Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2008
• 1. Verfasser: Хижный, В.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
• Schlagworte: Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116774
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si / В.И. Хижный // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 1. — С. 79-85. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Методом высокочастотной гибридной акустической спектроскопии на частоте ~ 225 МГц изучена
 температурная зависимость эффективности линейной генерации звуковых волн электрическими полями
 в модуляционно-легированных гетероструктурах Si1–xGex /Si. Показано, что сигнал конверсии
 для области температур 4,2–150 К связан с наличием областей пространственного заряда в структуре
 и кулоновским механизмом возбуждения продольных акустических волн электрическим полем, нормальным
 к поверхности планарной структуры. Изучено влияние содержания атомов Ge x в когерентно-
 напряженных слоях SiGe на амплитуду сигнала конверсии. Обнаружена высокая чувствительной
 величины эффекта к изменению индекса x в интервале 0,1 < x < 0,13. Обсуждается влияние возможной
 пьезоактивности слоев SiGe, а также зарядов на глубоких ловушках вблизи границ раздела
 Si/SiGe/Si на величину сигнала конверсии. Методом високочастотної гібридної акустичної спектроскопії на частоті ~ 225 МГц вивчено температурну
 залежність ефективності лінійної генерації звукових хвиль електричними полями в модуляц
 ійно-легованих гетероструктурах Si1–xGex/Si. Показано, що сигнал конверсії для області температур
 4,2–150 К пов’язаний з наявністю областей просторового заряду в структурі й кулонівським
 механізмом порушення поздовжніх акустичних хвиль електричним полем, нормальним до поверхні
 планарної структури. Вивчено вплив вмісту атомів Ge x у когерентно-напружених шарах SiGe на
 амплітуду сигналу конверсії. Виявлено високу чутливість величини ефекту до зміни індексу x в інтервал
 і 0,1 < x < 0,13. Обговорюється вплив можливої п’єзоактивності шарів SiGe, а також зарядів на
 глибоких пастках поблизу межи поділу Si/SiGe/Si на величину сигналу конверсії. The temperature dependence of the efficiency
 of acoustic wave linear generation by electric fields
 in modulation-doped Si1–xGex/Si heterostructures
 has been studied by the HF-hybrid acoustic spectroscopic
 method at a frequency of ~ 225 MHz. It is
 shown that the conversion signal at temperatures
 ranged from 4,2 to 150 K is associated with the existence
 of space-charge regions in the structure and
 the Coulomb mechanism of electric excitation of
 acoustic waves. The effect of Ge atom content, x,
 in coherence-stressed SiGe layers on the conversion
 signal amplitude is investigated. The effect is
 found to be very sensitive to variations of x in the
 interval 0.1 < x < 0.13. The influence of some possible
 piezoactivity of the SiGe layers and the changes
 on deep traps in the vicinity of Si/SiGe/Si interfaces
 on the conversion signal is discussed.