Особливості фотонних кристалів (огляд)

• Опубліковано в: : Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Дата: 2016
• Автори: Лисюк, В.О., Костюкевич, С.О., Костюкевич, К.В., Коптюх, А.А., Стащук, В.С.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116784
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Особливості фотонних кристалів (огляд) / В.О. Лисюк, С.О. Костюкевич, К.В. Костюкевич, А.А. Коптюх, В.С. Стащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 91-103. — Бібліогр.: 31 назв. — укр.

У роботі розглянуто особливості функціонування фотонних кристалів, методи створення фотонної забороненої зони та види математичного моделювання. Особливу увагу приділено методам виготовлення фотонних кристалів та принципам побудови гібридних фотонних сенсорів та пристроїв. Розглянуто перспективи використання описаних технологій для виготовленні різноманітних приладів та систем. The peculiarities of the photonic crystal operation, methods of creating the photonic band gap and math modeling have been considered. Special attention was paid to methods of manufactoring the photonic crystals and principles of development of hybrid photonic sensors and devices. Perspectives for applications of the described technologies for manufacturing the various devices and systems have been reviewed.