Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий
Изучены спектры тока короткого замыкания в структуре p-CdTe-SiO₂-Si в зависимости от величины внешнего воздействия. Наблюдается смещение спектров в коротковолновую область, вследствие чего в этих структурах изменяются энергии оптической активации глубокого уровня. Предлагается модель для распределен...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2016 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2016
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116808 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий / Н.Э. Алимов, С.М. Зайнолобиддинова, С.М. Отажонов, М.М. Халилов, Д.А. Юсупова, Ш. Якубова // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 1. — С. 52-56. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862555218833571840 |
|---|---|
| author | Алимов, Н.Э. Зайнолобиддинова, С.М. Отажонов, С.М. Халилов, М.М. Юсупова, Д.А. Якубова, Ш. |
| author_facet | Алимов, Н.Э. Зайнолобиддинова, С.М. Отажонов, С.М. Халилов, М.М. Юсупова, Д.А. Якубова, Ш. |
| citation_txt | Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий / Н.Э. Алимов, С.М. Зайнолобиддинова, С.М. Отажонов, М.М. Халилов, Д.А. Юсупова, Ш. Якубова // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 1. — С. 52-56. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Журнал физики и инженерии поверхности |
| description | Изучены спектры тока короткого замыкания в структуре p-CdTe-SiO₂-Si в зависимости от величины внешнего воздействия. Наблюдается смещение спектров в коротковолновую область, вследствие чего в этих структурах изменяются энергии оптической активации глубокого уровня. Предлагается модель для распределения потенциала, деформирующего пространственное и энергетическое распределение носителя.
Вивчені спектри струму короткого замикання в структурі p-CdTe-SiO₂-Si в залежності від величини зовнішнього впливу. Спостерігається зсув спектрів у короткохвильову область, внаслідок чого в цих структурах змінюються енергії оптичної активації глибокого рівня. Пропонується модель для розподілу потенціалу, що деформує просторовий та енергетичний розподіли носія.
The spectors of short curcuit current in p-CdTe-SiO₂-Si structure according to the magnitude of external crown discharge in static rejime have been investigated. It`s observed the shift of spectors it the short-wave area due to the energy of optic activation of deep level has changed. The model for the distribution of spatial deformulating potential and energetic distribution of carriers is offered.
|
| first_indexed | 2025-11-25T22:20:32Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116808 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2519-2485 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T22:20:32Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Алимов, Н.Э. Зайнолобиддинова, С.М. Отажонов, С.М. Халилов, М.М. Юсупова, Д.А. Якубова, Ш. 2017-05-16T06:23:21Z 2017-05-16T06:23:21Z 2016 Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий / Н.Э. Алимов, С.М. Зайнолобиддинова, С.М. Отажонов, М.М. Халилов, Д.А. Юсупова, Ш. Якубова // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 1. — С. 52-56. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116808 621.315.593 Изучены спектры тока короткого замыкания в структуре p-CdTe-SiO₂-Si в зависимости от величины внешнего воздействия. Наблюдается смещение спектров в коротковолновую область, вследствие чего в этих структурах изменяются энергии оптической активации глубокого уровня. Предлагается модель для распределения потенциала, деформирующего пространственное и энергетическое распределение носителя. Вивчені спектри струму короткого замикання в структурі p-CdTe-SiO₂-Si в залежності від величини зовнішнього впливу. Спостерігається зсув спектрів у короткохвильову область, внаслідок чого в цих структурах змінюються енергії оптичної активації глибокого рівня. Пропонується модель для розподілу потенціалу, що деформує просторовий та енергетичний розподіли носія. The spectors of short curcuit current in p-CdTe-SiO₂-Si structure according to the magnitude of external crown discharge in static rejime have been investigated. It`s observed the shift of spectors it the short-wave area due to the energy of optic activation of deep level has changed. The model for the distribution of spatial deformulating potential and energetic distribution of carriers is offered. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Журнал физики и инженерии поверхности Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий Змінювання потенційних бар’єрів низькорозмірних тонких плівок p-CdTe в умовах зовнішніх впливів Changes of potential barriers of low-dimensional thin film p-CdTe conditions of external influences Article published earlier |
| spellingShingle | Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий Алимов, Н.Э. Зайнолобиддинова, С.М. Отажонов, С.М. Халилов, М.М. Юсупова, Д.А. Якубова, Ш. |
| title | Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий |
| title_alt | Змінювання потенційних бар’єрів низькорозмірних тонких плівок p-CdTe в умовах зовнішніх впливів Changes of potential barriers of low-dimensional thin film p-CdTe conditions of external influences |
| title_full | Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий |
| title_fullStr | Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий |
| title_full_unstemmed | Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий |
| title_short | Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий |
| title_sort | изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-cdte в условиях внешних воздействий |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116808 |
| work_keys_str_mv | AT alimovné izmeneniepotencialʹnyhbarʹerovnizkorazmernyhtonkihplenokpcdtevusloviâhvnešnihvozdeistvii AT zainolobiddinovasm izmeneniepotencialʹnyhbarʹerovnizkorazmernyhtonkihplenokpcdtevusloviâhvnešnihvozdeistvii AT otažonovsm izmeneniepotencialʹnyhbarʹerovnizkorazmernyhtonkihplenokpcdtevusloviâhvnešnihvozdeistvii AT halilovmm izmeneniepotencialʹnyhbarʹerovnizkorazmernyhtonkihplenokpcdtevusloviâhvnešnihvozdeistvii AT ûsupovada izmeneniepotencialʹnyhbarʹerovnizkorazmernyhtonkihplenokpcdtevusloviâhvnešnihvozdeistvii AT âkubovaš izmeneniepotencialʹnyhbarʹerovnizkorazmernyhtonkihplenokpcdtevusloviâhvnešnihvozdeistvii AT alimovné zmínûvannâpotencíinihbarêrívnizʹkorozmírnihtonkihplívokpcdtevumovahzovníšníhvplivív AT zainolobiddinovasm zmínûvannâpotencíinihbarêrívnizʹkorozmírnihtonkihplívokpcdtevumovahzovníšníhvplivív AT otažonovsm zmínûvannâpotencíinihbarêrívnizʹkorozmírnihtonkihplívokpcdtevumovahzovníšníhvplivív AT halilovmm zmínûvannâpotencíinihbarêrívnizʹkorozmírnihtonkihplívokpcdtevumovahzovníšníhvplivív AT ûsupovada zmínûvannâpotencíinihbarêrívnizʹkorozmírnihtonkihplívokpcdtevumovahzovníšníhvplivív AT âkubovaš zmínûvannâpotencíinihbarêrívnizʹkorozmírnihtonkihplívokpcdtevumovahzovníšníhvplivív AT alimovné changesofpotentialbarriersoflowdimensionalthinfilmpcdteconditionsofexternalinfluences AT zainolobiddinovasm changesofpotentialbarriersoflowdimensionalthinfilmpcdteconditionsofexternalinfluences AT otažonovsm changesofpotentialbarriersoflowdimensionalthinfilmpcdteconditionsofexternalinfluences AT halilovmm changesofpotentialbarriersoflowdimensionalthinfilmpcdteconditionsofexternalinfluences AT ûsupovada changesofpotentialbarriersoflowdimensionalthinfilmpcdteconditionsofexternalinfluences AT âkubovaš changesofpotentialbarriersoflowdimensionalthinfilmpcdteconditionsofexternalinfluences |