Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації
Коротко проаналізовано основні механізми дії акустичної хвилі (АХ) при іонній імплантації на перерозподіл домішок і дефектну структуру напівпровідникового кристала. На експериментальних прикладах показано, що здебільшого дія АХ не виявляється в процесі імплантації, а є відкладеною. Роль АХ в окремих...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116734 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації / Я.М. Оліх // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 113-120. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116734 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Оліх, Я.М. 2017-05-14T14:48:50Z 2017-05-14T14:48:50Z 2013 Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації / Я.М. Оліх // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 113-120. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116734 537.534.2:679.826; 621.315.592 Коротко проаналізовано основні механізми дії акустичної хвилі (АХ) при іонній імплантації на перерозподіл домішок і дефектну структуру напівпровідникового кристала. На експериментальних прикладах показано, що здебільшого дія АХ не виявляється в процесі імплантації, а є відкладеною. Роль АХ в окремих експериментальних умовах є особливою, інтелектуальною, і зводиться до інформаційної модуляції процесів релаксації енергетично збудженої нерівноважної структури дефектів та утворення просторово-динамічної матриці об’єму, яка може запам’ятовуватися. Запропоновано доповнити традиційні механізми дії АХ на процеси релаксації структури дефектів кристала інформаційним з урахуванням реалізації дисипативного резонансу в системі домішково-дефектної структури, механізм якого забезпечує не тільки накопичення зовнішнього акустичного збурення з часом, а й стимулює просторову самоорганізацію точкових дефектів напівпровідникового кристала. The short analysis of basic mechanisms of acoustic wave (AW) action at ionic implantation on the redistribution of impurities and defect structure of semiconductor crystal is conducted. On experimental examples were showed that action results of AW does not appear in the process of implantation, mainly, but is delayed. The action of AW in separate experimental conditions is the special, intellectual, and take to informative modulation a relaxation processes of power disturbance non-equilibrium structure of defects and formation of spatially-dynamic matrix, which can be memorized. It is suggested to complement the traditional mechanisms of action AW on the relaxation processes of crystal defect structure the informative. Such approach take into account a new possibility a realization of dissipation resonance in the system of impurity-defect structures; the mechanism of which provides not only the accumulation of external acoustic perturburation in time out, but stimulates a spatial self-organization of point defects in semiconductor crystal. Роботу виконано за часткової підтримки ДЦНТП «Нанотехнології та наноматеріали» (проект №3.5.1.30). uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації About ultrasound-stimulated a self-organization of defect structures in semiconductors during ion implantation Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації |
| spellingShingle |
Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації Оліх, Я.М. |
| title_short |
Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації |
| title_full |
Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації |
| title_fullStr |
Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації |
| title_full_unstemmed |
Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації |
| title_sort |
про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації |
| author |
Оліх, Я.М. |
| author_facet |
Оліх, Я.М. |
| publishDate |
2013 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
About ultrasound-stimulated a self-organization of defect structures in semiconductors during ion implantation |
| description |
Коротко проаналізовано основні механізми дії акустичної хвилі (АХ) при іонній імплантації на перерозподіл домішок і дефектну структуру напівпровідникового кристала. На експериментальних прикладах показано, що здебільшого дія АХ не виявляється в процесі імплантації, а є відкладеною. Роль АХ в окремих експериментальних умовах є особливою, інтелектуальною, і зводиться до інформаційної модуляції процесів релаксації енергетично збудженої нерівноважної структури дефектів та утворення просторово-динамічної матриці об’єму, яка може запам’ятовуватися. Запропоновано доповнити традиційні механізми дії АХ на процеси релаксації структури дефектів кристала інформаційним з урахуванням реалізації дисипативного резонансу в системі домішково-дефектної структури, механізм якого забезпечує не тільки накопичення зовнішнього акустичного збурення з часом, а й стимулює просторову самоорганізацію точкових дефектів напівпровідникового кристала.
The short analysis of basic mechanisms of acoustic wave (AW) action at ionic implantation on the redistribution of impurities and defect structure of semiconductor crystal is conducted. On experimental examples were showed that action results of AW does not appear in the process of implantation, mainly, but is delayed. The action of AW in separate experimental conditions is the special, intellectual, and take to informative modulation a relaxation processes of power disturbance non-equilibrium structure of defects and formation of spatially-dynamic matrix, which can be memorized. It is suggested to complement the traditional mechanisms of action AW on the relaxation processes of crystal defect structure the informative. Such approach take into account a new possibility a realization of dissipation resonance in the system of impurity-defect structures; the mechanism of which provides not only the accumulation of external acoustic perturburation in time out, but stimulates a spatial self-organization of point defects in semiconductor crystal.
|
| issn |
0233-7577 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116734 |
| citation_txt |
Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації / Я.М. Оліх // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 113-120. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT olíhâm proakustostimulʹovanusamoorganízacíûdefektnodomíškovihstrukturnapívprovídnikavprocesíionnoímplantacíí AT olíhâm aboutultrasoundstimulatedaselforganizationofdefectstructuresinsemiconductorsduringionimplantation |
| first_indexed |
2025-12-07T17:07:30Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:07:30Z |
| _version_ |
1850870071948214272 |