Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий

• Опубліковано в: : Журнал физики и инженерии поверхности
• Дата: 2016
• Автори: Алимов, Н.Э., Зайнолобиддинова, С.М., Отажонов, С.М., Халилов, М.М., Юсупова, Д.А., Якубова, Ш.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2016
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116808
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий / Н.Э. Алимов, С.М. Зайнолобиддинова, С.М. Отажонов, М.М. Халилов, Д.А. Юсупова, Ш. Якубова // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 1. — С. 52-56. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Изучены спектры тока короткого замыкания в структуре p-CdTe-SiO₂-Si в зависимости от величины внешнего воздействия. Наблюдается смещение спектров в коротковолновую область, вследствие чего в этих структурах изменяются энергии оптической активации глубокого уровня. Предлагается модель для распределения потенциала, деформирующего пространственное и энергетическое распределение носителя. Вивчені спектри струму короткого замикання в структурі p-CdTe-SiO₂-Si в залежності від величини зовнішнього впливу. Спостерігається зсув спектрів у короткохвильову область, внаслідок чого в цих структурах змінюються енергії оптичної активації глибокого рівня. Пропонується модель для розподілу потенціалу, що деформує просторовий та енергетичний розподіли носія. The spectors of short curcuit current in p-CdTe-SiO₂-Si structure according to the magnitude of external crown discharge in static rejime have been investigated. It`s observed the shift of spectors it the short-wave area due to the energy of optic activation of deep level has changed. The model for the distribution of spatial deformulating potential and energetic distribution of carriers is offered.