Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур
При комнатной температуре исследована зависимость времени затухания фотолюминесценции (ФЛ) от энергии излучения в пористых наноструктурах nc-Si–SiOx. Образцы получали наклонным испарением SiO с последующим отжигом при 975 °С в вакууме и обработкой в парах HF при 50 °С. Структуры nc-Si–SiOx с различн...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116722 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур / Е.В. Михайловская, В.А. Данько, И.З. Индутный, П.Е. Шепелявый // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 97-103. — Бібліогр.: 30 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862687678426775552 |
|---|---|
| author | Михайловская, Е.В. Данько, В.А. Индутный, И.З. Шепелявый, П.Е. |
| author_facet | Михайловская, Е.В. Данько, В.А. Индутный, И.З. Шепелявый, П.Е. |
| citation_txt | Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур / Е.В. Михайловская, В.А. Данько, И.З. Индутный, П.Е. Шепелявый // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 97-103. — Бібліогр.: 30 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | При комнатной температуре исследована зависимость времени затухания фотолюминесценции (ФЛ) от энергии излучения в пористых наноструктурах nc-Si–SiOx. Образцы получали наклонным испарением SiO с последующим отжигом при 975 °С в вакууме и обработкой в парах HF при 50 °С. Структуры nc-Si–SiOx с различным содержанием Si (содержание Si варьировалось изменением угла осаждения SiO) в спектральной области 1,4–2,2 эВ проявляют похожие спектры ФЛ и идентичный ее (ФЛ) спад, соответствующий закону растянутой экспоненты. Предполагается, что растянутый экспоненциальный спад ФЛ является характерным для Si-нанокристаллов. Показано, что время жизни ФЛ экспоненциально уменьшается с увеличением энергии излучения. Этот результат согласуется с квантово-размерным эффектом, когда меньшие по размеру nc-Si с большей энергией запрещенной зоны характеризуются более коротким излучательным временем жизни и соответствующая излучательная рекомбинация происходит в пределах индивидуальных nc-Si.
The spectral dependence of the photoluminescence (PL) decay time at room temperature has been studied in porous nc-Si-SiOx nanostructures. Investigated samples were obtained by oblique evaporation of SiO with following annealing at 975 °C in vacuum and treating in the HF vapor at 50 °C. nc-Si-SiOx structures with different Si content (Si content was varied by changing the deposition angle of SiO) exhibit identically spectrum of PL in spectral range of 1.4-2.2 eV, and decay of PL is described by a stretched exponential low. It is suggested that stretched exponential decay of PL is a characteristic of Si nanocrystals. It is shown that the PL lifetime decreases exponentially with increasing radiation energy. This result is consistent with the quantum confinement effects, where the smaller nc-Si with larger energy gaps are characterized by a short radiative lifetime and the corresponding radiative recombination process take place within the individual nc-Si.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:06:23Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116722 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:06:23Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Михайловская, Е.В. Данько, В.А. Индутный, И.З. Шепелявый, П.Е. 2017-05-14T12:35:52Z 2017-05-14T12:35:52Z 2012 Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур / Е.В. Михайловская, В.А. Данько, И.З. Индутный, П.Е. Шепелявый // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 97-103. — Бібліогр.: 30 назв. — рос. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116722 621.315.592:535 При комнатной температуре исследована зависимость времени затухания фотолюминесценции (ФЛ) от энергии излучения в пористых наноструктурах nc-Si–SiOx. Образцы получали наклонным испарением SiO с последующим отжигом при 975 °С в вакууме и обработкой в парах HF при 50 °С. Структуры nc-Si–SiOx с различным содержанием Si (содержание Si варьировалось изменением угла осаждения SiO) в спектральной области 1,4–2,2 эВ проявляют похожие спектры ФЛ и идентичный ее (ФЛ) спад, соответствующий закону растянутой экспоненты. Предполагается, что растянутый экспоненциальный спад ФЛ является характерным для Si-нанокристаллов. Показано, что время жизни ФЛ экспоненциально уменьшается с увеличением энергии излучения. Этот результат согласуется с квантово-размерным эффектом, когда меньшие по размеру nc-Si с большей энергией запрещенной зоны характеризуются более коротким излучательным временем жизни и соответствующая излучательная рекомбинация происходит в пределах индивидуальных nc-Si. The spectral dependence of the photoluminescence (PL) decay time at room temperature has been studied in porous nc-Si-SiOx nanostructures. Investigated samples were obtained by oblique evaporation of SiO with following annealing at 975 °C in vacuum and treating in the HF vapor at 50 °C. nc-Si-SiOx structures with different Si content (Si content was varied by changing the deposition angle of SiO) exhibit identically spectrum of PL in spectral range of 1.4-2.2 eV, and decay of PL is described by a stretched exponential low. It is suggested that stretched exponential decay of PL is a characteristic of Si nanocrystals. It is shown that the PL lifetime decreases exponentially with increasing radiation energy. This result is consistent with the quantum confinement effects, where the smaller nc-Si with larger energy gaps are characterized by a short radiative lifetime and the corresponding radiative recombination process take place within the individual nc-Si. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур Kinetic of photoluminescence of porous nc-Si–SiOx structures Article published earlier |
| spellingShingle | Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур Михайловская, Е.В. Данько, В.А. Индутный, И.З. Шепелявый, П.Е. |
| title | Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур |
| title_alt | Kinetic of photoluminescence of porous nc-Si–SiOx structures |
| title_full | Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур |
| title_fullStr | Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур |
| title_full_unstemmed | Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур |
| title_short | Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур |
| title_sort | кинетика фотолюминесценции пористых nc-si–siox-структур |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116722 |
| work_keys_str_mv | AT mihailovskaâev kinetikafotolûminescenciiporistyhncsisioxstruktur AT danʹkova kinetikafotolûminescenciiporistyhncsisioxstruktur AT indutnyiiz kinetikafotolûminescenciiporistyhncsisioxstruktur AT šepelâvyipe kinetikafotolûminescenciiporistyhncsisioxstruktur AT mihailovskaâev kineticofphotoluminescenceofporousncsisioxstructures AT danʹkova kineticofphotoluminescenceofporousncsisioxstructures AT indutnyiiz kineticofphotoluminescenceofporousncsisioxstructures AT šepelâvyipe kineticofphotoluminescenceofporousncsisioxstructures |