³äíîñò³ ( = l/(R·s), äå
l � äîâæèíà çðàçêà, R � îï³ð, ÿêèé âèçíà÷àâñÿ ç ÂÀÕ, s � ïëîùà ïîïå-
ðå÷íîãî ïåðåð³çó çðàçêà), çíàéäåíî . Ïîð³âíÿâøè îòðèìàí³ çíà÷åííÿ ç
âèì³ðÿíèìè äâîçîíäîâèì ìåòîäîì [13], âèÿâèëè ¿õ ñóòòºâó (ìàéæå ó 2,5 ðàçà)
Åëåêòðîô³çè÷í³ ïàðàìåòðè p-PbTe çà T = 293 Ê
, Îì�1·ñì�1
Ãåîìåòðè÷í³ ðîç-
ì³ðè, ìì p, ñì
2/(·ñ) p, ñì�3
Çîíäîâèé
ìåòîä
ÂÀÕ
7,0 1,2 1,0 610,6 2,2·1018 215,0 74,6
7,0 1,2 0,8 686,3 2,6·1018 285,5 94,7
7,0 1,2 1,2 675,4 1,9·1018 205,3 82,0
86
ðîçá³æí³ñòü (äèâ. òàáëèöþ). Öåé ôàêò ñâ³ä÷èòü ïðî ôîðìóâàííÿ â ïðèêîí-
òàêòíèõ îáëàñòÿõ ñòðóêòóðè In/p-PbTe âèñîêîîìíèõ øàð³â, ÿê³ ³ âèçíà÷à-
þòü çàãàëüíèé îï³ð çðàçêà, ùî âèçíà÷àâñÿ ç ÂÀÕ.
Ðåçóëüòàòè âèì³ðþâàííÿ ÂÀÕ ñòðóêòóð In/p-PbTe â ³íòåðâàë³ òåìïå-
ðàòóð 77�293 Ê ïîäàíî íà ðèñ. 1 (çà îäí³º¿ ç ïîëÿðíîñòåé ïðèêëàäåíî¿
íàïðóãè). Çì³íà ïîëÿðíîñò³ íàïðóãè çà ò³º¿ æ òåìïåðàòóðè âèì³ðþâàííÿ
ñâ³ä÷èëà, ùî õàðàêòåð ïîâåä³íêè ÂÀÕ àíàëîã³÷íèé, àëå çíà÷åííÿ ñòðóìó
ðîçð³çíÿëèñü íå á³ëüøå, í³æ íà 25 %. Ðåçóëüòàòè àíàë³çó ÂÀÕ, ïîáóäîâà-
íèõ ó ïîäâ³éíèõ ëîãàðèôì³÷íèõ êîîðäèíàòàõ, äàþòü çìîãó ñôîðìóëþâà-
òè íàñòóïí³ çàêîíîì³ðíîñò³ ¿õ ïîâåä³íêè. Åêñïåðèìåíòàëüí³ ðåçóëüòàòè ó
äîñë³äæóâàíîìó ä³àïàçîí³ íàïðóã çì³ùåííÿ òà â ³íòåðâàë³ òåìïåðàòóð
77�182 Ê çàäîâ³ëüíî àïðîêñèìóþòüñÿ ñòåïåíåâîþ çàëåæí³ñòþ I U n ç
ð³çíèì çíà÷åííÿì n ó ïåâíîìó ä³àïàçîí³ íàïðóã. Çà U 20 ì ñïîñòåð³-
ãàºòüñÿ ë³í³éíà ä³ëÿíêà ç n 0,95�1,0 äëÿ âñüîãî ³íòåðâàëó òåìïåðàòóð.
