Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації
Виконано чисельний розрахунок розподілу фотодірок у макропористому кремнії при освітленні світлом з довжинами хвиль 0,95 та 1,05 мкм. Розрахунки проведено для макропористого кремнію з різною глибиною макропор та різною товщиною монокристалічної підкладки. Показано, що існує два максимуми в розподілі...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|---|---|
| Datum: | 2016 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116793 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації / В.Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 158-162. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862728078920253440 |
|---|---|
| author | Онищенко, В.Ф. |
| author_facet | Онищенко, В.Ф. |
| citation_txt | Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації / В.Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 158-162. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| description | Виконано чисельний розрахунок розподілу фотодірок у макропористому кремнії при освітленні світлом з довжинами хвиль 0,95 та 1,05 мкм. Розрахунки проведено для макропористого кремнію з різною глибиною макропор та різною товщиною монокристалічної підкладки. Показано, що існує два максимуми в розподілі фотоносіїв заряду в макропористому кремнії, якщо він освітлюється світлом з довжиною хвилі 0,95 мкм. Перший максимум розподілу фотодірок у макропористому кремнії знаходиться в макропористому шарі, другий максимум – у монокристалічній підкладці. Також було показано існування одного максимуму розподілу фотоносіїв у макропористому кремнії, який знаходиться в монокристалічній підкладці, при освітленні світлом довжиною хвилі 1,05 мкм.
The numerical calculation of the photohole distribution in macroporous silicon when exposing to light with the wavelengths 0.95, 1.05 μm has been performed. The calculation has been performed for macroporous silicon with various depths of macropores and various thicknesses of the single-crystal substrates. It has been shown that there are two maxima in the distribution of photocarriers in macroporous silicon if it is exposed to light with the wavelength 0.95 μm. The first maximum of photohole distribution in macroporous silicon is located in the macroporous layer, the second maximum – in the single-crystal substrate. It has been also shown that there is one maximum in the photocarrier distribution in macroporous silicon that are located in the single-crystal substrate when exposing to light with the wavelength 1.05 μm.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:06:38Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116793 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7577 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:06:38Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Онищенко, В.Ф. 2017-05-15T15:15:00Z 2017-05-15T15:15:00Z 2016 Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації / В.Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 158-162. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. 0233-7577 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116793 621.315.592 Виконано чисельний розрахунок розподілу фотодірок у макропористому кремнії при освітленні світлом з довжинами хвиль 0,95 та 1,05 мкм. Розрахунки проведено для макропористого кремнію з різною глибиною макропор та різною товщиною монокристалічної підкладки. Показано, що існує два максимуми в розподілі фотоносіїв заряду в макропористому кремнії, якщо він освітлюється світлом з довжиною хвилі 0,95 мкм. Перший максимум розподілу фотодірок у макропористому кремнії знаходиться в макропористому шарі, другий максимум – у монокристалічній підкладці. Також було показано існування одного максимуму розподілу фотоносіїв у макропористому кремнії, який знаходиться в монокристалічній підкладці, при освітленні світлом довжиною хвилі 1,05 мкм. The numerical calculation of the photohole distribution in macroporous silicon when exposing to light with the wavelengths 0.95, 1.05 μm has been performed. The calculation has been performed for macroporous silicon with various depths of macropores and various thicknesses of the single-crystal substrates. It has been shown that there are two maxima in the distribution of photocarriers in macroporous silicon if it is exposed to light with the wavelength 0.95 μm. The first maximum of photohole distribution in macroporous silicon is located in the macroporous layer, the second maximum – in the single-crystal substrate. It has been also shown that there is one maximum in the photocarrier distribution in macroporous silicon that are located in the single-crystal substrate when exposing to light with the wavelength 1.05 μm. uk Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації Distribution of photocarriers in macroporous silicon in case of the spatially inhomogeneous generation of charge carriers Article published earlier |
| spellingShingle | Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації Онищенко, В.Ф. |
| title | Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації |
| title_alt | Distribution of photocarriers in macroporous silicon in case of the spatially inhomogeneous generation of charge carriers |
| title_full | Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації |
| title_fullStr | Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації |
| title_full_unstemmed | Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації |
| title_short | Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації |
| title_sort | розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116793 |
| work_keys_str_mv | AT oniŝenkovf rozpodílfotonosíívumakroporistomukremníípriíhneodnorídníigeneracíí AT oniŝenkovf distributionofphotocarriersinmacroporoussiliconincaseofthespatiallyinhomogeneousgenerationofchargecarriers |