Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
Методом гарячої стінки виготовлено полікристалічні сандвічструктури p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTе на сіталових підкладках. Показано, що при використанні сильно легованого PbTе на гетеромежі p⁺-PbTe/p-CdTe не утворюється потенціальний бар’єр, тому можна формувати омічні гетероконтакти типу метал–p⁺-PbTe/p-C...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116736 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 130-135. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862690197371617280 |
|---|---|
| author | Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ткачук, А.І. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Луцишин, І.Г. |
| author_facet | Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ткачук, А.І. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Луцишин, І.Г. |
| citation_txt | Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 130-135. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Методом гарячої стінки виготовлено полікристалічні сандвічструктури p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTе на сіталових підкладках. Показано, що при використанні сильно легованого PbTе на гетеромежі p⁺-PbTe/p-CdTe не утворюється потенціальний бар’єр, тому можна формувати омічні гетероконтакти типу метал–p⁺-PbTe/p-CdTe. ВАХ таких контактів зумовлена монополярною інжекцією дірок із p⁺-PbTe. Досліджено вертикальний та латеральний транспорт носіїв заряду і визначено енергії активації темнового струму. Латеральний транспорт пояснюється наявністю потенціального бар’єра на міжзеренній межі у полікристалічних шарах p-CdTe. При цьому механізм перенесення заряду є термоемісійним. Виконано оцінку висоти потенц іального бар’єра, яка становила ~ 0,1 еВ за кімнатної температури.
Polycrystalline sandwich structures p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe were prepared by a hot wall technique on glassceramic substrates. It is shown that potential barrier at the p⁺-PbTe/p-CdTe interface is not formed in the case of usage of heavily doped lead telluride. That allows one to create ohmic heterocontact of «metal-p⁺-PbTe/p-CdTe» type. The current-voltage characteristics of such contacts is determined by unipolar injection of holes from the p⁺-PbTe into cadmium telluride. The vertical and lateral transport of carriers is investigated in p-CdTe and the activation energy of the dark conductivity is determined. The lateral transport is explained by presence of potential barriers at the grain boundaries. The mechanism of carrier transport is thermionic emission. The potential barrier height is estimated to be ~ 0,1 eV at room temperature.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:12:58Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116736 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:12:58Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ткачук, А.І. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Луцишин, І.Г. 2017-05-14T14:49:03Z 2017-05-14T14:49:03Z 2013 Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 130-135. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116736 621.315.592 Методом гарячої стінки виготовлено полікристалічні сандвічструктури p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTе на сіталових підкладках. Показано, що при використанні сильно легованого PbTе на гетеромежі p⁺-PbTe/p-CdTe не утворюється потенціальний бар’єр, тому можна формувати омічні гетероконтакти типу метал–p⁺-PbTe/p-CdTe. ВАХ таких контактів зумовлена монополярною інжекцією дірок із p⁺-PbTe. Досліджено вертикальний та латеральний транспорт носіїв заряду і визначено енергії активації темнового струму. Латеральний транспорт пояснюється наявністю потенціального бар’єра на міжзеренній межі у полікристалічних шарах p-CdTe. При цьому механізм перенесення заряду є термоемісійним. Виконано оцінку висоти потенц іального бар’єра, яка становила ~ 0,1 еВ за кімнатної температури. Polycrystalline sandwich structures p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe were prepared by a hot wall technique on glassceramic substrates. It is shown that potential barrier at the p⁺-PbTe/p-CdTe interface is not formed in the case of usage of heavily doped lead telluride. That allows one to create ohmic heterocontact of «metal-p⁺-PbTe/p-CdTe» type. The current-voltage characteristics of such contacts is determined by unipolar injection of holes from the p⁺-PbTe into cadmium telluride. The vertical and lateral transport of carriers is investigated in p-CdTe and the activation energy of the dark conductivity is determined. The lateral transport is explained by presence of potential barriers at the grain boundaries. The mechanism of carrier transport is thermionic emission. The potential barrier height is estimated to be ~ 0,1 eV at room temperature. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe Carrier transport mechanisms in polycrystalline sandwich structures p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe Article published earlier |
| spellingShingle | Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ткачук, А.І. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Луцишин, І.Г. |
| title | Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe |
| title_alt | Carrier transport mechanisms in polycrystalline sandwich structures p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe |
| title_full | Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe |
| title_fullStr | Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe |
| title_full_unstemmed | Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe |
| title_short | Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe |
| title_sort | механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-pbte/p-cdte/p⁺-pbte |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116736 |
| work_keys_str_mv | AT sukačav mehanízmiperenesennâzarâduvpolíkristalíčnihsandvíčstrukturahppbtepcdteppbte AT tetʹorkínvv mehanízmiperenesennâzarâduvpolíkristalíčnihsandvíčstrukturahppbtepcdteppbte AT tkačukaí mehanízmiperenesennâzarâduvpolíkristalíčnihsandvíčstrukturahppbtepcdteppbte AT voroŝenkoat mehanízmiperenesennâzarâduvpolíkristalíčnihsandvíčstrukturahppbtepcdteppbte AT kravecʹkiimû mehanízmiperenesennâzarâduvpolíkristalíčnihsandvíčstrukturahppbtepcdteppbte AT lucišiníg mehanízmiperenesennâzarâduvpolíkristalíčnihsandvíčstrukturahppbtepcdteppbte AT sukačav carriertransportmechanismsinpolycrystallinesandwichstructuresppbtepcdteppbte AT tetʹorkínvv carriertransportmechanismsinpolycrystallinesandwichstructuresppbtepcdteppbte AT tkačukaí carriertransportmechanismsinpolycrystallinesandwichstructuresppbtepcdteppbte AT voroŝenkoat carriertransportmechanismsinpolycrystallinesandwichstructuresppbtepcdteppbte AT kravecʹkiimû carriertransportmechanismsinpolycrystallinesandwichstructuresppbtepcdteppbte AT lucišiníg carriertransportmechanismsinpolycrystallinesandwichstructuresppbtepcdteppbte |