Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле
Рассмотрено влияние спин-орбитального взаимодействия на туннелирование между двумерными электронными слоями. Получено общее выражение для туннельного тока с учетом эффектов Рашбы и Дрессельхауза, а также упругого рассеяния носителей заряда на примесях. Показано, что конкретный вид зависимости туннел...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116742 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле / И.В. Рожанский, Н.С. Аверкиев // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 1. — С. 21-28. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862682439871102976 |
|---|---|
| author | Рожанский, И.В. Аверкиев, Н.С. |
| author_facet | Рожанский, И.В. Аверкиев, Н.С. |
| citation_txt | Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле / И.В. Рожанский, Н.С. Аверкиев // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 1. — С. 21-28. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Рассмотрено влияние спин-орбитального взаимодействия на туннелирование между двумерными электронными слоями. Получено общее выражение для туннельного тока с учетом эффектов Рашбы и Дрессельхауза, а также упругого рассеяния носителей заряда на примесях. Показано, что конкретный вид зависимости туннельной проводимости от электрического напряжения между слоями чрезвычайно чувствителен к соотношению параметров Рашбы и Дрессельхауза. Это позволяет определять параметры спин-орбитального взаимодействия и квантовое время рассеяния непосредственно при измерении туннельной проводимости без внешнего магнитного поля.
Розглянуто вплив спін-орбітальної взаємодії на тунелювання між двовимірними електронними
шарами. Отримано загальний вираз для тунельного струму з урахуванням ефектів Рашби та Дрессельхауза, а також пружного розсіювання носіїв заряду на домішках. Показано, що конкретний вид залежності тунельної провідності від електричної напруги між шарами надзвичайно чутливий до співвідношення параметрів Рашби та Дрессельхауза. Це дозволяє визначати параметри спін-орбітальної
взаємодії та квантовий час розсіювання безпосередньо при вимірі тунельної провідності без зовнішнього магнітного поля.
The influence of spin-orbit interaction on the
tunneling between two 2D electron layers is considered.
A general expression for tunneling current
is obtained with account for Rashba and Dresselhaus
effects and elastic scattering by impurities. It
is demonstrated that a particular dependence of
tunneling conductance on external voltage is very
sensitive to the relation between Rashba and Dresselhaus
contributions. This makes it possibile to
determine the parameters of spin-orbit interaction
and electron quantum lifetime just when measuring
the on tunneling between low-dimensional electron
layers without any external magnetic field.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:53:04Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116742 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:53:04Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Рожанский, И.В. Аверкиев, Н.С. 2017-05-14T19:35:29Z 2017-05-14T19:35:29Z 2009 Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле / И.В. Рожанский, Н.С. Аверкиев // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 1. — С. 21-28. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. PACS: 73.63.Hs, 73.40.Gk, 71.70.Ej https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116742 Рассмотрено влияние спин-орбитального взаимодействия на туннелирование между двумерными электронными слоями. Получено общее выражение для туннельного тока с учетом эффектов Рашбы и Дрессельхауза, а также упругого рассеяния носителей заряда на примесях. Показано, что конкретный вид зависимости туннельной проводимости от электрического напряжения между слоями чрезвычайно чувствителен к соотношению параметров Рашбы и Дрессельхауза. Это позволяет определять параметры спин-орбитального взаимодействия и квантовое время рассеяния непосредственно при измерении туннельной проводимости без внешнего магнитного поля. Розглянуто вплив спін-орбітальної взаємодії на тунелювання між двовимірними електронними
 шарами. Отримано загальний вираз для тунельного струму з урахуванням ефектів Рашби та Дрессельхауза, а також пружного розсіювання носіїв заряду на домішках. Показано, що конкретний вид залежності тунельної провідності від електричної напруги між шарами надзвичайно чутливий до співвідношення параметрів Рашби та Дрессельхауза. Це дозволяє визначати параметри спін-орбітальної
 взаємодії та квантовий час розсіювання безпосередньо при вимірі тунельної провідності без зовнішнього магнітного поля. The influence of spin-orbit interaction on the
 tunneling between two 2D electron layers is considered.
 A general expression for tunneling current
 is obtained with account for Rashba and Dresselhaus
 effects and elastic scattering by impurities. It
 is demonstrated that a particular dependence of
 tunneling conductance on external voltage is very
 sensitive to the relation between Rashba and Dresselhaus
 contributions. This makes it possibile to
 determine the parameters of spin-orbit interaction
 and electron quantum lifetime just when measuring
 the on tunneling between low-dimensional electron
 layers without any external magnetic field. Работа частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант РФФИ №08-02-00069-а), программами президиума РАН и ОФН РАН, правительством Санкт-Петербурга (грант для молодых кандидатов наук N 4-05/197). ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле Spin-dependent tunneling conductance in 2D structures in zero magnetic field Article published earlier |
| spellingShingle | Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле Рожанский, И.В. Аверкиев, Н.С. XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| title | Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле |
| title_alt | Spin-dependent tunneling conductance in 2D structures in zero magnetic field |
| title_full | Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле |
| title_fullStr | Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле |
| title_full_unstemmed | Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле |
| title_short | Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле |
| title_sort | спин-зависимая туннельная проводимость в 2d-структурах в нулевом магнитном поле |
| topic | XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| topic_facet | XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116742 |
| work_keys_str_mv | AT rožanskiiiv spinzavisimaâtunnelʹnaâprovodimostʹv2dstrukturahvnulevommagnitnompole AT averkievns spinzavisimaâtunnelʹnaâprovodimostʹv2dstrukturahvnulevommagnitnompole AT rožanskiiiv spindependenttunnelingconductancein2dstructuresinzeromagneticfield AT averkievns spindependenttunnelingconductancein2dstructuresinzeromagneticfield |