Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд)
Узагальнено матеріал з дослідження мікроплазмового контрольованого пробою в InGaN/GaN гетероструктурах світлодіодів та в різноманітних GaN, GaAs, GaP, SiC, Si, ZnO структурах. Установлено, що характеристики мікроплазм світлодіодних структур прямо пов’язані з їх функціональними параметрами. Показано,...
Saved in:
| Published in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Date: | 2016 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116781 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд) / В.П. Велещук, О.І. Власенко, З.К. Власенко, Д.М. Хміль, О.М. Камуз, В.В. Борщ // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 31-42. — Бібліогр.: 75 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Узагальнено матеріал з дослідження мікроплазмового контрольованого пробою в InGaN/GaN гетероструктурах світлодіодів та в різноманітних GaN, GaAs, GaP, SiC, Si, ZnO структурах. Установлено, що характеристики мікроплазм світлодіодних структур прямо пов’язані з їх функціональними параметрами. Показано, що за люмінесцентними та електричними характеристиками мікроплазм можливі експресний неруйнівний контроль та діагностика ІnGaN/GaN потужних світлодіодів. Досліджено спектри електролюмінесценції мікроплазм та встановлено джерела мікроплазм в ІnGaN/GaN гетероструктурах.
Results of researching the controlled microplasma breakdown in the LED InGaN/GaN heterostructures and various GaN, GaAs, GaP, SiC, Si, ZnO structures have been generalized. It has been ascertained that parameters of the microplasmas in LEDs are directly related with their functional parameters. It has been shown that non-destructive express control and diagnostics of power InGaN/GaN LEDs are possible when being based on the luminescent and electric parameters of microplasmas. The electroluminescence spectra of the microplasmas have been researched and the sources of microplasmas in the InGaN/GaN heterostructures have been determined.
|
|---|---|
| ISSN: | 0233-7577 |