Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації
Проведено порівняльний аналіз електрофізичних властивостей кристалів кремнію n-типу, легованих домішкою фосфору двома різними способами (крізь розплав і методом ядерної трансмутації). Показано, що при вивченні кінетичних ефектів трансмутаційно легований кремній не можна ототожнювати з подібним крист...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2015 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116752 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 73-78. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862713655163879424 |
|---|---|
| author | Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| author_facet | Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| citation_txt | Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 73-78. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Проведено порівняльний аналіз електрофізичних властивостей кристалів кремнію n-типу, легованих домішкою фосфору двома різними способами (крізь розплав і методом ядерної трансмутації). Показано, що при вивченні кінетичних ефектів трансмутаційно легований кремній не можна ототожнювати з подібним кристалом n-Si, легованим домішкою фосфору крізь розплав.
A comparative analysis of the electrophysical properties of n-type silicon crystals, doped with phosphorus in two different ways (through the melt and by using nuclear transmutation), has been carried out. It has been shown that when studying the kinetic effects, transmutation doped silicon cannot be identified with a similar n-Si crystal doped with phosphorus through the melt.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:45:34Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116752 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:45:34Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. 2017-05-14T20:33:09Z 2017-05-14T20:33:09Z 2015 Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 73-78. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116752 621.315.592 Проведено порівняльний аналіз електрофізичних властивостей кристалів кремнію n-типу, легованих домішкою фосфору двома різними способами (крізь розплав і методом ядерної трансмутації). Показано, що при вивченні кінетичних ефектів трансмутаційно легований кремній не можна ототожнювати з подібним кристалом n-Si, легованим домішкою фосфору крізь розплав. A comparative analysis of the electrophysical properties of n-type silicon crystals, doped with phosphorus in two different ways (through the melt and by using nuclear transmutation), has been carried out. It has been shown that when studying the kinetic effects, transmutation doped silicon cannot be identified with a similar n-Si crystal doped with phosphorus through the melt. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation Article published earlier |
| spellingShingle | Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| title | Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації |
| title_alt | Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation |
| title_full | Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації |
| title_fullStr | Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації |
| title_full_unstemmed | Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації |
| title_short | Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації |
| title_sort | зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116752 |
| work_keys_str_mv | AT baransʹkiipí zístavlennâelektrofízičnihvlastivosteikristalívkremníûlegovanihdomíškoûfosforukrízʹrozplavímetodomâdernoítransmutacíí AT gaidargp zístavlennâelektrofízičnihvlastivosteikristalívkremníûlegovanihdomíškoûfosforukrízʹrozplavímetodomâdernoítransmutacíí AT baransʹkiipí comparisonoftheelectrophysicalpropertiesofsiliconcrystalsdopedwithphosphorusthroughthemeltandbyusingthemethodofnucleartransmutation AT gaidargp comparisonoftheelectrophysicalpropertiesofsiliconcrystalsdopedwithphosphorusthroughthemeltandbyusingthemethodofnucleartransmutation |