Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe

Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe

Методом гарячої стінки виготовлено полікристалічні сандвічструктури p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTе на сіталових підкладках. Показано, що при використанні сильно легованого PbTе на гетеромежі p⁺-PbTe/p-CdTe не утворюється потенціальний бар’єр, тому можна формувати омічні гетероконтакти типу метал–p⁺-PbTe/p-C...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Datum:2013
Hauptverfasser: Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Ткачук, А.І., Ворощенко, А.Т., Кравецький, М.Ю., Луцишин, І.Г.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116736
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 130-135. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116736
record_format dspace
spelling Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В.
Ткачук, А.І.
Ворощенко, А.Т.
Кравецький, М.Ю.
Луцишин, І.Г.
2017-05-14T14:49:03Z
2017-05-14T14:49:03Z
2013
Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 130-135. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.
0233-7577
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116736
621.315.592
Методом гарячої стінки виготовлено полікристалічні сандвічструктури p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTе на сіталових підкладках. Показано, що при використанні сильно легованого PbTе на гетеромежі p⁺-PbTe/p-CdTe не утворюється потенціальний бар’єр, тому можна формувати омічні гетероконтакти типу метал–p⁺-PbTe/p-CdTe. ВАХ таких контактів зумовлена монополярною інжекцією дірок із p⁺-PbTe. Досліджено вертикальний та латеральний транспорт носіїв заряду і визначено енергії активації темнового струму. Латеральний транспорт пояснюється наявністю потенціального бар’єра на міжзеренній межі у полікристалічних шарах p-CdTe. При цьому механізм перенесення заряду є термоемісійним. Виконано оцінку висоти потенц іального бар’єра, яка становила ~ 0,1 еВ за кімнатної температури.
Polycrystalline sandwich structures p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe were prepared by a hot wall technique on glassceramic substrates. It is shown that potential barrier at the p⁺-PbTe/p-CdTe interface is not formed in the case of usage of heavily doped lead telluride. That allows one to create ohmic heterocontact of «metal-p⁺-PbTe/p-CdTe» type. The current-voltage characteristics of such contacts is determined by unipolar injection of holes from the p⁺-PbTe into cadmium telluride. The vertical and lateral transport of carriers is investigated in p-CdTe and the activation energy of the dark conductivity is determined. The lateral transport is explained by presence of potential barriers at the grain boundaries. The mechanism of carrier transport is thermionic emission. The potential barrier height is estimated to be ~ 0,1 eV at room temperature.
uk
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
Carrier transport mechanisms in polycrystalline sandwich structures p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
spellingShingle Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В.
Ткачук, А.І.
Ворощенко, А.Т.
Кравецький, М.Ю.
Луцишин, І.Г.
title_short Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
title_full Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
title_fullStr Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
title_full_unstemmed Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
title_sort механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-pbte/p-cdte/p⁺-pbte
author Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В.
Ткачук, А.І.
Ворощенко, А.Т.
Кравецький, М.Ю.
Луцишин, І.Г.
author_facet Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В.
Ткачук, А.І.
Ворощенко, А.Т.
Кравецький, М.Ю.
Луцишин, І.Г.
publishDate 2013
language Ukrainian
container_title Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Carrier transport mechanisms in polycrystalline sandwich structures p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
description Методом гарячої стінки виготовлено полікристалічні сандвічструктури p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTе на сіталових підкладках. Показано, що при використанні сильно легованого PbTе на гетеромежі p⁺-PbTe/p-CdTe не утворюється потенціальний бар’єр, тому можна формувати омічні гетероконтакти типу метал–p⁺-PbTe/p-CdTe. ВАХ таких контактів зумовлена монополярною інжекцією дірок із p⁺-PbTe. Досліджено вертикальний та латеральний транспорт носіїв заряду і визначено енергії активації темнового струму. Латеральний транспорт пояснюється наявністю потенціального бар’єра на міжзеренній межі у полікристалічних шарах p-CdTe. При цьому механізм перенесення заряду є термоемісійним. Виконано оцінку висоти потенц іального бар’єра, яка становила ~ 0,1 еВ за кімнатної температури. Polycrystalline sandwich structures p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe were prepared by a hot wall technique on glassceramic substrates. It is shown that potential barrier at the p⁺-PbTe/p-CdTe interface is not formed in the case of usage of heavily doped lead telluride. That allows one to create ohmic heterocontact of «metal-p⁺-PbTe/p-CdTe» type. The current-voltage characteristics of such contacts is determined by unipolar injection of holes from the p⁺-PbTe into cadmium telluride. The vertical and lateral transport of carriers is investigated in p-CdTe and the activation energy of the dark conductivity is determined. The lateral transport is explained by presence of potential barriers at the grain boundaries. The mechanism of carrier transport is thermionic emission. The potential barrier height is estimated to be ~ 0,1 eV at room temperature.
issn 0233-7577
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116736
citation_txt Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 130-135. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT sukačav mehanízmiperenesennâzarâduvpolíkristalíčnihsandvíčstrukturahppbtepcdteppbte
AT tetʹorkínvv mehanízmiperenesennâzarâduvpolíkristalíčnihsandvíčstrukturahppbtepcdteppbte
AT tkačukaí mehanízmiperenesennâzarâduvpolíkristalíčnihsandvíčstrukturahppbtepcdteppbte
AT voroŝenkoat mehanízmiperenesennâzarâduvpolíkristalíčnihsandvíčstrukturahppbtepcdteppbte
AT kravecʹkiimû mehanízmiperenesennâzarâduvpolíkristalíčnihsandvíčstrukturahppbtepcdteppbte
AT lucišiníg mehanízmiperenesennâzarâduvpolíkristalíčnihsandvíčstrukturahppbtepcdteppbte
AT sukačav carriertransportmechanismsinpolycrystallinesandwichstructuresppbtepcdteppbte
AT tetʹorkínvv carriertransportmechanismsinpolycrystallinesandwichstructuresppbtepcdteppbte
AT tkačukaí carriertransportmechanismsinpolycrystallinesandwichstructuresppbtepcdteppbte
AT voroŝenkoat carriertransportmechanismsinpolycrystallinesandwichstructuresppbtepcdteppbte
AT kravecʹkiimû carriertransportmechanismsinpolycrystallinesandwichstructuresppbtepcdteppbte
AT lucišiníg carriertransportmechanismsinpolycrystallinesandwichstructuresppbtepcdteppbte
first_indexed 2025-12-07T16:12:58Z
last_indexed 2025-12-07T16:12:58Z
_version_ 1850866641182654464

Ähnliche Einträge