Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд)

• Veröffentlicht in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Datum: 2015
• Hauptverfasser: Данько, В.А., Індутний, І.З., Луканюк, М.В., Минько, В.І., Пономарьов, С.С., Шепелявий, П.Є., Юхимчук, В.О.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116750
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд) / В.А. Данько, І.З. Індутний, М.В. Луканюк, В.І. Минько, С.С. Пономарьов, П.Є. Шепелявий, В.О. Юхимчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 44-57. — Бібліогр.: 42 назв. — укр.

Описано розроблені фотолітографічні процеси на базі реверсивних та перехідних фотоструктурних змін у відпалених плівках халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН). Показано, що негативні протравлювачі на основі амінів розчиняють експоновані ділянки відпалених халькогенідних плівок, тобто діють...