Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу

• Опубліковано в: : Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Дата: 2013
• Автори: Вакарюк, Т.Є., Громовой, Ю.С., Данько, В.А., Дорожинський, Г.В., Зиньо, С.А., Індутний, І.З., Самойлов, А.В., Ушенін, Ю.В., Христосенко, Р.В., Шепелявий, П.Є.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116731
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу / Т.Є. Вакарюк, Ю.С. Громовой, В.А. Данько, Г.В. Дорожинський, С.А. Зиньо, І.З. Індутний, А.В. Самойлов, Ю.В. Ушенін, Р.В. Христосенко, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 89-95. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.

Наведено результати досліджень використання поруватих шарів SiOx, отриманих за допомогою термічного осадження у вакуумі під ковзним кутом, у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу (ППР). Характеристики таких плівок вивчено за допомогою оптичних та електронно-мікроскопічних методів, прод...