Çà U >30 ì ÷³òêî ñïîñòåð³ãàºòüñÿ òåíäåíö³ÿ äî íàñè÷åííÿ ÂÀÕ, õàðàê-
òåðíîãî äëÿ ñòðóêòóð ç ïîòåíö³àëüíèì áàð�ºðîì ³ ãåíåðàö³éíî-ðåêîìá³-
íàö³éíèì àáî òåðìîåì³ñ³éíèì (äèôóç³éíèì) ìåõàí³çìàìè ïðîõîäæåííÿ
ñòðóìó [14]. Ïðè öüîìó çíà÷åííÿ n íà ñóáë³í³éí³é ä³ëÿíö³ ÂÀÕ çì³íþ-
ºòüñÿ â³ä 0,6 (77 Ê) äî 0,25 (182 Ê). Çà ñóáë³í³éíîþ ä³ëÿíêîþ ÂÀÕ ó ðàç³
çá³ëüøåííÿ íàïðóãè çì³ùåííÿ ñïîñòåð³ãàºòüñÿ ïëàâíå çðîñòàííÿ ÂÀÕ,
õàðàêòåðíå äëÿ òóíåëüíîãî ìåõàí³çìó ïðîáîþ. Çã³äíî ç [14] òóíåëüíèé
ìåõàí³çì ñòðóìîïðîõîäæåííÿ ìîæå áóòè äèñêðèì³íîâàíèé óíàñë³äîê ïå-
ðåáóäîâè åêñïåðèìåíòàëüíèõ ðåçóëüòàò³â çâîðîòíèõ ÂÀÕ ó êîîðäèíàòàõ
Ilg � 2/1UU D , äå DU � êîíòàêòíà ð³çíèöÿ ïîòåíö³àë³â ñòðóêòóðè
In/p-PbTe. ˳íåàðèçàö³ÿ åêñïåðèìåíòàëüíèõ äàíèõ ó öèõ êîîðäèíàòàõ
áóäå ñâ³ä÷èòè ïðî òóíåëüíèé ìåõàí³çì ñòðóìîïðîõîäæåííÿ. Íà ðèñ. 2
íàâåäåíî çâîðîòí³ ÂÀÕ äëÿ òèõ ñàìèõ òåìïåðàòóð, ùî ³ íà ðèñ.1. Çà
ðåçóëüòàòàìè âèì³ðþâàíü ÂÔÕ ñòðóêòóð In/p-PbTe, âèçíà÷åíî, ùî
gD EeU [5]. Óðàõóâàâøè öå, çíà÷åííÿ DeU çà ð³çíèõ òåìïåðàòóð îö³íþ-
âàëè çà ôîðìóëîþ TTETeU gD
4104,419,0)()( å [15]. Ç ðèñ. 2 âèä-
íî, ùî äëÿ ä³àïàçîíó çíà÷åíü 2/12/1 Â8,05,0)( UU D (êðèâ³ 1�3) åêñ-
ïåðèìåíòàëüí³ äàí³ ë³íåàðèçóþòüñÿ â êîîðäèíàòàõ Ilg � 2/1UU D , ùî
ñâ³ä÷èòü ïðî òóíåëüíèé ìåõàí³çì ïðîáîþ äîñë³äæóâàíèõ ñòðóêòóð â ³í-
òåðâàë³ òåìïåðàòóð 77�130 Ê. Äåòàë³çàö³ÿ ïðèðîäè ìåõàí³çìó ïðîáîþ
(ì³æçîííèé, ì³æçîííèé çà ó÷àñòþ ãëèáîêèõ öåíòð³â ÷è çà ó÷àñòþ äèñëî-
êàö³é ç äîì³øêîâîþ àòìîñôåðîþ) ïîòðåáóº äîäàòêîâèõ äîñë³äæåíü.
