Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте

• Veröffentlicht in: Журнал физики и инженерии поверхности
• Datum: 2016
• Hauptverfasser: Чернышов, Н.Н., Слипченко, Н.И., Писаренко, В.М., Алкхавалдех, М., Слюсаренко, А.А., Левченко, Е.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2016
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116931
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте / Н.Н. Чернышов, Н.И. Слипченко, В.М. Писаренко, М. Алкхавалдех, А.А. Слюсаренко, Е.В. Левченко // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 135-139. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

В статье изучен 2D полупроводник, состоящий из тяжелых дырок и легких электронов. Ба-зовым условием является то, что электроны квантуются электромагнитным полем, а дырки остаются классическими. Предполагается, что взаимодействие между компонентами слабо или отсутствует. Используется кинетическое ура...