Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках
Розглянуто фізичні чинники, що забезпечують появу анізотропії термоЕРС у багатодолинних напівпровідниках за умов направленої пружної деформації, а також зв’язки, які існують між параметрами анізотропії термоЕРС. This work devoted to consideration of the physical factors which provide the appearance...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Authors: | Баранський, П.І., Гайдар, Г.П. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116726 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 54-59. — Бібліогр.: 20 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2012) -
До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках
by: Гайдар, Г.П.
Published: (2022) -
Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2014) -
Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2014) -
Вплив умов помелу у водні на фазовий склад та анізотропію сплаву SmCo₄,₈Zr₀,₂
by: Булик, І.І., et al.
Published: (2015)