Òåìïåðàòóðí³ çàëåæíîñò³ çâîðîòíîãî ñòðóìó çà ð³çíèõ íàïðóã çì³-
ùåííÿ íàâåäåíî íà ðèñ.3. Äëÿ âñ³õ êðèâèõ ñïîñòåð³ãàºòüñÿ ïîä³áíà çàêî-
íîì³ðí³ñòü ¿õ ïîâåä³íêè.  ³íòåðâàë³ òåìïåðàòóð 77�150 Ê çàëåæí³ñòü
)/10( 3 TI ìຠàêòèâàö³éíèé õàðàêòåð (êðèâ³ 1, 2), ïðè÷îìó åíåðã³ÿ àêòè-
âàö³¿ E äëÿ íàïðóã çì³ùåííÿ 15, 150 òà 600 ì ñòàíîâèòü 0,1 eÂ. Çà
T >150 Ê òàêîæ ñïîñòåð³ãàºòüñÿ àêòèâàö³éíà çàëåæí³ñòü )/10( 3 TI , àëå ç
åíåð㳺þ àêòèâàö³¿ 0,16 eÂ. dz çá³ëüøåííÿì òåìïåðàòóðè T >220 Ê åêñ-
ïåðèìåíòàëüí³ ðåçóëüòàòè â³äõèëÿþòüñÿ â³ä åêñïîíåíö³àëüíî¿ çàëåæíîñò³
ç òåíäåíö³ºþ äî íàñè÷åííÿ (äèâ, ðèñ.3, êðèâ³ 1, 2 ). Çàçíà÷èìî, ùî äëÿ
íàïðóãè çâîðîòíîãî çì³ùåííÿ 600 ì (äèâ. ðèñ. 3, êðèâà 3), çàëåæí³ñòü
)/10( 3 TI íå º åêñïîíåíö³àëüíîþ çà T < 90 Ê, ùî ìîæå îáóìîâëþâàòèñü
âïëèâîì òóíåëüíî¿ ñêëàäîâî¿ ñòðóìó íà çàãàëüíèé ñòðóì ñòðóêòóðè (äèâ.
ðèñ. 1, êðèâà 1). Çíà÷åííÿ åíåð㳿 àêòèâàö³¿ 0,1 e ⠳íòåðâàë³ òåìïåðà-
87
Ðèñ. 1. Çâîðîòí³ ÂÀÕ ñòðóêòóðè In/p-PbTe çà òåìïåðàòóð, Ê: 1 � 77; 2 � 100; 3 �
123; 4 � 182; 5 � 293
Ðèñ. 2. Çâîðîòí³ ÂÀÕ ó êîîðäèíàòàõ Ilg � 2/1UU D çà òåìïåðàòóð, Ê: 1 � 77; 2 �
100; 3 � 123
òóð 77�150 Ê â³äïîâ³äຠóìîâ³ ðåàë³çàö³¿ ãåíåðàö³éíî-ðåêîìá³íàö³éíîãî
ìåõàí³çìó ñòðóìîïðîõîäæåííÿ, çã³äíî ç ÿêîþ 2/gEE [14]. Äðóãà
åêñïîíåíö³àëüíà ä³ëÿíêà çàëåæíîñò³ TI /103 ç E 0,16 e ìîæå áóòè
ïîâ�ÿçàíà ç ïåðåâàæíèì âíåñêîì ó çàãàëüíèé òåìíîâèé ñòðóì ñòðóêòóðè
òåðìîåì³ñ³éíî¿ àáî äèôóç³éíî¿ êîìïîíåíòè, äëÿ ðåàë³çàö³¿ ÿêî¿ ïîâèííà
âèêîíóâàòèñÿ óìîâà gEE [14].
Ðåçóëüòàòè âèì³ðþâàííÿ ÂÔÕ â ³íòåðâàë³ òåìïåðàòóð 77�130 Ê íà-
âåäåíî íà ðèñ. 4, êðèâ³ 1�3. ßê áà÷èìî, åêñïåðèìåíòàëüí³ ðåçóëüòàòè
âèì³ðþâàííÿ áàð�ºðíî¿ ºìíîñò³ ë³íåàðèçóþòüñÿ â êîîðäèíàòàõ Ñ�2�U,
ùî âêàçóº íà ð³çêèé õàðàêòåð ðîçïîä³ëó ëåãóâàëüíî¿ äîì³øêè â êâàç³-
íåéòðàëüí³é îáëàñò³ äîñë³äæóâàíèõ ñòðóêòóð. Çà íàõèëîì ë³í³éíèõ ä³-
ëÿíîê êðèâèõ îö³íåíî êîíöåíòðàö³þ îñíîâíèõ íîñ³¿â çàðÿäó â êâàç³íåé-
òðàëüí³é îáëàñò³, ïðè öüîìó ïðèéìàëîñÿ, ùî çíà÷åííÿ ä³åëåêòðè÷íî¿
