Формування субмікронних періодичних плазмонних структур великої площі методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних фоторезистів - Данько, В.А.; Дмитрук, М.Л.; Індутний, І.З.; Мамикін, С.В.; Минько, В.І.; Литвин, П.М.; Луканюк, М.В.; Шепелявий, П.Є. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2015)
У даній роботі наведено можливості використання інтерференційної літографії з фоторезистами на основі халькогенідних скловидних напівпровідників у комплексі з термічною обробкою для формування однорідних плазмонних структур з необхідними характеристиками на підкладках великої площі. У результаті досліджень було підтверджено наявність поверхневих плазмон-поляритонних і локальних поверхневих плазмонних резонансів на виготовлених зразках, які можуть контролюватися в широких межах вибором геометричних параметрів структур і технологічними режимами їх виготовлення. This paper shows the possibility of using interference lithography with photoresists based on chalcogenide glassy semiconductors in combination with heat treatment to form homogeneous plasmon structures with desired characteristics for large area substrates. As a result of our investigations, it has been confirmed the presence of the surface plasmon polariton and local surface plasmon resonances in the prepared samples that can be controlled in a wide range by selection of geometric parameters of structures and technological modes of their production.