Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд)

• Veröffentlicht in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Datum: 2016
• Hauptverfasser: Велещук, В.П., Власенко, О.І., Власенко, З.К., Хміль, Д.М., Камуз, О.М., Борщ, В.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116781
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд) / В.П. Велещук, О.І. Власенко, З.К. Власенко, Д.М. Хміль, О.М. Камуз, В.В. Борщ // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 31-42. — Бібліогр.: 75 назв. — укр.

Узагальнено матеріал з дослідження мікроплазмового контрольованого пробою в InGaN/GaN гетероструктурах світлодіодів та в різноманітних GaN, GaAs, GaP, SiC, Si, ZnO структурах. Установлено, що характеристики мікроплазм світлодіодних структур прямо пов’язані з їх функціональними параметрами. Показано,...