Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si

Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196–353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т < 300 °С ) температурах осадження аморфних шарів a-SiCN на кристалічні підкладки с-Si з дірковим типом провідності. З’яс...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Datum:2013
Hauptverfasser: Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Іващенко, В.І., Порада, О.К., Козак, А.О., Ткачук, А.І., Ворощенко, А.Т.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116732
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, В.І. Іващенко, О.К. Порада, А.О. Козак, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 96-104. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116732
record_format dspace
spelling Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В.
Іващенко, В.І.
Порада, О.К.
Козак, А.О.
Ткачук, А.І.
Ворощенко, А.Т.
2017-05-14T14:48:37Z
2017-05-14T14:48:37Z
2013
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, В.І. Іващенко, О.К. Порада, А.О. Козак, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 96-104. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.
0233-7577
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116732
621.315.592
Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196–353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т < 300 °С ) температурах осадження аморфних шарів a-SiCN на кристалічні підкладки с-Si з дірковим типом провідності. З’ясовано роль гетеромежі у механізмах перенесення зяряду та фоточутливості гетеропереходів. Виконано оцінки основних електрофізичних параметрів шарів a-SiCN. Показано, що прямі ВАХ пояснюються у межах теорії монополярної інжекції з рівномірним розпод ілом пасток за енергією. Зворотні ВАХ зумовлені вкладом генераційно-рекомбінаційної та тунельно-рекомбінаційної компонент. Фоточутливість гетеропереходів поясню ється локалізацією активної області виключно в p-Si.
The dominant mechanisms of charge transport are established in heterojunctions a-SiCN/c-Si in the temperature range 196-353 K which were produced by plasma chemical method deposition of amorphous layers of SiCN on p-type single crystal Si substrates with a hole type conductivity at relatively low (T < 300 °C) temperature. The role of the heterointerface in the mechanisms of charge transport and photosensitivity of heterojunctions is investigated. The basic electrical parameters of a-SiCN layers are estimated. It is shown that the direct current-voltage characteristics are explained by unipolar injection of electrons for a uniform distribution of traps in the gap. The reverse characteristics are determined by contribution of thermal generation and tunnel-recombination current. Photosensitive region of the heterojunctions is shown to be exclusively localized in p-Si.
uk
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
Electrical and photoelectrical properties of a-SiCN/c-Si heterojunctions
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
spellingShingle Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В.
Іващенко, В.І.
Порада, О.К.
Козак, А.О.
Ткачук, А.І.
Ворощенко, А.Т.
title_short Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
title_full Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
title_fullStr Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
title_full_unstemmed Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
title_sort електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-sicn/c-si
author Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В.
Іващенко, В.І.
Порада, О.К.
Козак, А.О.
Ткачук, А.І.
Ворощенко, А.Т.
author_facet Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В.
Іващенко, В.І.
Порада, О.К.
Козак, А.О.
Ткачук, А.І.
Ворощенко, А.Т.
publishDate 2013
language Ukrainian
container_title Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Electrical and photoelectrical properties of a-SiCN/c-Si heterojunctions
description Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196–353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т < 300 °С ) температурах осадження аморфних шарів a-SiCN на кристалічні підкладки с-Si з дірковим типом провідності. З’ясовано роль гетеромежі у механізмах перенесення зяряду та фоточутливості гетеропереходів. Виконано оцінки основних електрофізичних параметрів шарів a-SiCN. Показано, що прямі ВАХ пояснюються у межах теорії монополярної інжекції з рівномірним розпод ілом пасток за енергією. Зворотні ВАХ зумовлені вкладом генераційно-рекомбінаційної та тунельно-рекомбінаційної компонент. Фоточутливість гетеропереходів поясню ється локалізацією активної області виключно в p-Si. The dominant mechanisms of charge transport are established in heterojunctions a-SiCN/c-Si in the temperature range 196-353 K which were produced by plasma chemical method deposition of amorphous layers of SiCN on p-type single crystal Si substrates with a hole type conductivity at relatively low (T < 300 °C) temperature. The role of the heterointerface in the mechanisms of charge transport and photosensitivity of heterojunctions is investigated. The basic electrical parameters of a-SiCN layers are estimated. It is shown that the direct current-voltage characteristics are explained by unipolar injection of electrons for a uniform distribution of traps in the gap. The reverse characteristics are determined by contribution of thermal generation and tunnel-recombination current. Photosensitive region of the heterojunctions is shown to be exclusively localized in p-Si.
issn 0233-7577
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116732
citation_txt Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, В.І. Іващенко, О.К. Порада, А.О. Козак, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 96-104. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT sukačav električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi
AT tetʹorkínvv električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi
AT ívaŝenkoví električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi
AT poradaok električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi
AT kozakao električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi
AT tkačukaí električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi
AT voroŝenkoat električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi
AT sukačav electricalandphotoelectricalpropertiesofasicncsiheterojunctions
AT tetʹorkínvv electricalandphotoelectricalpropertiesofasicncsiheterojunctions
AT ívaŝenkoví electricalandphotoelectricalpropertiesofasicncsiheterojunctions
AT poradaok electricalandphotoelectricalpropertiesofasicncsiheterojunctions
AT kozakao electricalandphotoelectricalpropertiesofasicncsiheterojunctions
AT tkačukaí electricalandphotoelectricalpropertiesofasicncsiheterojunctions
AT voroŝenkoat electricalandphotoelectricalpropertiesofasicncsiheterojunctions
first_indexed 2025-12-07T16:00:05Z
last_indexed 2025-12-07T16:00:05Z
_version_ 1850865829928763392

Ähnliche Einträge