Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния
Исследовано влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость (ФП) структур макропористого кремния (МПК). Показано, что с увеличением толщины оксидного покрытия от 3 до 15 нм отрицательная ФП уменьшается по абсолютной величине, а при толщине оксидного покрытия 30 нм наблюдается только пол...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116737 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния / Н.И. Карась // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 136-139. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862635654931808256 |
|---|---|
| author | Карась, Н.И. |
| author_facet | Карась, Н.И. |
| citation_txt | Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния / Н.И. Карась // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 136-139. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Исследовано влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость (ФП) структур макропористого кремния (МПК). Показано, что с увеличением толщины оксидного покрытия от 3 до 15 нм отрицательная ФП уменьшается по абсолютной величине, а при толщине оксидного покрытия 30 нм наблюдается только положительная ФП. Объясняется это компенсацией положительным «встроенным» зарядом оксида отрицательного заряда «медленных» поверхностных уровней, расположенных на поверхности макропористого кремния.
The influence of the oxide coating on the negative photoconductivity of macroporous silicon structures has been investigated. It is shown that with increasing oxide coating thickness from 3 to 15 nm negative photoconductivity decreases in absolute value. When the thickness of the oxide layer was 30 nm, there was only positive photoconductivity. This is due to compensation of the positive charge built-oxide negative charge of the «slow» surface levels on the surface of macroporous silicon.
|
| first_indexed | 2025-11-30T17:37:05Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116737 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T17:37:05Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Карась, Н.И. 2017-05-14T14:49:08Z 2017-05-14T14:49:08Z 2013 Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния / Н.И. Карась // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 136-139. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116737 621.315.592 Исследовано влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость (ФП) структур макропористого кремния (МПК). Показано, что с увеличением толщины оксидного покрытия от 3 до 15 нм отрицательная ФП уменьшается по абсолютной величине, а при толщине оксидного покрытия 30 нм наблюдается только положительная ФП. Объясняется это компенсацией положительным «встроенным» зарядом оксида отрицательного заряда «медленных» поверхностных уровней, расположенных на поверхности макропористого кремния. The influence of the oxide coating on the negative photoconductivity of macroporous silicon structures has been investigated. It is shown that with increasing oxide coating thickness from 3 to 15 nm negative photoconductivity decreases in absolute value. When the thickness of the oxide layer was 30 nm, there was only positive photoconductivity. This is due to compensation of the positive charge built-oxide negative charge of the «slow» surface levels on the surface of macroporous silicon. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния Influence oxide coatings on negative photoconductivity in structures macroporous silicon Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния Карась, Н.И. |
| title | Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| title_alt | Influence oxide coatings on negative photoconductivity in structures macroporous silicon |
| title_full | Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| title_fullStr | Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| title_full_unstemmed | Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| title_short | Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| title_sort | влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116737 |
| work_keys_str_mv | AT karasʹni vliânieoksidnogopokrytiânaotricatelʹnuûfotoprovodimostʹvstrukturahmakroporistogokremniâ AT karasʹni influenceoxidecoatingsonnegativephotoconductivityinstructuresmacroporoussilicon |