Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд)

Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд)

Узагальнено матеріал з дослідження мікроплазмового контрольованого пробою в InGaN/GaN гетероструктурах світлодіодів та в різноманітних GaN, GaAs, GaP, SiC, Si, ZnO структурах. Установлено, що характеристики мікроплазм світлодіодних структур прямо пов’язані з їх функціональними параметрами. Показано,...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Date:2016
Main Authors: Велещук, В.П., Власенко, О.І., Власенко, З.К., Хміль, Д.М., Камуз, О.М., Борщ, В.В.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116781
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд) / В.П. Велещук, О.І. Власенко, З.К. Власенко, Д.М. Хміль, О.М. Камуз, В.В. Борщ // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 31-42. — Бібліогр.: 75 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116781
record_format dspace
spelling Велещук, В.П.
Власенко, О.І.
Власенко, З.К.
Хміль, Д.М.
Камуз, О.М.
Борщ, В.В.
2017-05-15T14:52:06Z
2017-05-15T14:52:06Z
2016
Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд) / В.П. Велещук, О.І. Власенко, З.К. Власенко, Д.М. Хміль, О.М. Камуз, В.В. Борщ // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 31-42. — Бібліогр.: 75 назв. — укр.
0233-7577
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116781
621.383:621.381.2
Узагальнено матеріал з дослідження мікроплазмового контрольованого пробою в InGaN/GaN гетероструктурах світлодіодів та в різноманітних GaN, GaAs, GaP, SiC, Si, ZnO структурах. Установлено, що характеристики мікроплазм світлодіодних структур прямо пов’язані з їх функціональними параметрами. Показано, що за люмінесцентними та електричними характеристиками мікроплазм можливі експресний неруйнівний контроль та діагностика ІnGaN/GaN потужних світлодіодів. Досліджено спектри електролюмінесценції мікроплазм та встановлено джерела мікроплазм в ІnGaN/GaN гетероструктурах.
Results of researching the controlled microplasma breakdown in the LED InGaN/GaN heterostructures and various GaN, GaAs, GaP, SiC, Si, ZnO structures have been generalized. It has been ascertained that parameters of the microplasmas in LEDs are directly related with their functional parameters. It has been shown that non-destructive express control and diagnostics of power InGaN/GaN LEDs are possible when being based on the luminescent and electric parameters of microplasmas. The electroluminescence spectra of the microplasmas have been researched and the sources of microplasmas in the InGaN/GaN heterostructures have been determined.
Публікація містить результати досліджень, проведених при грантовій підтримці Державного фонду фундаментальних досліджень за конкурсним проектом Ф 64/16 – 2016, № держреєстрації 0116U003954.
uk
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд)
Non-destructive control and diagnostics of led GaN structures by using microplasmas (Review)
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд)
spellingShingle Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд)
Велещук, В.П.
Власенко, О.І.
Власенко, З.К.
Хміль, Д.М.
Камуз, О.М.
Борщ, В.В.
title_short Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд)
title_full Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд)
title_fullStr Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд)
title_full_unstemmed Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд)
title_sort неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі gаn за мікроплазмами (огляд)
author Велещук, В.П.
Власенко, О.І.
Власенко, З.К.
Хміль, Д.М.
Камуз, О.М.
Борщ, В.В.
author_facet Велещук, В.П.
Власенко, О.І.
Власенко, З.К.
Хміль, Д.М.
Камуз, О.М.
Борщ, В.В.
publishDate 2016
language Ukrainian
container_title Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Non-destructive control and diagnostics of led GaN structures by using microplasmas (Review)
description Узагальнено матеріал з дослідження мікроплазмового контрольованого пробою в InGaN/GaN гетероструктурах світлодіодів та в різноманітних GaN, GaAs, GaP, SiC, Si, ZnO структурах. Установлено, що характеристики мікроплазм світлодіодних структур прямо пов’язані з їх функціональними параметрами. Показано, що за люмінесцентними та електричними характеристиками мікроплазм можливі експресний неруйнівний контроль та діагностика ІnGaN/GaN потужних світлодіодів. Досліджено спектри електролюмінесценції мікроплазм та встановлено джерела мікроплазм в ІnGaN/GaN гетероструктурах. Results of researching the controlled microplasma breakdown in the LED InGaN/GaN heterostructures and various GaN, GaAs, GaP, SiC, Si, ZnO structures have been generalized. It has been ascertained that parameters of the microplasmas in LEDs are directly related with their functional parameters. It has been shown that non-destructive express control and diagnostics of power InGaN/GaN LEDs are possible when being based on the luminescent and electric parameters of microplasmas. The electroluminescence spectra of the microplasmas have been researched and the sources of microplasmas in the InGaN/GaN heterostructures have been determined.
issn 0233-7577
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116781
fulltext
citation_txt Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд) / В.П. Велещук, О.І. Власенко, З.К. Власенко, Д.М. Хміль, О.М. Камуз, В.В. Борщ // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 31-42. — Бібліогр.: 75 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT veleŝukvp neruinívniikontrolʹtadíagnostikasvítlodíodnihstrukturnaosnovíganzamíkroplazmamioglâd
AT vlasenkooí neruinívniikontrolʹtadíagnostikasvítlodíodnihstrukturnaosnovíganzamíkroplazmamioglâd
AT vlasenkozk neruinívniikontrolʹtadíagnostikasvítlodíodnihstrukturnaosnovíganzamíkroplazmamioglâd
AT hmílʹdm neruinívniikontrolʹtadíagnostikasvítlodíodnihstrukturnaosnovíganzamíkroplazmamioglâd
AT kamuzom neruinívniikontrolʹtadíagnostikasvítlodíodnihstrukturnaosnovíganzamíkroplazmamioglâd
AT borŝvv neruinívniikontrolʹtadíagnostikasvítlodíodnihstrukturnaosnovíganzamíkroplazmamioglâd
AT veleŝukvp nondestructivecontrolanddiagnosticsofledganstructuresbyusingmicroplasmasreview
AT vlasenkooí nondestructivecontrolanddiagnosticsofledganstructuresbyusingmicroplasmasreview
AT vlasenkozk nondestructivecontrolanddiagnosticsofledganstructuresbyusingmicroplasmasreview
AT hmílʹdm nondestructivecontrolanddiagnosticsofledganstructuresbyusingmicroplasmasreview
AT kamuzom nondestructivecontrolanddiagnosticsofledganstructuresbyusingmicroplasmasreview
AT borŝvv nondestructivecontrolanddiagnosticsofledganstructuresbyusingmicroplasmasreview
first_indexed 2025-11-24T09:07:56Z
last_indexed 2025-11-24T09:07:56Z
_version_ 1850844495975809024

Similar Items