Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
Получены расчетные зависимости компонент тензоров проводимости и сопротивления от температуры и магнитного поля с учетом квантовых поправок от эффектов слабой локализации (СЛ) и электрон- электронного взаимодействия (ЭЭВ) в диффузионном и баллистическом режимах. Поправки к проводимости от СЛ и ЭЭВ в...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116762 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 1. — С. 44-58. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862663112072626176 |
|---|---|
| author | Арапов, Ю.Г. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. |
| author_facet | Арапов, Ю.Г. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. |
| citation_txt | Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 1. — С. 44-58. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Получены расчетные зависимости компонент тензоров проводимости и сопротивления от температуры и магнитного поля с учетом квантовых поправок от эффектов слабой локализации (СЛ) и электрон- электронного взаимодействия (ЭЭВ) в диффузионном и баллистическом режимах. Поправки к проводимости от СЛ и ЭЭВ в баллистическом режиме, а также влияние спиновых и осцилляционных эффектов учтены путем перенормировки транспортного времени релаксации импульса электронов, что привело к появлению зависимости друдевской проводимости от температуры. Расчет компонент тензоров проводимости и сопротивления проведен с использованием теоретических значений параметров теории квантовых поправок, определяемых только значениями концентрации и подвижности конкретного образца. Результаты расчета сравнивали с экспериментальными результатами для 2D-структуры n-InGaAs/GaAs c двойными квантовыми ямами. Показано, что учет только квантовых поправок с теоретическими значениями параметров не позволяет даже качественно описать эксперимент, поэтому необходимо учитывать дополнительные, зависящие от температуры, вклады в друдевскую проводимость.
Отримано розрахункові залежності компонент тензорів провідності та опору від температури і
магнітного поля з урахуванням квантових виправлень від ефектів слабкої локалізації (СЛ) і електрон-електронної взаємодії (ЕЕВ) у дифузійному та балістичному режимах. Виправлення до провідності від СЛ та ЕЕВ у балістичному режимі, а також вплив спінових і осциляційних ефектів враховано шляхом перенормування транспортного часу релаксації імпульсу електронів, що призвело до
появи залежності друдівської провідності від температури. Розрахунок компонент тензорів провідності та опору проведено з використанням теоретичних значень параметрів теорії квантових виправлень, які обумовлені тільки значеннями концентрації та рухливості конкретного зразка. Результати
розрахунку порівнювали з експериментальними результатами для 2D-структури n-InGaAs/GaAs c
подвійними квантовими ямами. Показано, що урахування тільки квантових поправок із теоретичними
значеннями параметрів не дозволяє навіть якісно описати експеримент, тому необхідно враховувати
додаткові, залежні від температури, внески в друдевськую провідність.
Temperature and magnetic field dependences
of conductivity and resistivity tensor components
with account of the quantum corrections due to
weak localization (WL) and electron-electron interactions
(EEI) effects at diffusive and ballistic regimes
have been calculated. The quantum corrections
to the conductivity due to WL and EEI at the
ballistic regime and the influence of spin and oscillation
effects have been accounted by the renormalization
of momentum relaxation time that results
in a temperature dependence of the Drude conductivity.
The conductivity and resistivity tensor components
are calculated by using the theoretical
quantum correction parameter values. The latter
depend only on electron density and mobility of a
concrete sample. The calculated results were compared
with the experimental data for the 2D structures
n-InGaAs/GaAs with double quantum wells.
It is shown that the account of the quantum corrections
with the theoretical values of the parameters
does not allow the experimental results to be described
even qualitatively — additional, temperature
dependent contributions to the Drude conductivity
should be taken into account.