ñòàëî¿ äëÿ PbTe = 400 [15]. Êîíöåíòðàö³¿ îñíîâíèõ íîñ³¿â çàðÿäó â êâà-
ç³íåéòðàëüí³é îáëàñò³ ñòðóêòóð äëÿ òåìïåðàòóð 77, 100 òà 123 Ê ñòàíî-
âèëè â³äïîâ³äíî 1,2·1014; 2,1·1014 òà 4,8·1014 ñì�3, òîáòî ç ï³äâèùåííÿì
òåìïåðàòóðè êîíöåíòðàö³ÿ ä³ðîê ó êâàç³íåéòðàëüí³é îáëàñò³ ñòðóêòóð
çá³ëüøóºòüñÿ. Óíàñë³äîê åêñòðàïîëÿö³¿ ë³í³éíèõ ä³ëÿíîê çàëåæíîñò³
Ñ�2 (U) äî ïåðåòèíó ç â³ññþ U, çíà÷åííÿ ºìí³ñíî¿ íàïðóãè â³äñ³÷êè UC
äëÿ òåìïåðàòóð 77, 100 òà 123 Ê â³äïîâ³äíî äîð³âíþâàëè 0,23, 0,25 òà
0,27 Â. ßê áà÷èìî, çáåð³ãàºòüñÿ òåíäåíö³ÿ, àíàëîã³÷íà çàëåæíîñò³ Eg(T)
â PbTe. Ðîçá³æí³ñòü â çíà÷åííÿõ UC òà Eg çà îäíàêîâèõ òåìïåðàòóð âè-
ì³ðþâàííÿ ìîæå îáóìîâëþâàòèñÿ ÿê âïëèâîì ïîñë³äîâíîãî îïîðó íà
ÂÔÕ [16], òàê ³ âïëèâîì íà ºìí³ñòü ãëèáîêèõ öåíòð³â [17]. Âèêîðèñòàâ-
88
Ðèñ. 3. Òåìïåðàòóðí³ çàëåæíîñò³ çâîðîòíîãî ñòðóìó äëÿ íàïðóã çì³ùåííÿ, ìÂ: 1 �
15; 2 � 150; 3 � 600
Ðèñ. 4. Âîëüò-ôàðàäí³ õàðàêòåðèñòèêè çà òåìïåðàòóð, Ê: 1 � 77; 2 � 100; 3 � 123
øè çíà÷åííÿ áàð�ºðíî¿ ºìíîñò³ ïðè íóëüîâ³é íàïðóç³ çì³ùåííÿ, áóëî
îö³íåíà òîâùèíà ÎÏÇ çà ôîðìóëîþ 0 0 0/W s C . Äëÿ òåìïåðàòóð 77,
100 òà 123 Ê â³äïîâ³äí³ çíà÷åííÿ 0W ñòàíîâèëè 9,7, 7,7 òà 5,0 ìêì.
Íàâåäåí³ íà ðèñ. 1�4 åëåêòðè÷í³ õàðàêòåðèñòèêè ñòðóêòóð In/p-PbTe
îäíîçíà÷íî ñâ³ä÷àòü ïðî íàÿâí³ñòü â ïðèêîíòàêòí³é îáëàñò³ ïîòåíö³àëü-
íîãî áàð�ºðà, ïðèðîäà ÿêîãî ìîæå çóìîâëþâàòèñÿ ôîðìóâàííÿì êîíòàê-
òó Øîòòê³ òèïó In/p0�p-PbTe, äå p0 � êîìïåíñîâàíà ³í䳺ì âèñîêîîì-
íà îáëàñòü p-òèïó ïðîâ³äíîñò³, àáî ì³ëêîãî ïåðåõîäó òèïó n0�p-PbTe, äå
n0 � êîìïåíñîâàíà ³í䳺ì âèñîêîîìíà îáëàñòü n-òèïó ïðîâ³äíîñò³. Äëÿ
ç�ÿñóâàííÿ ïðèðîäè ïîòåíö³àëüíîãî áàð�ºðà ç òîðö³â çðàçê³â áóëî çíÿòî
øàð ³íä³þ çà äîïîìîãîþ õ³ì³÷íîãî òðàâëåííÿ â HCl. Âèì³ðþâàííÿ ïîëÿð-
íîñò³ òåðìîÅÐÑ íà òîðöÿõ çðàçê³â âèÿâèëî n-òèï ïðîâ³äíîñò³. Îòæå, ðå-
çóëüòàòîì òåðìîîáðîáêè çðàçê³â In/p-PbTe çà T = 520 Ê óïðîäîâæ 10 õâ º
ôîðìóâàííÿ ïðèêîíòàêòíîãî n0-øàðó. Íàéá³ëüø ³ìîâ³ðíîþ ïðè÷èíîþ
