Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред

• Datum: 2015
• Hauptverfasser: Паюк, А.П., Мешалкин, А.Ю., Стронский, А.В., Акимова, Е.А., Сергеев, С.А., Абашкин, В.Г., Литвин, О.С., Олексенко, П.Ф., Присакарь, А.М., Тридух, Г.М., Сенченко, Е.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
• Schriftenreihe: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116753
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред / А.П. Паюк, А.Ю. Мешалкин, А.В. Стронский, Е.А. Акимова, С.А. Сергеев, В.Г. Абашкин, О.С. Литвин, П.Ф. Олексенко, А.М. Присакарь, Г.М. Тридух, Е.В. Сенченко с// Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 79-86. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.

В работе исследованы процессы электронно-лучевой и голографической записи поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред. Исследованы оптические свойства слоев Ge₅As₃₇S₅₈, Se и многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se. Спектральные зависимости показателя преломления проанализированы в рамках одноосцилляторной модели. С использованием зависимости Тауца определены значения ширины оптической запрещенной зоны для слоев Ge₅As₃₇S₅₈, Se и многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se. С помощью электронно-лучевой и голографической записи на многослойных наноструктурах Ge₅As₃₇S₅₈–Se получены дифракционные решетки. Также электронным лучом попиксельно было записано изображение герба Украины, размер изображения составлял 512×512 пикселей (размер одного пикселя составлял ~2 мкм). Многослойные наноструктуры Ge₅As₃₇S₅₈–Se перспективны как регистрирующие среды для записи голограммных дифракционных решеток и других оптических элементов.