InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
Проаналізовано найбільш важливі технологічні операції виготовлення дифузійних InSb фотодіодів – хіміко-механічне та хіміко-динамічне полірування поверхні підкладок, пасивацію активної області фотодіодів та способи її реалізації, дифузію акцепторної домішки кадмію. Детально описано способи виготовлен...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116783 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 69-90. — Бібліогр.: 82 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862707804889939968 |
|---|---|
| author | Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Матіюк, І.М. Ткачук, А.І. |
| author_facet | Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Матіюк, І.М. Ткачук, А.І. |
| citation_txt | InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 69-90. — Бібліогр.: 82 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Проаналізовано найбільш важливі технологічні операції виготовлення дифузійних InSb фотодіодів – хіміко-механічне та хіміко-динамічне полірування поверхні підкладок, пасивацію активної області фотодіодів та способи її реалізації, дифузію акцепторної домішки кадмію. Детально описано способи виготовлення дифузійних InSb p-n-переходів, у яких загальний темновий струм визначається сумою генераційно-рекомбінаційної та дифузійної складових. Узагальнено літературні дані з технології виготовлення InSb фотодіодів.
Analyzed have been the most important technological operations used for preparing the diffusion InSb photodiodes, namely: chemical-mechanical and chemical-dynamic polishing the surface of substrates, passivation of photodiode active area and methods of its realization, diffusion of cadmium as an acceptor impurity. The methods of manufacturing the diffusion InSb p-n junctions, in which the total dark current is determined by summing the generation-recombination and diffusion components have been described in details. The published data on manufacturing technology of InSb photodiodes have been generalized.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:07:09Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116783 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:07:09Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Матіюк, І.М. Ткачук, А.І. 2017-05-15T14:55:47Z 2017-05-15T14:55:47Z 2016 InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 69-90. — Бібліогр.: 82 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116783 621.315.592 Проаналізовано найбільш важливі технологічні операції виготовлення дифузійних InSb фотодіодів – хіміко-механічне та хіміко-динамічне полірування поверхні підкладок, пасивацію активної області фотодіодів та способи її реалізації, дифузію акцепторної домішки кадмію. Детально описано способи виготовлення дифузійних InSb p-n-переходів, у яких загальний темновий струм визначається сумою генераційно-рекомбінаційної та дифузійної складових. Узагальнено літературні дані з технології виготовлення InSb фотодіодів. Analyzed have been the most important technological operations used for preparing the diffusion InSb photodiodes, namely: chemical-mechanical and chemical-dynamic polishing the surface of substrates, passivation of photodiode active area and methods of its realization, diffusion of cadmium as an acceptor impurity. The methods of manufacturing the diffusion InSb p-n junctions, in which the total dark current is determined by summing the generation-recombination and diffusion components have been described in details. The published data on manufacturing technology of InSb photodiodes have been generalized. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) InSb Photodiodes (Review, Part II) Article published earlier |
| spellingShingle | InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Матіюк, І.М. Ткачук, А.І. |
| title | InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) |
| title_alt | InSb Photodiodes (Review, Part II) |
| title_full | InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) |
| title_fullStr | InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) |
| title_full_unstemmed | InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) |
| title_short | InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) |
| title_sort | insb фотодіоди (огляд. частина ii) |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116783 |
| work_keys_str_mv | AT sukačav insbfotodíodioglâdčastinaii AT tetʹorkínvv insbfotodíodioglâdčastinaii AT matíûkím insbfotodíodioglâdčastinaii AT tkačukaí insbfotodíodioglâdčastinaii AT sukačav insbphotodiodesreviewpartii AT tetʹorkínvv insbphotodiodesreviewpartii AT matíûkím insbphotodiodesreviewpartii AT tkačukaí insbphotodiodesreviewpartii |