Методи створення і властивості омічних контактів до фосфіду індію (огляд)

• Опубліковано в: : Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Дата: 2015
• Автор: Кудрик, Я.Я.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116751
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Методи створення і властивості омічних контактів до фосфіду індію (огляд) / Я.Я. Кудрик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 58-72. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.

Систематизовано результати дослідження питомого опору омічних контактів до фосфіду індію. Розглянуто методи формування, матеріали омічних контактів, міжфазні взаємодії у процесі термічного відпалу та вказано оптимальну температуру відпалу для кожного з розглянутих типів металізації. На основі проведеного аналізу дано рекомендації щодо оптимізації шарових структур омічного контакту в залежності від області його використання і необхідних параметрів. The investigation results of specific resistivity of ohmic contacts to InP have been systematized. The comparison of different formation methods, materials to the ohmic contacts, interfacial interactions during thermal annealing have been considered and the optimal annealing temperature for each type of considered metallization has been obtained. Being based on the performed analysis, recommendations have been given to optimize the ohmic contact layer structures, depending on the area of their application and required parameters.