Зображення обкладинки

Електричні властивості структур In/p-PbTe

Досліджено механізми формування бар’єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p–n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який визначає механізми проходження темнового струму. Показано, що в інтервалі тем...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Дата:2012
Автори: Маланич, Г.П., Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Ворощенко, А.Т., Кравецький, М.Ю., Павлович, І.І.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116720
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Електричні властивості структур In/p-PbTe / Г.П. Маланич, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.І. Павлович // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 84-90. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси