Методи створення і властивості омічних контактів до фосфіду індію (огляд)
Систематизовано результати дослідження питомого опору омічних контактів до фосфіду індію. Розглянуто методи формування, матеріали омічних контактів, міжфазні взаємодії у процесі термічного відпалу та вказано оптимальну температуру відпалу для кожного з розглянутих типів металізації. На основі провед...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116751 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Методи створення і властивості омічних контактів до фосфіду індію (огляд) / Я.Я. Кудрик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 58-72. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862619843375661056 |
|---|---|
| author | Кудрик, Я.Я. |
| author_facet | Кудрик, Я.Я. |
| citation_txt | Методи створення і властивості омічних контактів до фосфіду індію (огляд) / Я.Я. Кудрик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 58-72. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Систематизовано результати дослідження питомого опору омічних контактів до фосфіду індію. Розглянуто методи формування, матеріали омічних контактів, міжфазні взаємодії у процесі термічного відпалу та вказано оптимальну температуру відпалу для кожного з розглянутих типів металізації. На основі проведеного аналізу дано рекомендації щодо оптимізації шарових структур омічного контакту в залежності від області його використання і необхідних параметрів.
The investigation results of specific resistivity of ohmic contacts to InP have been systematized. The comparison of different formation methods, materials to the ohmic contacts, interfacial interactions during thermal annealing have been considered and the optimal annealing temperature for each type of considered metallization has been obtained. Being based on the performed analysis, recommendations have been given to optimize the ohmic contact layer structures, depending on the area of their application and required parameters.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:19:26Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116751 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:19:26Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кудрик, Я.Я. 2017-05-14T20:31:41Z 2017-05-14T20:31:41Z 2015 Методи створення і властивості омічних контактів до фосфіду індію (огляд) / Я.Я. Кудрик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 58-72. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116751 621.382 Систематизовано результати дослідження питомого опору омічних контактів до фосфіду індію. Розглянуто методи формування, матеріали омічних контактів, міжфазні взаємодії у процесі термічного відпалу та вказано оптимальну температуру відпалу для кожного з розглянутих типів металізації. На основі проведеного аналізу дано рекомендації щодо оптимізації шарових структур омічного контакту в залежності від області його використання і необхідних параметрів. The investigation results of specific resistivity of ohmic contacts to InP have been systematized. The comparison of different formation methods, materials to the ohmic contacts, interfacial interactions during thermal annealing have been considered and the optimal annealing temperature for each type of considered metallization has been obtained. Being based on the performed analysis, recommendations have been given to optimize the ohmic contact layer structures, depending on the area of their application and required parameters. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Методи створення і властивості омічних контактів до фосфіду індію (огляд) Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev) Article published earlier |
| spellingShingle | Методи створення і властивості омічних контактів до фосфіду індію (огляд) Кудрик, Я.Я. |
| title | Методи створення і властивості омічних контактів до фосфіду індію (огляд) |
| title_alt | Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev) |
| title_full | Методи створення і властивості омічних контактів до фосфіду індію (огляд) |
| title_fullStr | Методи створення і властивості омічних контактів до фосфіду індію (огляд) |
| title_full_unstemmed | Методи створення і властивості омічних контактів до фосфіду індію (огляд) |
| title_short | Методи створення і властивості омічних контактів до фосфіду індію (огляд) |
| title_sort | методи створення і властивості омічних контактів до фосфіду індію (огляд) |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116751 |
| work_keys_str_mv | AT kudrikââ metodistvorennâívlastivostíomíčnihkontaktívdofosfíduíndíûoglâd AT kudrikââ methodsforcreationandpropertiesofohmiccontactstoindiumphosphiderewiev |