Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si

• Veröffentlicht in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Datum: 2013
• Hauptverfasser: Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Іващенко, В.І., Порада, О.К., Козак, А.О., Ткачук, А.І., Ворощенко, А.Т.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116732
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, В.І. Іващенко, О.К. Порада, А.О. Козак, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 96-104. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.

Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196–353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т < 300 °С ) температурах осадження аморфних шарів a-SiCN на кристалічні підкладки с-Si з дірковим типом провідності. З’яс...