Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте
В статье изучен 2D полупроводник, состоящий из тяжелых дырок и легких электронов. Ба-зовым условием является то, что электроны квантуются электромагнитным полем, а дырки остаются классическими. Предполагается, что взаимодействие между компонентами слабо или отсутствует. Используется кинетическое ура...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2016 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2016
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116931 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте / Н.Н. Чернышов, Н.И. Слипченко, В.М. Писаренко, М. Алкхавалдех, А.А. Слюсаренко, Е.В. Левченко // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 135-139. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862722595709779968 |
|---|---|
| author | Чернышов, Н.Н. Слипченко, Н.И. Писаренко, В.М. Алкхавалдех, М. Слюсаренко, А.А. Левченко, Е.В. |
| author_facet | Чернышов, Н.Н. Слипченко, Н.И. Писаренко, В.М. Алкхавалдех, М. Слюсаренко, А.А. Левченко, Е.В. |
| citation_txt | Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте / Н.Н. Чернышов, Н.И. Слипченко, В.М. Писаренко, М. Алкхавалдех, А.А. Слюсаренко, Е.В. Левченко // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 135-139. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Журнал физики и инженерии поверхности |
| description | В статье изучен 2D полупроводник, состоящий из тяжелых дырок и легких электронов. Ба-зовым условием является то, что электроны квантуются электромагнитным полем, а дырки остаются классическими. Предполагается, что взаимодействие между компонентами слабо или отсутствует. Используется кинетическое уравнение для дырок, которые сталкиваются с квантующими электронами. Установлено, что сопротивление и соответствующая поправка к рассеивающей проводимости σxx не исчезают при нулевой температуре из-за влияния уровней Ландау. Эта поправка возникает, когда уровень Ферми пересекает уровень Ландау. Найдены пределы применения кинетического уравнения и рассмотрено явление кинетической памяти, когда частицы многократно возвращаются к своим местам встречи.
У статті вивчено 2D напівпровідник, що складається з важких дірок та легких електронів. Базовою умовою є те, що електрони квантуються електромагнітним полем, а дірки залиша-ються класичними. Передбачається, що взаємодія між компонентами слаба або відсутня. Використовується кінетичне рівняння для дірок, які стикаються з квантуючими електронами. Встановлено, що опір та відповідна поправка до розсіювальної провідності σxx не зникають при нульовій температурі через вплив рівнів Ландау. Ця поправка виникає, коли рівень Фермі перетинає рівень Ландау. Знайдені межі застосування кінетичного рівняння і розглянуто явище кінетичної пам’яті, коли частинки багаторазово повертаються до своїх місць зустрічі.
The paper studies a 2D semiconductor consisting of heavy holes and light electrons. The basic condition is that the electrons are quantized by an electromagnetic field, and the holes are classic. It is assumed that the interaction between the components is weak or absent. The paper uses the kinetic equation for the holes that encounter with the quantizing electrons. It is found that the re-sistance and corresponding amendment to the scattering conductivity σxx do not disappear at zero temperature due to the influence of the Landau levels. This amendment arises when the Fermi level crosses the Landau level. The limits of applying the kinetic equation are found and the phenom-enon of kinetic memory is considered when the particles repeatedly return to their venues.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:37:17Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116931 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2519-2485 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:37:17Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Чернышов, Н.Н. Слипченко, Н.И. Писаренко, В.М. Алкхавалдех, М. Слюсаренко, А.А. Левченко, Е.В. 2017-05-18T12:25:30Z 2017-05-18T12:25:30Z 2016 Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте / Н.Н. Чернышов, Н.И. Слипченко, В.М. Писаренко, М. Алкхавалдех, А.А. Слюсаренко, Е.В. Левченко // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 135-139. