Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния
Исследовано влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость (ФП) структур макропористого кремния (МПК). Показано, что с увеличением толщины оксидного покрытия от 3 до 15 нм отрицательная ФП уменьшается по абсолютной величине, а при толщине оксидного покрытия 30 нм наблюдается только пол...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116737 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния / Н.И. Карась // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 136-139. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116737 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Карась, Н.И. 2017-05-14T14:49:08Z 2017-05-14T14:49:08Z 2013 Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния / Н.И. Карась // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 136-139. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116737 621.315.592 Исследовано влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость (ФП) структур макропористого кремния (МПК). Показано, что с увеличением толщины оксидного покрытия от 3 до 15 нм отрицательная ФП уменьшается по абсолютной величине, а при толщине оксидного покрытия 30 нм наблюдается только положительная ФП. Объясняется это компенсацией положительным «встроенным» зарядом оксида отрицательного заряда «медленных» поверхностных уровней, расположенных на поверхности макропористого кремния. The influence of the oxide coating on the negative photoconductivity of macroporous silicon structures has been investigated. It is shown that with increasing oxide coating thickness from 3 to 15 nm negative photoconductivity decreases in absolute value. When the thickness of the oxide layer was 30 nm, there was only positive photoconductivity. This is due to compensation of the positive charge built-oxide negative charge of the «slow» surface levels on the surface of macroporous silicon. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния Influence oxide coatings on negative photoconductivity in structures macroporous silicon Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| spellingShingle |
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния Карась, Н.И. |
| title_short |
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| title_full |
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| title_fullStr |
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| title_full_unstemmed |
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| title_sort |
влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| author |
Карась, Н.И. |
| author_facet |
Карась, Н.И. |
| publishDate |
2013 |
| language |
Russian |
| container_title |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Influence oxide coatings on negative photoconductivity in structures macroporous silicon |
| description |
Исследовано влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость (ФП) структур макропористого кремния (МПК). Показано, что с увеличением толщины оксидного покрытия от 3 до 15 нм отрицательная ФП уменьшается по абсолютной величине, а при толщине оксидного покрытия 30 нм наблюдается только положительная ФП. Объясняется это компенсацией положительным «встроенным» зарядом оксида отрицательного заряда «медленных» поверхностных уровней, расположенных на поверхности макропористого кремния.
The influence of the oxide coating on the negative photoconductivity of macroporous silicon structures has been investigated. It is shown that with increasing oxide coating thickness from 3 to 15 nm negative photoconductivity decreases in absolute value. When the thickness of the oxide layer was 30 nm, there was only positive photoconductivity. This is due to compensation of the positive charge built-oxide negative charge of the «slow» surface levels on the surface of macroporous silicon.
|
| issn |
0233-7577 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116737 |
| citation_txt |
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния / Н.И. Карась // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 136-139. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT karasʹni vliânieoksidnogopokrytiânaotricatelʹnuûfotoprovodimostʹvstrukturahmakroporistogokremniâ AT karasʹni influenceoxidecoatingsonnegativephotoconductivityinstructuresmacroporoussilicon |
| first_indexed |
2025-11-30T17:37:05Z |
| last_indexed |
2025-11-30T17:37:05Z |
| _version_ |
1850858353296670720 |