ôîðìóâàííÿ n0-øàðó º òåðì³÷íà äèôóç³ÿ äîíîðíî¿ äîì³øêè ³íä³þ â ñè-
ëüíî ëåãîâàíèé íåñòåõ³îìåòðè÷íèé PbTe. Îñòàòî÷íå ç�ÿñóâàííÿ ïðèðîäè
óòâîðåííÿ n0-øàðó â ïðèêîíòàêòí³é îáëàñò³ ñòðóêòóð ïîòðåáóº äîäàòêî-
âîãî äîñë³äæåííÿ. Çà ñòðóìîì íàñè÷åííÿ 0I çâîðîòíèõ ÂÀÕ, âèçíà÷åíèõ
ïðè U = 50 ì (äèâ. ðèñ. 1, êðèâ³ 1�3), îö³íåíî åôåêòèâíèé ÷àñ ãåíåðà-
ö³¿ íîñ³¿â çàðÿäó â ÎÏÇ ñòðóêòóð çà âèðàçîì 0 0 0/ie nW s I , äå in �
âëàñíà êîíöåíòðàö³ÿ íîñ³¿â çàðÿäó, s = 9,6 10�3 ñì2 [14]. Ç ðîçðàõóíêó
çíà÷åííÿ 0 ñòàíîâëÿòü: 1,5·10�7, 7,1·10�8, 4,6·10�8 ñ â³äïîâ³äíî äëÿ òåìïå-
ðàòóð 77, 100, 123 Ê. Òóò âèêîðèñòàíî òàê³ çíà÷åííÿ in [15, 18]: 4·1010 ñì�3
(77 Ê); 1,8·1012 ñì�3 (100 Ê); 1,8·1013 ñì�3 (123 Ê). Ðîçðàõóíêîâ³ çíà÷åííÿ
89
0 çà ïîðÿäêîì âåëè÷èíè º ðåàë³ñòè÷íèìè äëÿ ïðîöåñ³â ðåêîìá³íàö³¿
íåð³âíîâàæíèõ íîñ³¿â çàðÿäó â PbTe ïðè â³äïîâ³äíèõ êîíöåíòðàö³ÿõ îñ-
íîâíèõ íîñ³¿â çàðÿäó [18], ùî ï³äòâåðäæóº êîðåêòí³ñòü âèêîíàíîãî îö³-
íþâàííÿ.
Òàêèì ÷èíîì, òåðìîîáðîáêà ñòðóêòóð In/p-PbTe çà T 520±1 Ê
óïðîäîâæ 10 õâ ñïðè÷èíþº êîíâåðñ³þ òèïó ïðîâ³äíîñò³ ïðèêîíòàêòíî¿
îáëàñò³ âíàñë³äîê ¿¿ ëåãóâàííÿ äîíîðíîþ äîì³øêîþ ³íä³þ ³ ôîðìóâàííÿ
ñèëüíî êîìïåíñîâàíî¿ n0-îáëàñò³. Ïîòåíö³àëüíèé áàð�ºð ñòðóêòóðè ï³ñëÿ
òåðìîîáðîáêè º n0�p-ïåðåõîäîì, ÿêèé ³ âèçíà÷ຠåëåêòðè÷í³ âëàñòèâîñò³
ñòðóêòóð In/n0�p-PbTe â ³íòåðâàë³ òåìïåðàòóð 77�293 Ê. Çàóâàæèìî, ùî
åëåêòðè÷í³ âëàñòèâîñò³ àíàëîã³÷íèõ ñòðóêòóð In/p-PbTe, âèãîòîâëåíèõ
òåðìîâàêóóìíèì íàíåñåííÿì ³íä³þ íà ï³äêëàäèíêè p-PbTe çà ê³ìíàòíî¿
òåìïåðàòóðè áåç äîäàòêîâî¿ òåðìîîáðîáêè, îáóìîâëþþòüñÿ áàð�ºðîì
Øîòòê³ In/p-PbTe, ³ ¿õ ÂÀÕ º íåë³í³éíèìè [5]. Òîáòî, ïðè ôîðìóâàíí³
êîíòàêò³â äî p-PbTe ç âèêîðèñòàííÿì ³íä³þ íåîáõ³äíî âðàõîâóâàòè ìîæ-
ëèâ³ñòü ôîðìóâàííÿ âèñîêîîìíîãî ïðèêîíòàêòíîãî øàðó âíàñë³äîê òåð-
ì³÷íî¿ äèôó糿 äîì³øêè ïðè êîðîòêîòåðì³íîâ³é òåðìîîáðîáö³. ϳä ÷àñ
íàíåñåííÿ ìåòàëó çà ê³ìíàòíî¿ àáî á³ëüø íèçüêî¿ òåìïåðàòóðè ôîðìó-
ºòüñÿ áàð�ºð Øîòòê³ [5].
