Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках

• Published in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Date: 2013
• Main Authors: Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116726
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 54-59. — Бібліогр.: 20 назв. — укр.

Розглянуто фізичні чинники, що забезпечують появу анізотропії термоЕРС у багатодолинних напівпровідниках за умов направленої пружної деформації, а також зв’язки, які існують між параметрами анізотропії термоЕРС. This work devoted to consideration of the physical factors which provide the appearance of the anisotropy of thermoelectromotive in the multivalley semiconductors in a conditions of the directed elastic deformation, as well as to establishment of the bond that exists between the parameters of the anisotropy of thermoelectromotive and the anisotropy of mobility