InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)

• Опубліковано в: : Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Дата: 2016
• Автори: Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Матіюк, І.М., Ткачук, А.І.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116783
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 69-90. — Бібліогр.: 82 назв. — укр.

Проаналізовано найбільш важливі технологічні операції виготовлення дифузійних InSb фотодіодів – хіміко-механічне та хіміко-динамічне полірування поверхні підкладок, пасивацію активної області фотодіодів та способи її реалізації, дифузію акцепторної домішки кадмію. Детально описано способи виготовлення дифузійних InSb p-n-переходів, у яких загальний темновий струм визначається сумою генераційно-рекомбінаційної та дифузійної складових. Узагальнено літературні дані з технології виготовлення InSb фотодіодів. Analyzed have been the most important technological operations used for preparing the diffusion InSb photodiodes, namely: chemical-mechanical and chemical-dynamic polishing the surface of substrates, passivation of photodiode active area and methods of its realization, diffusion of cadmium as an acceptor impurity. The methods of manufacturing the diffusion InSb p-n junctions, in which the total dark current is determined by summing the generation-recombination and diffusion components have been described in details. The published data on manufacturing technology of InSb photodiodes have been generalized.