1. Âèÿâëåíî, ùî òåðìîîáðîáêà ñòðóêòóð In/p-PbTe çà òåì-
ïåðàòóðè T = 520±1 Ê óïðîäîâæ 10 õâ îáóìîâëþº êîíâåðñ³þ òèïó ïðîâ³ä-
íîñò³ ïðèêîíòàêòíîãî øàðó âíàñë³äîê äèôó糿 ³íä³þ. Âèçíà÷åíî åëåêò-
ðîô³çè÷í³ ïàðàìåòðè øàðó çà T 77 Ê ³ ïîêàçàíî, ùî â³í ñèëüíî êîìïåí-
ñîâàíèé, à ç ï³äâèùåííÿì òåìïåðàòóðè (T > 77 Ê) êîíöåíòðàö³ÿ îñíîâ-
íèõ íîñ³¿â çàðÿäó â öüîìó øàð³ çá³ëüøóºòüñÿ.
2. Âñòàíîâëåíî, ùî çâîðîòí³ ÂÀÕ ñòðóêòóð In/n0�p-PbTe â ³íòåðâàë³
òåìïåðàòóð 77�150 Ê çà íàïðóã çì³ùåííÿ 150 ì îáóìîâëþþòüñÿ ïðîöå-
ñàìè ãåíåðàö³¿ íîñ³¿â çàðÿäó â îáëàñò³ ïðîñòîðîâîãî çàðÿäó ç åíåð㳺þ àêòè-
âàö³¿ 0,1 åÂ.  ³íòåðâàë³ òåìïåðàòóð 150�220 Ê òà ä³àïàçîí³ íàïðóã çì³-
ùåííÿ 150�600 ì çâîðîòí³ ÂÀÕ âèçíà÷àþòüñÿ äèôóç³éíèì ìåõàí³çìîì
ñòðóìîïðîõîäæåííÿ.  ³íòåðâàë³ òåìïåðàòóð 77�123 Ê ïðè âåëèêèõ íàïðó-
ãàõ çì³ùåííÿ ðåàë³çóºòüñÿ òóíåëüíèé ìåõàí³çì ñòðóìîïðîõîäæåííÿ.
3. Ðîçðîáëåíî áðîìâèä³ëÿþ÷èé ïîë³ðóâàëüíèé ïðîòðàâëþâà÷ ïîâåðõ-
í³ PbTe íà îñíîâ³ ðîç÷èíó H2O2 â HBr. Çàâäÿêè éîãî âèêîðèñòàííþ ó
äîñë³äæåíèõ ñòðóêòóðàõ âïëèâ ïîâåðõíåâî¿ ïðîâ³äíîñò³ â ³íòåðâàë³ òåì-
ïåðàòóð 77�293 Ê íà çâîðîòí³ ÂÀÕ áóâ íåçíà÷íèì. Ïðîòðàâëþâà÷ ìîæå
âèêîðèñòîâóâàòèñü ïðè âèãîòîâëåíí³ ìåçàñòðóêòóðíèõ îõîëîäæóâàíèõ
PbTe-ôîòîä³îä³â.
