Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка
Досліджено розподіл концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду в структурах макропористого кремнію. Показано, що при збільшенні глибини макропор до 10 мкм концентрація нерівноважних носіїв заряду різко зменшується як між порами, так і в монокристалічному шарі під порами. Шляхом розрахунку п...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Дата: | 2015 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116759 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка / В.Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 125-131. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862666534567018496 |
|---|---|
| author | Онищенко, В.Ф. |
| author_facet | Онищенко, В.Ф. |
| citation_txt | Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка / В.Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 125-131. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Досліджено розподіл концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду в структурах макропористого кремнію. Показано, що при збільшенні глибини макропор до 10 мкм концентрація нерівноважних носіїв заряду різко зменшується як між порами, так і в монокристалічному шарі під порами. Шляхом розрахунку показано, що при глибині макропор від 100 до 200 мкм концентрація нерівноважних носіїв заряду між макропорами майже не змінюється. Проаналізовано розподіл безрозмірної концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду між макропорами та у монокристалічному шарі при зменшенні товщини монокристалічного шару та при швидкостях поверхневої рекомбінації від 0,1 до 100 м/с.
Distribution of non-equilibrium minority charge carrier concentration in macroporous silicon structures has been investigated. It has been shown that non-equilibrium charge carrier concentration sharply decreases both between pores and in monocrystalline layer under pores with increasing the macropore depth to 10 μm. Via calculations, it has been shown that the concentration of non-equilibrium charge carriers between macropores hardly changes when the depth of macropores ranges from 100 to 200 μm. The authors have analyzed the distribution of dimensionless concentration of non-equilibrium charge carriers between macropores and in monocrystalline layer when the thickness of the monocrystalline layer is decreased and the values of the surface recombination velocity varies from 0.1 to 100 m/s.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:20:44Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116759 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:20:44Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Онищенко, В.Ф. 2017-05-14T20:51:48Z 2017-05-14T20:51:48Z 2015 Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка / В.Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 125-131. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116759 621.315.592 Досліджено розподіл концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду в структурах макропористого кремнію. Показано, що при збільшенні глибини макропор до 10 мкм концентрація нерівноважних носіїв заряду різко зменшується як між порами, так і в монокристалічному шарі під порами. Шляхом розрахунку показано, що при глибині макропор від 100 до 200 мкм концентрація нерівноважних носіїв заряду між макропорами майже не змінюється. Проаналізовано розподіл безрозмірної концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду між макропорами та у монокристалічному шарі при зменшенні товщини монокристалічного шару та при швидкостях поверхневої рекомбінації від 0,1 до 100 м/с. Distribution of non-equilibrium minority charge carrier concentration in macroporous silicon structures has been investigated. It has been shown that non-equilibrium charge carrier concentration sharply decreases both between pores and in monocrystalline layer under pores with increasing the macropore depth to 10 μm. Via calculations, it has been shown that the concentration of non-equilibrium charge carriers between macropores hardly changes when the depth of macropores ranges from 100 to 200 μm. The authors have analyzed the distribution of dimensionless concentration of non-equilibrium charge carriers between macropores and in monocrystalline layer when the thickness of the monocrystalline layer is decreased and the values of the surface recombination velocity varies from 0.1 to 100 m/s. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка Distribution of non-equilibrium charge carriers in macroporous silicon structure under conditions of their homogeneous generation over the simple bulk Article published earlier |
| spellingShingle | Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка Онищенко, В.Ф. |
| title | Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка |
| title_alt | Distribution of non-equilibrium charge carriers in macroporous silicon structure under conditions of their homogeneous generation over the simple bulk |
| title_full | Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка |
| title_fullStr | Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка |
| title_full_unstemmed | Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка |
| title_short | Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка |
| title_sort | розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116759 |
| work_keys_str_mv | AT oniŝenkovf rozpodílnerívnovažnihnosíívzarâduvstrukturímakroporistogokremníûpriíhodnorídníigeneracíípoobêmuzrazka AT oniŝenkovf distributionofnonequilibriumchargecarriersinmacroporoussiliconstructureunderconditionsoftheirhomogeneousgenerationoverthesimplebulk |