Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe - Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Ткачук, А.І.; Ворощенко, А.Т.; Кравецький, М.Ю.; Луцишин, І.Г. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2013)
Методом гарячої стінки виготовлено полікристалічні сандвічструктури p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTе на сіталових підкладках. Показано, що при використанні сильно легованого PbTе на гетеромежі p⁺-PbTe/p-CdTe не утворюється потенціальний бар’єр, тому можна формувати омічні гетероконтакти типу метал–p⁺-PbTe/p-CdTe. ВАХ таких контактів зумовлена монополярною інжекцією дірок із p⁺-PbTe. Досліджено вертикальний та латеральний транспорт носіїв заряду і визначено енергії активації темнового струму. Латеральний транспорт пояснюється наявністю потенціального бар’єра на міжзеренній межі у полікристалічних шарах p-CdTe. При цьому механізм перенесення заряду є термоемісійним. Виконано оцінку висоти потенц іального бар’єра, яка становила ~ 0,1 еВ за кімнатної температури. Polycrystalline sandwich structures p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe were prepared by a hot wall technique on glassceramic substrates. It is shown that potential barrier at the p⁺-PbTe/p-CdTe interface is not formed in the case of usage of heavily doped lead telluride. That allows one to create ohmic heterocontact of «metal-p⁺-PbTe/p-CdTe» type. The current-voltage characteristics of such contacts is determined by unipolar injection of holes from the p⁺-PbTe into cadmium telluride. The vertical and lateral transport of carriers is investigated in p-CdTe and the activation energy of the dark conductivity is determined. The lateral transport is explained by presence of potential barriers at the grain boundaries. The mechanism of carrier transport is thermionic emission. The potential barrier height is estimated to be ~ 0,1 eV at room temperature.