Вплив лазерного опромінення на процес впровадження водню в шаруваті кристали GaSe

• Опубліковано в: : Журнал физики и инженерии поверхности
• Дата: 2016
• Автори: Боледзюк, В.Б., Ковалюк, З.Д., Пирля, М.М., Поцілуйко, Р.Л.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2016
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116804
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Вплив лазерного опромінення на процес впровадження водню в шаруваті кристали GaSe / В.Б. Боледзюк, З.Д. Ковалюк, М.М. Пирля, Р.Л. Поцілуйко // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 1. — С. 13-16. — Бібліогр.: 7 назв. — укр.

В даній роботі представлено дослідження впливу лазерного опромінення зразків GaSe перед інтеркалюванням атомами водню. Досліджені спектри пропускання в областi екситонного поглинання для опромінених та неопромінених водневих інтеркалатів GaSe. Встановлена залежність положення екситонного максимуму сполук впровадження від напрямку попереднього опромінення. В данной работе представлено исследование влияния лазерного облучения образцов GaSe перед интеркаляцией атомами водорода. Исследованы спектры пропускания в области экситонного поглощения для облученных и необлученных водородных интеркалатов GaSe. Установлена зависимость положения экситонного максимума соединений внедрения от направления предварительного облучения. This article is a study of the effect of laser irradiation GaSe samples to intercalation by hydrogen atoms. The transmission spectra for of unirradiated and irradiated GaSe samples intercalated with hydrogen in the region of exciton absorption have been investigated. The dependence of position the excitonic maximum of compounds the towards the implementation of previous exposure has been established.