Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації

• Veröffentlicht in: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Datum: 2016
• 1. Verfasser: Онищенко, В.Ф.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116793
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації / В.Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 158-162. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.

Виконано чисельний розрахунок розподілу фотодірок у макропористому кремнії при освітленні світлом з довжинами хвиль 0,95 та 1,05 мкм. Розрахунки проведено для макропористого кремнію з різною глибиною макропор та різною товщиною монокристалічної підкладки. Показано, що існує два максимуми в розподілі...