|
| first_indexed | 2025-12-02T14:14:42Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116762 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T14:14:42Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Арапов, Ю.Г. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. 2017-05-15T04:55:11Z 2017-05-15T04:55:11Z 2009 Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 1. — С. 44-58. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. PACS: 73.20.Fz, 73.50.Jt, 71.30.+h https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116762 Получены расчетные зависимости компонент тензоров проводимости и сопротивления от температуры и магнитного поля с учетом квантовых поправок от эффектов слабой локализации (СЛ) и электрон- электронного взаимодействия (ЭЭВ) в диффузионном и баллистическом режимах. Поправки к проводимости от СЛ и ЭЭВ в баллистическом режиме, а также влияние спиновых и осцилляционных эффектов учтены путем перенормировки транспортного времени релаксации импульса электронов, что привело к появлению зависимости друдевской проводимости от температуры. Расчет компонент тензоров проводимости и сопротивления проведен с использованием теоретических значений параметров теории квантовых поправок, определяемых только значениями концентрации и подвижности конкретного образца. Результаты расчета сравнивали с экспериментальными результатами для 2D-структуры n-InGaAs/GaAs c двойными квантовыми ямами. Показано, что учет только квантовых поправок с теоретическими значениями параметров не позволяет даже качественно описать эксперимент, поэтому необходимо учитывать дополнительные, зависящие от температуры, вклады в друдевскую проводимость. Отримано розрахункові залежності компонент тензорів провідності та опору від температури і
 магнітного поля з урахуванням квантових виправлень від ефектів слабкої локалізації (СЛ) і електрон-електронної взаємодії (ЕЕВ) у дифузійному та балістичному режимах. Виправлення до провідності від СЛ та ЕЕВ у балістичному режимі, а також вплив спінових і осциляційних ефектів враховано шляхом перенормування транспортного часу релаксації імпульсу електронів, що призвело до
 появи залежності друдівської провідності від температури. Розрахунок компонент тензорів провідності та опору проведено з використанням теоретичних значень параметрів теорії квантових виправлень, які обумовлені тільки значеннями концентрації та рухливості конкретного зразка. Результати
 розрахунку порівнювали з експериментальними результатами для 2D-структури n-InGaAs/GaAs c
 подвійними квантовими ямами. Показано, що урахування тільки квантових поправок із теоретичними
 значеннями параметрів не дозволяє навіть якісно описати експеримент, тому необхідно враховувати
 додаткові, залежні від температури, внески в друдевськую провідність. Temperature and magnetic field dependences
 of conductivity and resistivity tensor components
 with account of the quantum corrections due to
 weak localization (WL) and electron-electron interactions
 (EEI) effects at diffusive and ballistic regimes
 have been calculated. The quantum corrections
 to the conductivity due to WL and EEI at the
 ballistic regime and the influence of spin and oscillation
 effects have been accounted by the renormalization
 of momentum relaxation time that results
 in a temperature dependence of the Drude conductivity.
 The conductivity and resistivity tensor components
 are calculated by using the theoretical
 quantum correction parameter values. The latter
 depend only on electron density and mobility of a
 concrete sample. The calculated results were compared
 with the experimental data for the 2D structures
 n-InGaAs/GaAs with double quantum wells.
 It is shown that the account of the quantum corrections
 with the theoretical values of the parameters
 does not allow the experimental results to be described
 even qualitatively — additional, temperature
 dependent contributions to the Drude conductivity
 should be taken into account. Работа выполнена в рамках РФФИ проекта
 №08-02-00222, 09-02-96518 и программы Президиума
 РАН «Низкоразмерные квантовые гетероструктуры». ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла Magnetotransport in 2D structures n-InGaAs/GaAs with double quantum wells in the vicinity of insulator to quantum Hall effect regime transition Article published earlier |
| spellingShingle | Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла Арапов, Ю.Г. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| title | Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла |
| title_alt | Magnetotransport in 2D structures n-InGaAs/GaAs with double quantum wells in the vicinity of insulator to quantum Hall effect regime transition |
| title_full | Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла |
| title_fullStr | Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла |
| title_full_unstemmed | Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла |
| title_short | Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла |
| title_sort | магнитотранспорт в 2d-структурах n-ingaas/gaas с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта холла |
| topic | XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| topic_facet | XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116762 |
| work_keys_str_mv | AT arapovûg magnitotransportv2dstrukturahningaasgaassdvoinymikvantovymiâmamivoblastiperehodaizdiélektričeskogosostoâniâvrežimkvantovogoéffektaholla AT karskanoviv magnitotransportv2dstrukturahningaasgaassdvoinymikvantovymiâmamivoblastiperehodaizdiélektričeskogosostoâniâvrežimkvantovogoéffektaholla AT neverovvn magnitotransportv2dstrukturahningaasgaassdvoinymikvantovymiâmamivoblastiperehodaizdiélektričeskogosostoâniâvrežimkvantovogoéffektaholla AT harusgi magnitotransportv2dstrukturahningaasgaassdvoinymikvantovymiâmamivoblastiperehodaizdiélektričeskogosostoâniâvrežimkvantovogoéffektaholla AT šelušininang magnitotransportv2dstrukturahningaasgaassdvoinymikvantovymiâmamivoblastiperehodaizdiélektričeskogosostoâniâvrežimkvantovogoéffektaholla AT âkuninmv magnitotransportv2dstrukturahningaasgaassdvoinymikvantovymiâmamivoblastiperehodaizdiélektričeskogosostoâniâvrežimkvantovogoéffektaholla AT arapovûg magnetotransportin2dstructuresningaasgaaswithdoublequantumwellsinthevicinityofinsulatortoquantumhalleffectregimetransition AT karskanoviv magnetotransportin2dstructuresningaasgaaswithdoublequantumwellsinthevicinityofinsulatortoquantumhalleffectregimetransition AT neverovvn magnetotransportin2dstructuresningaasgaaswithdoublequantumwellsinthevicinityofinsulatortoquantumhalleffectregimetransition AT harusgi magnetotransportin2dstructuresningaasgaaswithdoublequantumwellsinthevicinityofinsulatortoquantumhalleffectregimetransition AT šelušininang magnetotransportin2dstructuresningaasgaaswithdoublequantumwellsinthevicinityofinsulatortoquantumhalleffectregimetransition AT âkuninmv magnetotransportin2dstructuresningaasgaaswithdoublequantumwellsinthevicinityofinsulatortoquantumhalleffectregimetransition |