Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si - Хижный, В.И. (Физика низких температур, 2008)
Методом высокочастотной гибридной акустической спектроскопии на частоте ~ 225 МГц изучена
температурная зависимость эффективности линейной генерации звуковых волн электрическими полями
в модуляционно-легированных гетероструктурах Si1–xGex /Si. Показано, что сигнал конверсии
для области температур 4,2–150 К связан с наличием областей пространственного заряда в структуре
и кулоновским механизмом возбуждения продольных акустических волн электрическим полем, нормальным
к поверхности планарной структуры. Изучено влияние содержания атомов Ge x в когерентно-
напряженных слоях SiGe на амплитуду сигнала конверсии. Обнаружена высокая чувствительной
величины эффекта к изменению индекса x в интервале 0,1 < x < 0,13. Обсуждается влияние возможной
пьезоактивности слоев SiGe, а также зарядов на глубоких ловушках вблизи границ раздела
Si/SiGe/Si на величину сигнала конверсии. Методом високочастотної гібридної акустичної спектроскопії на частоті ~ 225 МГц вивчено температурну
залежність ефективності лінійної генерації звукових хвиль електричними полями в модуляц
ійно-легованих гетероструктурах Si1–xGex/Si. Показано, що сигнал конверсії для області температур
4,2–150 К пов’язаний з наявністю областей просторового заряду в структурі й кулонівським
механізмом порушення поздовжніх акустичних хвиль електричним полем, нормальним до поверхні
планарної структури. Вивчено вплив вмісту атомів Ge x у когерентно-напружених шарах SiGe на
амплітуду сигналу конверсії. Виявлено високу чутливість величини ефекту до зміни індексу x в інтервал
і 0,1 < x < 0,13. Обговорюється вплив можливої п’єзоактивності шарів SiGe, а також зарядів на
глибоких пастках поблизу межи поділу Si/SiGe/Si на величину сигналу конверсії. The temperature dependence of the efficiency
of acoustic wave linear generation by electric fields
in modulation-doped Si1–xGex/Si heterostructures
has been studied by the HF-hybrid acoustic spectroscopic
method at a frequency of ~ 225 MHz. It is
shown that the conversion signal at temperatures
ranged from 4,2 to 150 K is associated with the existence
of space-charge regions in the structure and
the Coulomb mechanism of electric excitation of
acoustic waves. The effect of Ge atom content, x,
in coherence-stressed SiGe layers on the conversion
signal amplitude is investigated. The effect is
found to be very sensitive to variations of x in the
interval 0.1 < x < 0.13. The influence of some possible
piezoactivity of the SiGe layers and the changes
on deep traps in the vicinity of Si/SiGe/Si interfaces
on the conversion signal is discussed.