Акустична емісія світловипромінюючих структур та світлодіодів (огляд)

• Опубліковано в: : Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Дата: 2015
• Автори: Власенко, О.І., Велещук, В.П., Киселюк, М.П., Власенко, З.К., Ляшенко, І.О., Ляшенко, О.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116748
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Акустична емісія світловипромінюючих структур та світлодіодів (огляд) / О.І. Власенко, В.П. Велещук, М.П. Киселюк, З.К. Власенко, І.О. Ляшенко, О.В. Ляшенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 5-16. — Бібліогр.: 35 назв. — укр.

Узагальнено матеріал з дослідження явища акустичної емісії (АЕ) у світловипромінюючих структурах та світлодіодах на основі сполук GaN, GaP при струмовому навантаженні. Запропоновано використання комбінованого методу АЕ та мікроскопії видимого діапазону для виявлення люмінесцентних флуктуацій та деградації квантового виходу в режимі реального часу. Стаття є продовженням огляду, опублікованого у журналі «Оптоэлектроника и полупроводниковая техника», 2014 р. Material on research of the acoustic emission (AE) phenomenon in light-emitting structures and LEDs based on the GaN, GaP compounds has been generalized. The use of the combined method of AE and visible microscopy to detect luminescent fluctuations and quantum yield degradation processes in real time has been offered. This article has continued the review published in the journal “Оптоэлектроника и полупроводниковая техника”, 2014.