Buchumschlag

Квантовый эффект Холла в двойной квантовой яме InAs/AlSb

Впервые реализована двойная квантовая яма (ДКЯ) в гетеросистеме InAs/AlSb, характеризуемой большим g-фактором Ланде |g| = 15 формирующих ямы слоев InAs, несопоставимым с объемным g-фактором |g| = 0,44 GaAs в традиционных ДКЯ GaAs/AlGaAs. Качество образцов достаточно хорошее для наблюдения четкой кар...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физика низких температур
Datum:	2009
Hauptverfasser:	Якунин, М.В., Подгорных, С.М.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
Schlagworte:	XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116763
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Квантовый эффект Холла в двойной квантовой яме InAs/AlSb / М.В. Якунин, С.М. Подгорных // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 1. — С. 59-63. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
von: Савельев, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Спиновые эффекты и квантовые поправки к проводимости двумерных систем
von: Германенко, А.В.
Veröffentlicht: (2009)

Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI
von: Лашкарев, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Особенности ферромагнитного упорядочения в разбавленных магнитных диэлектриках
von: Кикоин, К.
Veröffentlicht: (2009)

XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2009)

Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
von: Квон, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

On origin of room temperature ferromagnetism in wide gap semiconductors
von: Korbecka, Anna, et al.
Veröffentlicht: (2009)

Проявление переходов с переносом заряда в спектрах фотолюминесценции оксидных материалов Zn₁–xMexO (Me — Mn, Ni, Co)
von: Соколов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле
von: Рожанский, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Doped nanoparticles for optoelectronics applications
von: Godlewski, M., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Мягкие рентгеновские эмиссионные спектры и ферромагнетизм в широкозонных легированных полупроводниках
von: Суркова, Т.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Сверхпроводящие свойства новых гетерофуллеридов
von: Кульбачинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Донорный экситон кобальта и его взаимодействие с колебаниями решетки в полупроводниковом кристалле ZnO:Co
von: Груздев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Ультразвуковые исследования эффекта Яна-Теллера в кристалле ZnSe:Fe²⁺
von: Гудков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Резонансное изменение кинетических коэффициентов в двумерной электронной системе со спин-орбитальным взаимодействием
von: Ляпилин, И.И.
Veröffentlicht: (2009)

Обнаружение и интерпретация низкотемпературных особенностей фононной теплопроводности кристаллов селенида ртути с примесями переходных 3d-элементов
von: Лончаков, А.Т., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Statistical model structure of A₁₋xZxB₂ Laves phase C15 system - the superconducting Ce₁₋xLaxRu₂ alloy
von: Robouch, B.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Электроны вблизи края графена
von: Волков, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Электронные интерферометры в режиме квантового эффекта Холла
von: Девятов, Э.В.
Veröffentlicht: (2013)

Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Квантовый транспорт через многоуровневую магнитную структуру при учете процессов многократного неупругого рассеяния в магнитном поле
von: Вальков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия
von: Клепикова, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
von: Вальков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе
von: Кульбачинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Новые проявления псевдощелевого состояния и спинового рассеяния электронов в низкотемпературных тепловых свойствах сплавов железо–ванадий–алюминий почти стехиометрического состава
von: Лончаков, А.Т., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента
von: Окулов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Новые данные и развитие представлений об электронной системе гибридизированных состояний примесных атомов кобальта в кристалле селенида ртути
von: Говоркова, Т.Е., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Образование двойной квантовой ямы в самосогласованной широкой квантовой яме p-типа
von: Альшанский, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Мезоскопические состояния в графене, находящемся в магнитном поле: коллапс и возрождение волновых пакетов
von: Демиховский, В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Свойства твердых растворов, легированных пленок и нанокомпозитных систем на основе оксида цинка
von: Лашкарев, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
von: Парфеньев, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications
von: Godlewski, M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

XV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2004)

О некоторых экспериментальных методах и трюках
von: Долгополов, В.Т.
Veröffentlicht: (2011)

Occupation preference values in doped CmIm' multinaries from EXAFS and FTIR correlative analysis
von: Robouch, B.V., et al.
Veröffentlicht: (2011)