InAs фотодіоди (огляд)
Проаналізовано сучасний стан з розробок інфрачервоних InAs фотодіодів та отримано значення їх основних технічних параметрів і характеристик. Розраховано концентраційну залежність часу життя нерівноважних носіїв заряду в матеріалі InAs n- та р-типу провідності, а також проведено порівняння з експерим...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Дата: | 2015 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116749 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | InAs фотодіоди (огляд) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 17-44. — Бібліогр.: 89 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862718243613966336 |
|---|---|
| author | Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Матіюк, І.М. |
| author_facet | Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Матіюк, І.М. |
| citation_txt | InAs фотодіоди (огляд) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 17-44. — Бібліогр.: 89 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Проаналізовано сучасний стан з розробок інфрачервоних InAs фотодіодів та отримано значення їх основних технічних параметрів і характеристик. Розраховано концентраційну залежність часу життя нерівноважних носіїв заряду в матеріалі InAs n- та р-типу провідності, а також проведено порівняння з експериментальними даними. Проаналізовано механізми транспорту носіїв заряду в InAs фотодіодах та з’ясовано природу надлишкових струмів. Показано можливість коректного прогнозування спектральної фоточутливості в охолоджуваних InAs фотодіодах та розглянуто перспективи їх застосування.
The current level of development of infrared InAs photodiodes has been analyzed and the values of their main technical parameters and characteristics have been obtained. The concentration dependence of the nonequilibrium charge carrier lifetime in InAs of n- and p-type conductivity has been calculated and comparison with experimental data has been performed. The charge carrier transport mechanisms in InAs photodiodes have been analyzed and nature of excessive dark current has been clarified. The possibility to forecast correctly the spectral photosensitivity in cooled InAs photodiodes has been shown and the outlook of their application has been considered.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:14:12Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116749 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:14:12Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Матіюк, І.М. 2017-05-14T20:25:17Z 2017-05-14T20:25:17Z 2015 InAs фотодіоди (огляд) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 17-44. — Бібліогр.: 89 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116749 621.315.592 Проаналізовано сучасний стан з розробок інфрачервоних InAs фотодіодів та отримано значення їх основних технічних параметрів і характеристик. Розраховано концентраційну залежність часу життя нерівноважних носіїв заряду в матеріалі InAs n- та р-типу провідності, а також проведено порівняння з експериментальними даними. Проаналізовано механізми транспорту носіїв заряду в InAs фотодіодах та з’ясовано природу надлишкових струмів. Показано можливість коректного прогнозування спектральної фоточутливості в охолоджуваних InAs фотодіодах та розглянуто перспективи їх застосування. The current level of development of infrared InAs photodiodes has been analyzed and the values of their main technical parameters and characteristics have been obtained. The concentration dependence of the nonequilibrium charge carrier lifetime in InAs of n- and p-type conductivity has been calculated and comparison with experimental data has been performed. The charge carrier transport mechanisms in InAs photodiodes have been analyzed and nature of excessive dark current has been clarified. The possibility to forecast correctly the spectral photosensitivity in cooled InAs photodiodes has been shown and the outlook of their application has been considered. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника InAs фотодіоди (огляд) InAs photodiodes (review) Article published earlier |
| spellingShingle | InAs фотодіоди (огляд) Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Матіюк, І.М. |
| title | InAs фотодіоди (огляд) |
| title_alt | InAs photodiodes (review) |
| title_full | InAs фотодіоди (огляд) |
| title_fullStr | InAs фотодіоди (огляд) |
| title_full_unstemmed | InAs фотодіоди (огляд) |
| title_short | InAs фотодіоди (огляд) |
| title_sort | inas фотодіоди (огляд) |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116749 |
| work_keys_str_mv | AT sukačav inasfotodíodioglâd AT tetʹorkínvv inasfotodíodioglâd AT matíûkím inasfotodíodioglâd AT sukačav inasphotodiodesreview AT tetʹorkínvv inasphotodiodesreview AT matíûkím inasphotodiodesreview |