Вязкость и релаксационные процессы в фонон-ротонной системе Не II
Методом колеблющегося кварцевого камертона измерена вязкость жидкого ⁴Не в области температур 0,2-2,2 К. Проведено количественное сравнение полученных экспериментальных данных с выводами современной кинетической теории фонон-ротонной системы сверхтекучего гелия. Проанализирована сложная иерархия рел...
Gespeichert in:
| Datum: | 2009 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2009
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116882 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Вязкость и релаксационные процессы в фонон-ротонной системе Не II / А.А. Задорожко, Э.Я. Рудавский, В.К. Чаговец, Г.А. Шешин // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 2. — С. 134-140. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Методом колеблющегося кварцевого камертона измерена вязкость жидкого ⁴Не в области температур 0,2-2,2 К. Проведено количественное сравнение полученных экспериментальных данных с выводами современной кинетической теории фонон-ротонной системы сверхтекучего гелия. Проанализирована сложная иерархия релаксационных процессов и определены роль и вклад каждого процесса в коэффициент вязкости. В гидродинамической области получено согласие между экспериментом и теорией. Проанализирован также переход от гидродинамического к баллистическому режиму течения фононов и найдена эффективная вязкость Не II при низких температурах. Показано, что положение максимума на температурной зависимости эффективной вязкости, полученное при использовании разных методов измерения, коррелирует с характерным размером измерительного устройства. |
|---|