Cover Image

InAs фотодіоди (огляд)

Проаналізовано сучасний стан з розробок інфрачервоних InAs фотодіодів та отримано значення їх основних технічних параметрів і характеристик. Розраховано концентраційну залежність часу життя нерівноважних носіїв заряду в матеріалі InAs n- та р-типу провідності, а також проведено порівняння з експерим...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Date:	2015
Main Authors:	Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Матіюк, І.М.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116749
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	InAs фотодіоди (огляд) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 17-44. — Бібліогр.: 89 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

InSb фотодіоди (Огляд. Частина I)
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2016)

InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2016)

Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2011)

Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2010)

InAs photodiodes (review)
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2015)

InAs photodiodes (Review. Part IV)
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2018)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2020)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
by: Sukach, A.V., et al.
Published: (2020)

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
by: R. M. Peleshchak, et al.
Published: (2012)

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
by: R. M. Peleshchak, et al.
Published: (2012)

Nuclear irradiation-induced superconductivity in the binary semiconductor InAs
by: Kаrpenko, А.Ya., et al.
Published: (2003)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
by: Марончук, И.Е., et al.
Published: (2003)

Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots
by: Martin, P.M., et al.
Published: (1998)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2017)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
by: Shutov, S.V., et al.
Published: (2006)

Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
by: V. I. Boichuk, et al.
Published: (2017)

Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
by: V. I. Boichuk, et al.
Published: (2017)

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2011)

Reverse current-voltage characteristics and carrier transport mechanisms in InAs photodi-odes
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2011)

InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures
by: Masselink, W.T., et al.
Published: (2000)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2008)

Resonance Raman scattering by intersubband plasmon-phonon excitations in InAs/AlSb structures
by: Valakh, M.Ya., et al.
Published: (2003)

Effect of surface conductivity on electrical properties of mesa-structure InAs p—n-junctions
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2010)

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
by: Shutov, S.V., et al.
Published: (2006)

Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2009)

Книжковий огляд
by: Колесникова, В.А.
Published: (2004)

Книжковий огляд
by: Колеснікова, В.А.
Published: (2003)

Квантові обчислення: огляд та аналіз
by: Савчук, М.М., et al.
Published: (2019)

Ukrainian regulatory policy&#039;s target priorities to ensure decent working conditions ina platform economy
by: O. V. Pankova, et al.
Published: (2021)

Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
by: Круковський, С.І., et al.
Published: (2011)

Трібокорозія нержавних сталей (Огляд)
by: Похмурський, В.І., et al.
Published: (2010)

Денні метелики України (фауністичний огляд)
by: Чиколовець, В.В.
Published: (2005)

Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
by: Круковський, C.I., et al.
Published: (2012)

Аналіз алельного стану генів Рina-D1 і Рinb-D1 в генотипах українських сортів пшениці
by: Чеботар, С.В., et al.
Published: (2008)

Concentration dependences of the electron effective mass, Fermi energy, and filling of subbands in doped InAs/AlSb quantum wells
by: P. J. Baymatov, et al.
Published: (2017)

Concentration dependences of the electron effective mass, Fermi energy, and filling of subbands in doped InAs/AlSb quantum wells
by: P. J. Baymatov, et al.
Published: (2017)

Огляд підходів до організації інтелектуального інтерфейсу корисувача
by: Павлов, А.В.
Published: (2019)

Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2013)

Узагальнюючий історіографічний огляд
by: Шаповал, Ю.І.
Published: (1987)

Електричні властивості структур In/p-PbTe
by: Маланич, Г.П., et al.
Published: (2012)