Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації
Коротко проаналізовано основні механізми дії акустичної хвилі (АХ) при іонній імплантації на перерозподіл домішок і дефектну структуру напівпровідникового кристала. На експериментальних прикладах показано, що здебільшого дія АХ не виявляється в процесі імплантації, а є відкладеною. Роль АХ в окремих...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116734 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації / Я.М. Оліх // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 113-120. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862707804408643584 |
|---|---|
| author | Оліх, Я.М. |
| author_facet | Оліх, Я.М. |
| citation_txt | Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації / Я.М. Оліх // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 113-120. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Коротко проаналізовано основні механізми дії акустичної хвилі (АХ) при іонній імплантації на перерозподіл домішок і дефектну структуру напівпровідникового кристала. На експериментальних прикладах показано, що здебільшого дія АХ не виявляється в процесі імплантації, а є відкладеною. Роль АХ в окремих експериментальних умовах є особливою, інтелектуальною, і зводиться до інформаційної модуляції процесів релаксації енергетично збудженої нерівноважної структури дефектів та утворення просторово-динамічної матриці об’єму, яка може запам’ятовуватися. Запропоновано доповнити традиційні механізми дії АХ на процеси релаксації структури дефектів кристала інформаційним з урахуванням реалізації дисипативного резонансу в системі домішково-дефектної структури, механізм якого забезпечує не тільки накопичення зовнішнього акустичного збурення з часом, а й стимулює просторову самоорганізацію точкових дефектів напівпровідникового кристала.
The short analysis of basic mechanisms of acoustic wave (AW) action at ionic implantation on the redistribution of impurities and defect structure of semiconductor crystal is conducted. On experimental examples were showed that action results of AW does not appear in the process of implantation, mainly, but is delayed. The action of AW in separate experimental conditions is the special, intellectual, and take to informative modulation a relaxation processes of power disturbance non-equilibrium structure of defects and formation of spatially-dynamic matrix, which can be memorized. It is suggested to complement the traditional mechanisms of action AW on the relaxation processes of crystal defect structure the informative. Such approach take into account a new possibility a realization of dissipation resonance in the system of impurity-defect structures; the mechanism of which provides not only the accumulation of external acoustic perturburation in time out, but stimulates a spatial self-organization of point defects in semiconductor crystal.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:07:30Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116734 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:07:30Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Оліх, Я.М. 2017-05-14T14:48:50Z 2017-05-14T14:48:50Z 2013 Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації / Я.М. Оліх // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 113-120. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116734 537.534.2:679.826; 621.315.592 Коротко проаналізовано основні механізми дії акустичної хвилі (АХ) при іонній імплантації на перерозподіл домішок і дефектну структуру напівпровідникового кристала. На експериментальних прикладах показано, що здебільшого дія АХ не виявляється в процесі імплантації, а є відкладеною. Роль АХ в окремих експериментальних умовах є особливою, інтелектуальною, і зводиться до інформаційної модуляції процесів релаксації енергетично збудженої нерівноважної структури дефектів та утворення просторово-динамічної матриці об’єму, яка може запам’ятовуватися. Запропоновано доповнити традиційні механізми дії АХ на процеси релаксації структури дефектів кристала інформаційним з урахуванням реалізації дисипативного резонансу в системі домішково-дефектної структури, механізм якого забезпечує не тільки накопичення зовнішнього акустичного збурення з часом, а й стимулює просторову самоорганізацію точкових дефектів напівпровідникового кристала. The short analysis of basic mechanisms of acoustic wave (AW) action at ionic implantation on the redistribution of impurities and defect structure of semiconductor crystal is conducted. On experimental examples were showed that action results of AW does not appear in the process of implantation, mainly, but is delayed. The action of AW in separate experimental conditions is the special, intellectual, and take to informative modulation a relaxation processes of power disturbance non-equilibrium structure of defects and formation of spatially-dynamic matrix, which can be memorized. It is suggested to complement the traditional mechanisms of action AW on the relaxation processes of crystal defect structure the informative. Such approach take into account a new possibility a realization of dissipation resonance in the system of impurity-defect structures; the mechanism of which provides not only the accumulation of external acoustic perturburation in time out, but stimulates a spatial self-organization of point defects in semiconductor crystal. Роботу виконано за часткової підтримки ДЦНТП «Нанотехнології та наноматеріали» (проект №3.5.1.30). uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації About ultrasound-stimulated a self-organization of defect structures in semiconductors during ion implantation Article published earlier |
| spellingShingle | Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації Оліх, Я.М. |
| title | Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації |
| title_alt | About ultrasound-stimulated a self-organization of defect structures in semiconductors during ion implantation |
| title_full | Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації |
| title_fullStr | Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації |
| title_full_unstemmed | Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації |
| title_short | Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації |
| title_sort | про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116734 |
| work_keys_str_mv | AT olíhâm proakustostimulʹovanusamoorganízacíûdefektnodomíškovihstrukturnapívprovídnikavprocesíionnoímplantacíí AT olíhâm aboutultrasoundstimulatedaselforganizationofdefectstructuresinsemiconductorsduringionimplantation |