Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196–353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т < 300 °С ) температурах осадження аморфних шарів a-SiCN на кристалічні підкладки с-Si з дірковим типом провідності....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116732 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, В.І. Іващенко, О.К. Порада, А.О. Козак, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 96-104. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862685224610037760 |
|---|---|
| author | Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Іващенко, В.І. Порада, О.К. Козак, А.О. Ткачук, А.І. Ворощенко, А.Т. |
| author_facet | Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Іващенко, В.І. Порада, О.К. Козак, А.О. Ткачук, А.І. Ворощенко, А.Т. |
| citation_txt | Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, В.І. Іващенко, О.К. Порада, А.О. Козак, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 96-104. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196–353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т < 300 °С ) температурах осадження аморфних шарів a-SiCN на кристалічні підкладки с-Si з дірковим типом провідності. З’ясовано роль гетеромежі у механізмах перенесення зяряду та фоточутливості гетеропереходів. Виконано оцінки основних електрофізичних параметрів шарів a-SiCN. Показано, що прямі ВАХ пояснюються у межах теорії монополярної інжекції з рівномірним розпод ілом пасток за енергією. Зворотні ВАХ зумовлені вкладом генераційно-рекомбінаційної та тунельно-рекомбінаційної компонент. Фоточутливість гетеропереходів поясню ється локалізацією активної області виключно в p-Si.
The dominant mechanisms of charge transport are established in heterojunctions a-SiCN/c-Si in the temperature range 196-353 K which were produced by plasma chemical method deposition of amorphous layers of SiCN on p-type single crystal Si substrates with a hole type conductivity at relatively low (T < 300 °C) temperature. The role of the heterointerface in the mechanisms of charge transport and photosensitivity of heterojunctions is investigated. The basic electrical parameters of a-SiCN layers are estimated. It is shown that the direct current-voltage characteristics are explained by unipolar injection of electrons for a uniform distribution of traps in the gap. The reverse characteristics are determined by contribution of thermal generation and tunnel-recombination current. Photosensitive region of the heterojunctions is shown to be exclusively localized in p-Si.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:00:05Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116732 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:00:05Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Іващенко, В.І. Порада, О.К. Козак, А.О. Ткачук, А.І. Ворощенко, А.Т. 2017-05-14T14:48:37Z 2017-05-14T14:48:37Z 2013 Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, В.І. Іващенко, О.К. Порада, А.О. Козак, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 96-104. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116732 621.315.592 Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196–353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т < 300 °С ) температурах осадження аморфних шарів a-SiCN на кристалічні підкладки с-Si з дірковим типом провідності. З’ясовано роль гетеромежі у механізмах перенесення зяряду та фоточутливості гетеропереходів. Виконано оцінки основних електрофізичних параметрів шарів a-SiCN. Показано, що прямі ВАХ пояснюються у межах теорії монополярної інжекції з рівномірним розпод ілом пасток за енергією. Зворотні ВАХ зумовлені вкладом генераційно-рекомбінаційної та тунельно-рекомбінаційної компонент. Фоточутливість гетеропереходів поясню ється локалізацією активної області виключно в p-Si. The dominant mechanisms of charge transport are established in heterojunctions a-SiCN/c-Si in the temperature range 196-353 K which were produced by plasma chemical method deposition of amorphous layers of SiCN on p-type single crystal Si substrates with a hole type conductivity at relatively low (T < 300 °C) temperature. The role of the heterointerface in the mechanisms of charge transport and photosensitivity of heterojunctions is investigated. The basic electrical parameters of a-SiCN layers are estimated. It is shown that the direct current-voltage characteristics are explained by unipolar injection of electrons for a uniform distribution of traps in the gap. The reverse characteristics are determined by contribution of thermal generation and tunnel-recombination current. Photosensitive region of the heterojunctions is shown to be exclusively localized in p-Si. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si Electrical and photoelectrical properties of a-SiCN/c-Si heterojunctions Article published earlier |
| spellingShingle | Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Іващенко, В.І. Порада, О.К. Козак, А.О. Ткачук, А.І. Ворощенко, А.Т. |
| title | Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si |
| title_alt | Electrical and photoelectrical properties of a-SiCN/c-Si heterojunctions |
| title_full | Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si |
| title_fullStr | Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si |
| title_full_unstemmed | Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si |
| title_short | Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si |
| title_sort | електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-sicn/c-si |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116732 |
| work_keys_str_mv | AT sukačav električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi AT tetʹorkínvv električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi AT ívaŝenkoví električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi AT poradaok električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi AT kozakao električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi AT tkačukaí električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi AT voroŝenkoat električnítafotoelektričnívlastivostígeteroperehodívasicncsi AT sukačav electricalandphotoelectricalpropertiesofasicncsiheterojunctions AT tetʹorkínvv electricalandphotoelectricalpropertiesofasicncsiheterojunctions AT ívaŝenkoví electricalandphotoelectricalpropertiesofasicncsiheterojunctions AT poradaok electricalandphotoelectricalpropertiesofasicncsiheterojunctions AT kozakao electricalandphotoelectricalpropertiesofasicncsiheterojunctions AT tkačukaí electricalandphotoelectricalpropertiesofasicncsiheterojunctions AT voroŝenkoat electricalandphotoelectricalpropertiesofasicncsiheterojunctions |