G.P. Malanych, A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin,
A.T. Voroschenko, M.Yu. Kravetskii, I.I. Pavlovych
ELECTRICAL PROPERTIES OF In/p-PbTe STRUCTURES
The mechanisms of the barrier formation in In/p-PbTe contacts are
invesigated. It is established that during the short low-temperature processing of contacts
the shallow p�n-junction is formed due to diffusion of indium in the undersurface layer
which determines the dark current mechanisms. It is shown that in the temperature range 77�
146 K for reverse bias voltages 150 mV the dark current is dominated by generacion-
recombination mechanism, and in the temperature range 150�200 K � by diffusion. For
lange reverse bias and liquid nitrogen temperatures the tunnel breakdown is realized.
Parameters of a layer which is formed under contact�s metal is estimated and it is found
that in this layer intrinsic defects are compensated by doped indium. The results obtained in
this investigation should be taken into account when making ohmic contacts to p-PbTe.
Keywords: lead telluride, formation of contacts, dark current.
90
1. Ðîçì³ðí³ åôåêòè ó ïîë³êðèñòàë³÷íèõ ïë³âêàõ PbTe / ß.Ï. Ñàë³é, Ï.². Ìåëüíèê, Î.ß. Äîâ-
ãèé, Ì.Â. Êàëèíþê // Ô³çèêà ³ õ³ì³ÿ òâåðäîãî ò³ëà. � 2001. � 2, ¹1. � Ñ. 161�163.
2. Ðîãà÷îâà Î.²., Ãðèãîðîâ Ñ.Ì., Ôåäîðîâ Î.Ã. Ïðèãîòóâàííÿ, äîñë³äæåííÿ ñòðóêòóðè
òà âëàñòèâîñòåé òîíêèõ ïë³âîê PbTe, ëåãîâàíîãî íàòð³ºì // Íîâ³ òåõíîëî㳿. �
2010. � 28, ¹ 2. � Ñ. 16�21.
3. Nugraha O., Tamura W., Itoh O. The vapor pressure dependence of the p-n-junction
properties of PbTe liquid phase epitaxial layers // J. Electron. Materials. � 1998. � 27,
N 5. � P. 438�441.
4. Èññëåäîâàíèå áàðüåðíûõ ñòðóêòóð In/PbTe ñ ïðîìåæóòî÷íûì òîíêèì äèýëåêòðè÷å-
ñêèì ñëîåì / Î.À. Àëåêñàíäðîâà, À.Ò. Àõìåäæàíîâ, Ð.Ö. Áîíäîêîâ è äð. // ÔÒÏ. �
2000. � 34, ¹12. � C. 1420�1425.
5. Ãðàíèöà ðàçäåëà è ñâîéñòâà âûïðÿìëÿþùèõ êîíòàêòîâ In(Cu)/PbTe / Ô.Ô. Ñèçîâ,
À.À. Ñàâà, Â.Â. Òåòåðêèí è äð. // Èçâ. ÀÍ ÑÑÑÐ. Íåîðãàí. ìàòåðèàëû. � 1990. �
24, ¹ 6. � C. 1193�1198.
6. Baars J., Bassett D., Schulz M. Metal-semiconductor barrier studies of PbTe // Phys.
Stat. Sol. (a). � 1978. � 49, N 2. � P. 483�488.
7. Áåð÷åíêî Í.Í., Ãåéìàí Ê.È., Ìàòâååíêî À.Â. Ìåòîäû ïîëó÷åíèÿ p�n-ïåðåõîäîâ è
áàðüåðîâ Øîòòêè â õàëüêîãåíèäàõ ñâèíöà è òâåðäûõ ðàñòâîðàõ íà èõ îñíîâå //
Çàðóáåæíàÿ ýëåêòðîííàÿ òåõíèêà. � 1977. � ¹14. � Ñ. 3�70.
8. Òîìàøèê Â.Ì., Ãðûöèâ Â.È. Ôèçèêî-õèìè÷åñêîå âçàèìîäåéñòâèå ìåòàëëîâ ñ ïîëó-
ïðîâîäíèêîâûìè ñîåäèíåíèÿìè òèïà AIVBVI // Íåîðãàí. ìàòåðèàëû. ÐÀÍ. � 1995. �
31, ¹ 8. � Ñ. 1027�1029.
