Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд)
Описано розроблені фотолітографічні процеси на базі реверсивних та перехідних фотоструктурних змін у відпалених плівках халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН). Показано, що негативні протравлювачі на основі амінів розчиняють експоновані ділянки відпалених халькогенідних плівок, тобто діють...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2015 |
| Main Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116750 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд) / В.А. Данько, І.З. Індутний, М.В. Луканюк, В.І. Минько, С.С. Пономарьов, П.Є. Шепелявий, В.О. Юхимчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 44-57. — Бібліогр.: 42 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Описано розроблені фотолітографічні процеси на базі реверсивних та перехідних фотоструктурних змін у відпалених плівках халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН). Показано, що негативні протравлювачі на основі амінів розчиняють експоновані ділянки відпалених халькогенідних плівок, тобто діють як позитивні протравлювачі. Представлено переваги нових процесів над традиційними. Наведено приклади різноманітних мікрорельєфних структур, виготовлених з використанням нових технологій, та можливості їх застосування. Розглянуто фізичні механізми фотостимульованих структурних перетворень, що приводять до зміни розчинності плівок ХСН у селективних протравлювачах.
The developed photolithographic processes based on reversible and transient photostimulated structural changes in annealed chalcogenide glass (ChG) layers have been presented. It has been shown that negativeaction etchants containing amines dissolve illuminated portions of annealed chalcogenide films, i.e., act as positive etchants. Advantages of the new processes over the traditional ones and examples of various microrelief structures produced using these new technologies as well as possibilities of their application have been shown. Physical mechanisms of photostimulated structural changes leading to changes in solubility of ChG films in selective etching solutions have been considered.
|
|---|---|
| ISSN: | 0233-7577 |