Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
Методом высокочастотной гибридной акустической спектроскопии на частоте ~ 225 МГц изучена
 температурная зависимость эффективности линейной генерации звуковых волн электрическими полями
 в модуляционно-легированных гетероструктурах Si1–xGex /Si. Показано, что сигнал конверсии
...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116774 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si / В.И. Хижный // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 1. — С. 79-85. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862657184057262080 |
|---|---|
| author | Хижный, В.И. |
| author_facet | Хижный, В.И. |
| citation_txt | Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si / В.И. Хижный // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 1. — С. 79-85. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Методом высокочастотной гибридной акустической спектроскопии на частоте ~ 225 МГц изучена
температурная зависимость эффективности линейной генерации звуковых волн электрическими полями
в модуляционно-легированных гетероструктурах Si1–xGex /Si. Показано, что сигнал конверсии
для области температур 4,2–150 К связан с наличием областей пространственного заряда в структуре
и кулоновским механизмом возбуждения продольных акустических волн электрическим полем, нормальным
к поверхности планарной структуры. Изучено влияние содержания атомов Ge x в когерентно-
напряженных слоях SiGe на амплитуду сигнала конверсии. Обнаружена высокая чувствительной
величины эффекта к изменению индекса x в интервале 0,1 < x < 0,13. Обсуждается влияние возможной
пьезоактивности слоев SiGe, а также зарядов на глубоких ловушках вблизи границ раздела
Si/SiGe/Si на величину сигнала конверсии.
Методом високочастотної гібридної акустичної спектроскопії на частоті ~ 225 МГц вивчено температурну
залежність ефективності лінійної генерації звукових хвиль електричними полями в модуляц
ійно-легованих гетероструктурах Si1–xGex/Si. Показано, що сигнал конверсії для області температур
4,2–150 К пов’язаний з наявністю областей просторового заряду в структурі й кулонівським
механізмом порушення поздовжніх акустичних хвиль електричним полем, нормальним до поверхні
планарної структури. Вивчено вплив вмісту атомів Ge x у когерентно-напружених шарах SiGe на
амплітуду сигналу конверсії. Виявлено високу чутливість величини ефекту до зміни індексу x в інтервал
і 0,1 < x < 0,13. Обговорюється вплив можливої п’єзоактивності шарів SiGe, а також зарядів на
глибоких пастках поблизу межи поділу Si/SiGe/Si на величину сигналу конверсії.
The temperature dependence of the efficiency
of acoustic wave linear generation by electric fields
in modulation-doped Si1–xGex/Si heterostructures
has been studied by the HF-hybrid acoustic spectroscopic
method at a frequency of ~ 225 MHz. It is
shown that the conversion signal at temperatures
ranged from 4,2 to 150 K is associated with the existence
of space-charge regions in the structure and
the Coulomb mechanism of electric excitation of
acoustic waves. The effect of Ge atom content, x,
in coherence-stressed SiGe layers on the conversion
signal amplitude is investigated. The effect is
found to be very sensitive to variations of x in the
interval 0.1 < x < 0.13. The influence of some possible
piezoactivity of the SiGe layers and the changes
on deep traps in the vicinity of Si/SiGe/Si interfaces
on the conversion signal is discussed.
|
| first_indexed | 2025-12-02T05:37:02Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116774 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T05:37:02Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Хижный, В.И. 2017-05-15T11:13:59Z 2017-05-15T11:13:59Z 2008 Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si / В.И. Хижный // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 1. — С. 79-85. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.50.Rb;73.61.Cw;73.50.Mx https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116774 Методом высокочастотной гибридной акустической спектроскопии на частоте ~ 225 МГц изучена
 температурная зависимость эффективности линейной генерации звуковых волн электрическими полями
 в модуляционно-легированных гетероструктурах Si1–xGex /Si. Показано, что сигнал конверсии
 для области температур 4,2–150 К связан с наличием областей пространственного заряда в структуре
 и кулоновским механизмом возбуждения продольных акустических волн электрическим полем, нормальным
 к поверхности планарной структуры. Изучено влияние содержания атомов Ge x в когерентно-
 напряженных слоях SiGe на амплитуду сигнала конверсии. Обнаружена высокая чувствительной
 величины эффекта к изменению индекса x в интервале 0,1 < x < 0,13. Обсуждается влияние возможной
 пьезоактивности слоев SiGe, а также зарядов на глубоких ловушках вблизи границ раздела
 Si/SiGe/Si на величину сигнала конверсии. Методом високочастотної гібридної акустичної спектроскопії на частоті ~ 225 МГц вивчено температурну
 залежність ефективності лінійної генерації звукових хвиль електричними полями в модуляц
 ійно-легованих гетероструктурах Si1–xGex/Si. Показано, що сигнал конверсії для області температур
 4,2–150 К пов’язаний з наявністю областей просторового заряду в структурі й кулонівським
 механізмом порушення поздовжніх акустичних хвиль електричним полем, нормальним до поверхні
 планарної структури. Вивчено вплив вмісту атомів Ge x у когерентно-напружених шарах SiGe на
 амплітуду сигналу конверсії. Виявлено високу чутливість величини ефекту до зміни індексу x в інтервал
 і 0,1 < x < 0,13. Обговорюється вплив можливої п’єзоактивності шарів SiGe, а також зарядів на
 глибоких пастках поблизу межи поділу Si/SiGe/Si на величину сигналу конверсії. The temperature dependence of the efficiency
 of acoustic wave linear generation by electric fields
 in modulation-doped Si1–xGex/Si heterostructures
 has been studied by the HF-hybrid acoustic spectroscopic
 method at a frequency of ~ 225 MHz. It is
 shown that the conversion signal at temperatures
 ranged from 4,2 to 150 K is associated with the existence
 of space-charge regions in the structure and
 the Coulomb mechanism of electric excitation of
 acoustic waves. The effect of Ge atom content, x,
 in coherence-stressed SiGe layers on the conversion
 signal amplitude is investigated. The effect is
 found to be very sensitive to variations of x in the
 interval 0.1 < x < 0.13. The influence of some possible
 piezoactivity of the SiGe layers and the changes
 on deep traps in the vicinity of Si/SiGe/Si interfaces
 on the conversion signal is discussed. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si Electroacoustic conversion in modulation-doped SiGe/Si heterostructures Article published earlier |
| spellingShingle | Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si Хижный, В.И. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| title | Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si |
| title_alt | Electroacoustic conversion in modulation-doped SiGe/Si heterostructures |
| title_full | Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si |
| title_fullStr | Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si |
| title_full_unstemmed | Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si |
| title_short | Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si |
| title_sort | электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах sige/si |
| topic | Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| topic_facet | Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116774 |
| work_keys_str_mv | AT hižnyivi élektroakustičeskaâkonversiâvmodulâcionnolegirovannyhgeterostrukturahsigesi AT hižnyivi electroacousticconversioninmodulationdopedsigesiheterostructures |