Електричні властивості структур In/p-PbTe
Досліджено механізми формування бар’єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p–n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який визначає механізми проходження темнового струму. Показано, що в інтервалі тем...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116720 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Електричні властивості структур In/p-PbTe / Г.П. Маланич, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.І. Павлович // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 84-90. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862573051375255552 |
|---|---|
| author | Маланич, Г.П. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Павлович, І.І. |
| author_facet | Маланич, Г.П. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Павлович, І.І. |
| citation_txt | Електричні властивості структур In/p-PbTe / Г.П. Маланич, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.І. Павлович // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 84-90. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Досліджено механізми формування бар’єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p–n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який визначає механізми проходження темнового струму. Показано, що в інтервалі температур 77–146 К за напруг зворотного зміщення ≤ 150 мВ домінує генераційно-рекомбінаційний механізм, а за температур 150–220 К – дифузійний. При великих зворотних зміщеннях та азотних температурах реалізується тунельний механізм пробою переходів. Оцінено параметри приконтактного шару і встановлено, що у ньому відбувається компенсація власних дефектів домішкою індію. Отримані результати слід враховувати при виготовленні омічних контактів до p-PbTe.
The mechanisms of the barrier formation in In/p-PbTe contacts are invesigated. It is established that during the short low-temperature processing of contacts the shallow p-n-junction is formed due to diffusion of indium in the undersurface layer which determines the dark current mechanisms. It is shown that in the temperature range 77- 146 K for reverse bias voltages ≤ 150 mV the dark current is dominated by generacionrecombination mechanism, and in the temperature range 150-200 K - by diffusion. For lange reverse bias and liquid nitrogen temperatures the tunnel breakdown is realized. Parameters of a layer which is formed under contact's metal is estimated and it is found that in this layer intrinsic defects are compensated by doped indium. The results obtained in this investigation should be taken into account when making ohmic contacts to p-PbTe.
|
| first_indexed | 2025-11-26T08:13:40Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116720 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-26T08:13:40Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Маланич, Г.П. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Павлович, І.І. 2017-05-14T12:31:39Z 2017-05-14T12:31:39Z 2012 Електричні властивості структур In/p-PbTe / Г.П. Маланич, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.І. Павлович // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 84-90. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116720 621.315.592 Досліджено механізми формування бар’єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p–n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який визначає механізми проходження темнового струму. Показано, що в інтервалі температур 77–146 К за напруг зворотного зміщення ≤ 150 мВ домінує генераційно-рекомбінаційний механізм, а за температур 150–220 К – дифузійний. При великих зворотних зміщеннях та азотних температурах реалізується тунельний механізм пробою переходів. Оцінено параметри приконтактного шару і встановлено, що у ньому відбувається компенсація власних дефектів домішкою індію. Отримані результати слід враховувати при виготовленні омічних контактів до p-PbTe. The mechanisms of the barrier formation in In/p-PbTe contacts are invesigated. It is established that during the short low-temperature processing of contacts the shallow p-n-junction is formed due to diffusion of indium in the undersurface layer which determines the dark current mechanisms. It is shown that in the temperature range 77- 146 K for reverse bias voltages ≤ 150 mV the dark current is dominated by generacionrecombination mechanism, and in the temperature range 150-200 K - by diffusion. For lange reverse bias and liquid nitrogen temperatures the tunnel breakdown is realized. Parameters of a layer which is formed under contact's metal is estimated and it is found that in this layer intrinsic defects are compensated by doped indium. The results obtained in this investigation should be taken into account when making ohmic contacts to p-PbTe. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Електричні властивості структур In/p-PbTe Electrical properties of In/p-PbTe structures Article published earlier |
| spellingShingle | Електричні властивості структур In/p-PbTe Маланич, Г.П. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Павлович, І.І. |
| title | Електричні властивості структур In/p-PbTe |
| title_alt | Electrical properties of In/p-PbTe structures |
| title_full | Електричні властивості структур In/p-PbTe |
| title_fullStr | Електричні властивості структур In/p-PbTe |
| title_full_unstemmed | Електричні властивості структур In/p-PbTe |
| title_short | Електричні властивості структур In/p-PbTe |
| title_sort | електричні властивості структур in/p-pbte |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116720 |
| work_keys_str_mv | AT malaničgp električnívlastivostístrukturinppbte AT sukačav električnívlastivostístrukturinppbte AT tetʹorkínvv električnívlastivostístrukturinppbte AT voroŝenkoat električnívlastivostístrukturinppbte AT kravecʹkiimû električnívlastivostístrukturinppbte AT pavlovičíí električnívlastivostístrukturinppbte AT malaničgp electricalpropertiesofinppbtestructures AT sukačav electricalpropertiesofinppbtestructures AT tetʹorkínvv electricalpropertiesofinppbtestructures AT voroŝenkoat electricalpropertiesofinppbtestructures AT kravecʹkiimû electricalpropertiesofinppbtestructures AT pavlovičíí electricalpropertiesofinppbtestructures |