9. Êóäðÿâöåâà Ñ.Ì., Êóçíåöîâà Ò.À., Çëîìàíîâ Â.Ï. Âûðàùèâàíèå êðèñòàëëîâ PbTe,
ëåãèðîâàííûõ èíäèåì // Òàì æå. � 1997. � 33, ¹3. � Ñ. 305�309.
10. Ïîâåäåíèå ïðèìåñè èíäèÿ â ìîíîêðèñòàëëàõ òåëëóðèäà ñâèíöà / Ñ.À. Áåëîêîíü,
Ñ.Ä. Äàð÷óê, Ñ.Â. Ïëÿöêî è äð. // Òàì æå. � 1988. � 24, ¹10. � Ñ. 1618�1622.
11. Õ³ì³÷íå ðîç÷èíåííÿ ìîíîêðèñòàë³â PbTe òà òâåðäèõ ðîç÷èí³â Pb1-xSnxTe â òðàâèëü-
íèõ êîìïîçèö³ÿõ H2O2�HBr�àöåòàòíà êèñëîòà / Ã.Ï. Ìàëàíè÷, Ç.Ô. Òîìà-
øèê, Â.Ì. Òîìàøèê òà ³í. // Íàóê. â³ñí. ×åðí³âåöüêîãî óí-òó. Õ³ì³ÿ. � 2011. �
Âèï. 581. � Ñ. 63�69.
12. Àíàòû÷óê Ë.È., Ñåìåíþê Â.À. Îïòèìàëüíîå óïðàâëåíèå ñâîéñòâàìè òåðìîýëåêòðè-
÷åñêèõ ìàòåðèàëîâ. � ×åðíîâöû: Ïðóò, 1992. � 264 ñ.
13. Êó÷èñ Å.Â. Ìåòîäû èññëåäîâàíèÿ ýôôåêòà Õîëëà. � Ì.:Ñîâ. ðàäèî, 1974. � 328 ñ.
14. Çè Ñ. Ôèçèêà ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ïðèáîðîâ. � Ì.: Ìèð, 1984. � Ò.1. � 456 ñ.
15. Ëþá÷åíêî À.Â., Ñàëüêîâ Å.À., Ñèçîâ Ô.Ô. Ôèçè÷åñêèå îñíîâû ïîëóïðîâîäíèêîâîé
èíôðàêðàñíîé ôîòîýëåêòðîíèêè. � Êèåâ: Íàóê. äóìêà, 1984. � 256 ñ.
16. Êîíñòàíòèíîâ Î.Â., Ìåçðèí Î.À. Âëèÿíèå ïîñëåäîâàòåëüíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ äèîäà
Øîòòêè íà åãî ýôôåêòèâíóþ åìêîñòü // ÔÒÏ. � 1983. � 17, ¹2. � Ñ. 305�311.
17. Áåðìàí Ë.Ñ., Ëåáåäåâ À.À. Åìêîñòíàÿ ñïåêòðîñêîïèÿ ãëóáîêèõ öåíòðîâ â ïîëóïðî-
âîäíèêàõ. � Ë.: Íàóêà, 1981. � 176 ñ.
18. Ðàâè÷ Þ.È., Åôèìîâà Á.À., Ñìèðíîâ È.À. Ìåòîäû èññëåäîâàíèÿ ïîëóïðîâîäíèêîâ â
ïðèìåíåíèè ê õàëüêîãåíèäàì ñâèíöà PbTe, PbSe, PbS. � Ì.: Íàóêà, 1968. � 383 ñ.
²íñòèòóò ô³çèêè íàï³âïðîâ³äíèê³â
³ì. Â.ª. Ëàøêàðüîâà
ÍÀÍ Óêðà¿íè
Ïðîñïåêò Íàóêè, 41
03028 Êè¿â
1²íñòèòóò òåðìîåëåêòðèêè
ÍÀÍ Óêðà¿íè
Âóë. Íàóêè, 1
58002 ×åðí³âö³
Îòðèìàíî 15.04.2011
|