Зображення обкладинки

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si

Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196–353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т < 300 °С ) температурах осадження аморфних шарів a-SiCN на кристалічні підкладки с-Si з дірковим типом провідності. З’яс...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Дата:	2013
Автори:	Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Іващенко, В.І., Порада, О.К., Козак, А.О., Ткачук, А.І., Ворощенко, А.Т.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116732
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, В.І. Іващенко, О.К. Порада, А.О. Козак, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 96-104. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Тверді плазмохімічні a-SiCN-покриття
за авторством: Порада, О.К., та інші
Опубліковано: (2016)

Hard plasmachemical a-SiCN coatings
за авторством: O. K. Porada, та інші
Опубліковано: (2016)

Влияние отжига на структуру и механические свойства плазмохимических SiCN-пленок из гексаметилдисилазана
за авторством: Порада, А.К., та інші
Опубліковано: (2010)

Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
за авторством: Круковський, C.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)

Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si
за авторством: Солован, М.М., та інші
Опубліковано: (2019)

Електричні властивості структур In/p-PbTe
за авторством: Маланич, Г.П., та інші
Опубліковано: (2012)

Electrical and photoelectrical properties of a-SICN/c-SI heterojunctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013)

Порівняльні дослідження плазмохемічних плівок SіCN, одержаних із різних прекурсорів
за авторством: Іващенко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку
за авторством: Оленич, І.Б.
Опубліковано: (2016)

Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
за авторством: Круковський, С.І., та інші
Опубліковано: (2011)

Вплив потоку азоту на властивості тонких аморфних Si–C–N-плівок, отриманих магнетронним розпиленням
за авторством: Козак, А.О., та інші
Опубліковано: (2015)

Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)

InSb фотодіоди (Огляд. Частина I)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)

InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)

Фотоелектричні станції як елемент енергоефективного електропостачання
за авторством: Лежнюк, Петро Дем'янович, та інші
Опубліковано: (2020)

Плазмохімічне устаткування для осадження нанокомпозитних наношаруватих плівок
за авторством: Порада, О.К., та інші
Опубліковано: (2019)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ, ВИГОТОВЛЕНИХ НА ІОННО ТРАВЛЕНИХ ПОВЕРХНЯХ КРЕМНІЮ
за авторством: Житарюк, В. Г., та інші
Опубліковано: (2013)

Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію
за авторством: Житарюк, В.Г., та інші
Опубліковано: (2009)

Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF
за авторством: Данько, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si, MoSi₂/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия
за авторством: Пеньков, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)

Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур
за авторством: Михайловская, Е.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H
за авторством: Иващенко, В.И., та інші
Опубліковано: (2010)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Селективная спектроскопия примесных ионов Pr³⁺ в кристаллах Y₂SiO₅ , Gd₂SiO₅ , Lu₂SiO₅
за авторством: Малюкин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2000)

Микроскопическая природа оптических центров Pr³⁺ в кристаллах Y₂SiO₅, Lu₂SiO₅, Gd₂SiO₅
за авторством: Малюкин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2002)

Эволюция структуры многослойных рентгеновских зеркал Si/Mg₂Si при термическом воздействии
за авторством: Конотопский, Л.Е., та інші
Опубліковано: (2016)

Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)

Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)

Рентгенографический анализ периодических пленочных композиций W/Si
за авторством: Решетняк, Е.Н., та інші
Опубліковано: (2003)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
за авторством: Войцеховский, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Структурні, електричні та магнеторезистивні властивості заміщених стронцієм манганітів лантану
за авторством: Полек, Т.І., та інші
Опубліковано: (2015)

Магнитные возбуждения в Ni(C₂H₈N₂)₂Ni(CN)₄
за авторством: Звягин, С.А., та інші
Опубліковано: (1995)

Numerical simulation of thermal behavior and optimization of a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si hit solar cell at high temperatures
за авторством: Ganji, J.
Опубліковано: (2017)

NUMERICAL SIMULATION OF THERMAL BEHAVIOR AND OPTIMIZATION OF a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si HIT SOLAR CELL AT HIGH TEMPERATURES
за авторством: Ganji, Jabbar
Опубліковано: (2017)

Проявление квазисимметрии катионных узлов Gd₂SiO₅, ₂SiO₅ и Lu₂SiO₅ в спектрах примесного иона Pr³⁺
за авторством: Малюкин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2001)

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)