Cover Image

InAs фотодіоди (огляд)

Проаналізовано сучасний стан з розробок інфрачервоних InAs фотодіодів та отримано значення їх основних технічних параметрів і характеристик. Розраховано концентраційну залежність часу життя нерівноважних носіїв заряду в матеріалі InAs n- та р-типу провідності, а також проведено порівняння з експерим...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Date:2015
ISSN:0233-7577
Main Authors: Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Матіюк, І.М.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116749
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:InAs фотодіоди (огляд) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 17-44. — Бібліогр.: 89 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items