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116931 621.039.05 В статье изучен 2D полупроводник, состоящий из тяжелых дырок и легких электронов. Ба-зовым условием является то, что электроны квантуются электромагнитным полем, а дырки остаются классическими. Предполагается, что взаимодействие между компонентами слабо или отсутствует. Используется кинетическое уравнение для дырок, которые сталкиваются с квантующими электронами. Установлено, что сопротивление и соответствующая поправка к рассеивающей проводимости σxx не исчезают при нулевой температуре из-за влияния уровней Ландау. Эта поправка возникает, когда уровень Ферми пересекает уровень Ландау. Найдены пределы применения кинетического уравнения и рассмотрено явление кинетической памяти, когда частицы многократно возвращаются к своим местам встречи. У статті вивчено 2D напівпровідник, що складається з важких дірок та легких електронів. Базовою умовою є те, що електрони квантуються електромагнітним полем, а дірки залиша-ються класичними. Передбачається, що взаємодія між компонентами слаба або відсутня. Використовується кінетичне рівняння для дірок, які стикаються з квантуючими електронами. Встановлено, що опір та відповідна поправка до розсіювальної провідності σxx не зникають при нульовій температурі через вплив рівнів Ландау. Ця поправка виникає, коли рівень Фермі перетинає рівень Ландау. Знайдені межі застосування кінетичного рівняння і розглянуто явище кінетичної пам’яті, коли частинки багаторазово повертаються до своїх місць зустрічі. The paper studies a 2D semiconductor consisting of heavy holes and light electrons. The basic condition is that the electrons are quantized by an electromagnetic field, and the holes are classic. It is assumed that the interaction between the components is weak or absent. The paper uses the kinetic equation for the holes that encounter with the quantizing electrons. It is found that the re-sistance and corresponding amendment to the scattering conductivity σxx do not disappear at zero temperature due to the influence of the Landau levels. This amendment arises when the Fermi level crosses the Landau level. The limits of applying the kinetic equation are found and the phenom-enon of kinetic memory is considered when the particles repeatedly return to their venues. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Журнал физики и инженерии поверхности Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте Провідність електронного газу, квантованого електромагнітним полем при фотогальванічному ефекті The conductivity of electron gas quantized by electromagnetic field at photovoltaic effect Article published earlier |
| spellingShingle | Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте Чернышов, Н.Н. Слипченко, Н.И. Писаренко, В.М. Алкхавалдех, М. Слюсаренко, А.А. Левченко, Е.В. |
| title | Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте |
| title_alt | Провідність електронного газу, квантованого електромагнітним полем при фотогальванічному ефекті The conductivity of electron gas quantized by electromagnetic field at photovoltaic effect |
| title_full | Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте |
| title_fullStr | Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте |
| title_full_unstemmed | Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте |
| title_short | Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте |
| title_sort | проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116931 |
| work_keys_str_mv | AT černyšovnn provodimostʹélektronnogogazakvantovannogoélektromagnitnympolemprifotogalʹvaničeskoméffekte AT slipčenkoni provodimostʹélektronnogogazakvantovannogoélektromagnitnympolemprifotogalʹvaničeskoméffekte AT pisarenkovm provodimostʹélektronnogogazakvantovannogoélektromagnitnympolemprifotogalʹvaničeskoméffekte AT alkhavaldehm provodimostʹélektronnogogazakvantovannogoélektromagnitnympolemprifotogalʹvaničeskoméffekte AT slûsarenkoaa provodimostʹélektronnogogazakvantovannogoélektromagnitnympolemprifotogalʹvaničeskoméffekte AT levčenkoev provodimostʹélektronnogogazakvantovannogoélektromagnitnympolemprifotogalʹvaničeskoméffekte AT černyšovnn provídnístʹelektronnogogazukvantovanogoelektromagnítnimpolemprifotogalʹvaníčnomuefektí AT slipčenkoni provídnístʹelektronnogogazukvantovanogoelektromagnítnimpolemprifotogalʹvaníčnomuefektí AT pisarenkovm provídnístʹelektronnogogazukvantovanogoelektromagnítnimpolemprifotogalʹvaníčnomuefektí AT alkhavaldehm provídnístʹelektronnogogazukvantovanogoelektromagnítnimpolemprifotogalʹvaníčnomuefektí AT slûsarenkoaa provídnístʹelektronnogogazukvantovanogoelektromagnítnimpolemprifotogalʹvaníčnomuefektí AT levčenkoev provídnístʹelektronnogogazukvantovanogoelektromagnítnimpolemprifotogalʹvaníčnomuefektí AT černyšovnn theconductivityofelectrongasquantizedbyelectromagneticfieldatphotovoltaiceffect AT slipčenkoni theconductivityofelectrongasquantizedbyelectromagneticfieldatphotovoltaiceffect AT pisarenkovm theconductivityofelectrongasquantizedbyelectromagneticfieldatphotovoltaiceffect AT alkhavaldehm theconductivityofelectrongasquantizedbyelectromagneticfieldatphotovoltaiceffect AT slûsarenkoaa theconductivityofelectrongasquantizedbyelectromagneticfieldatphotovoltaiceffect AT levčenkoev theconductivityofelectrongasquantizedbyelectromagneticfieldatphotovoltaiceffect |