Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор)

• Опубліковано в: : Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Дата: 2013
• Автори: Саченко, А.В., Беляев, А.Е., Болтовец, Н.С., Конакова, Р.В., Шеремет, В.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116724
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор) / А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.Н. Шеремет // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 5-29. — Бібліогр.: 64 назв. — рос.

Обобщен цикл экспериментальных и теоретических исследований температурных зависимостей удельного контактного сопротивления ρс(Т) омических контактов к широкозонным полупроводникам А3В5 и к кремнию с учетом атермического воздействия микроволнового излучения. На основе теоретического анализа ρс(Т) пре...