Механизмы проводимости в частично кристаллизованных пленках (La,Na)MnO₃ - Товстолыткин, А.И.; Горьков, Д.В.; Матвиенко, А.И. (Физика низких температур, 2008)
Исследованы электрические и магниторезистивные свойства частично кристаллизованных
пленок (La,Na)MnO₃ в области перехода парамагнетик–ферромагнетик. Объекты изучения — пленки
на поликоровых подложках, полученные методом магнетронного распыления при температурах подложки
300 и 500 °С. Выполнен анализ температурного поведения электрического сопротивления с
целью установления границ соответствия экспериментальных данных существующим теоретическим
моделям. Построена обобщенная картина эволюции механизмов проводимости при изменении температуры
и режимов термообработки образцов. Показано наличие корреляции между характером температурного
изменения магнитосопротивления и изменением механизмов проводимости. Установлены
характеристические температуры, которые описывают границы областей, внутри которых доминирует
определенный механизм проводимости. Досліджено електричні та магніторезистивні властивості частково кристалізованих плівок
(La,Na)MnO₃ в області переходу парамагнетик–феромагнетик. Об’єктами дослідження є плівки на
полікорових підкладинках, отримані методом магнетронного розпилення при температурах підкладинки
300 та 500 °С. Виконано аналіз температурної поведінки електричного опору з метою встановлення
меж відповідності експериментальних даних до існуючих теоретичних моделей. Побудовано узагальнену
картину еволюції механізмів провідності при зміні температури та режимів термообробки
зразків. Показано наявність кореляції між характером температурної зміни магнітоопору і зміною механ
ізмів провідності. Встановлено характеристичні температури, що описують межі областей, всередин
і яких домінує певний механізм провідності. The electric and magnetoresistive properties of
partially crystallized (La,Na)MnO₃ films are investigated
in the vicinity of paramagnet–ferromagnet
transition. The objects under investigation are the
films on polycrystalline Al₂O₃ substrates prepared
by the magnetron sputtering technique at substrate
temperatures of 300 and 500 °C. The temperature
behavior of electrical resistivity is analyzed to determine
the boundaries of correspondence between
the experimental data and the existing theoretical
models. A generalized picture which characterizes
the conduction mechanisms and their evolution with
temperature and heat treatment mode is constructed.
It is found that the behavior of the temperature
dependence of magnetoresistance is correlated with
changes in the conduction mechanisms. The characteristic
temperatures marking the boundaries of the
regions, within which a specific conduction mechanism
dominates, are found out.