Модифікація властивостей клатрато/кавітандних комплексів InSe<CS(NH₂)₂> ТА GaSe<CS(NH₂)₂> при їх синтезі в магнітному полі
У роботі запропоновано новий технологічний підхід до синтезу мультипошарових наноструктур, який дає можливість підсилення їх сенсорних властивостей та застосування для високоефективного неелектрохімічного акумулювання електричної енергії. Показано, що синтез наноструктури InSe<CS(NH₂)₂> в...
Saved in:
| Published in: | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Date: | 2016 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2016
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116933 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Модифікація властивостей клатрато/кавітандних комплексів InSe<CS(NH₂)₂> ТА GaSe<CS(NH₂)₂> при їх синтезі в магнітному полі / Ф.О. Іващишин, О.В. Балабан, І.І. Григорчак // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 145-151. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862600366965653504 |
|---|---|
| author | Іващишин, Ф.О. Балабан, О.В. Григорчак, І.І. |
| author_facet | Іващишин, Ф.О. Балабан, О.В. Григорчак, І.І. |
| citation_txt | Модифікація властивостей клатрато/кавітандних комплексів InSe<CS(NH₂)₂> ТА GaSe<CS(NH₂)₂> при їх синтезі в магнітному полі / Ф.О. Іващишин, О.В. Балабан, І.І. Григорчак // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 145-151. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Журнал физики и инженерии поверхности |
| description | У роботі запропоновано новий технологічний підхід до синтезу мультипошарових наноструктур, який дає можливість підсилення їх сенсорних властивостей та застосування для високоефективного неелектрохімічного акумулювання електричної енергії. Показано, що синтез наноструктури InSe<CS(NH₂)₂> в постійному магнітному полі призводить до зміни магніторезистивного ефекту з від’ємного на додатній. Для наноструктури GaSe<CS(NH₂)₂>, синтезованої в постійному магнітному полі, зростає індуктивний відгук та діелектрична проникність більше, ніж на два порядки, також зареєстровано колосальний магнітоємнісний ефект. Синтез наноструктури GaSe<CS(NH₂)₂> у постійному магнітному полі забезпечує поєднання значення тангенса кута електричних втрат (меншого від одиниці) у інфранизькочастотному діапазоні з надвисоким значенням діелектричної проникності. Це є перспективним для накопичення електричної енергії на квантовому рівні.
В работе предложен новый технологический подход к синтезу мультислоистых наноструктур, который дает возможность усиления их сенсорных свойств и применения для высокоэффективного неэлектрохимического аккумулирования электрической энергии. Показано, что синтез наноструктуры InSe<CS(NH₂)₂> в постоянном магнитном поле приводит к изменению магниторезистивного эффекта с отрицательного на положительный. Для наноструктуры GaSe<CS(NH₂)₂>, синтезированной в постоянном магнитном поле, растет индуктивный отзыв и диэлектрическая проницаемость больше, чем на два порядка, также зарегистрирован колоссальный магнитоемкостный эффект. Синтез наноструктуры GaSe<CS(NH₂)₂> в постоянном магнитном поле обеспечивает сочетание меньшего единицы значения тангенса угла электрических потерь в инфранизкочастотном диапазоне со сверхвысоким значением диэлектрической проницаемости, является перспективным для накопления электрической энергии на квантовом уровне.
In this paper, new technological approach to the synthesis of multi layered nanostructures was proposed. It increased sensory properties of these nanostructures and used for highly efficient nonelectrochemical accumulation of electrical energy. It was shown, that the synthesis of InSe<CS(NH₂)₂> nanostructures in the constant magnetic field led to changes in magnetoresistive effect from negative to positive. For nanostructure GaSe<CS(NH₂)₂>, synthesized in a constant magnetic field, the inductive response and dielectric permittivity increased by more than two orders of magnitude. Also for this nanostructure huge magnetic capacitive effect was registered. Synthesis of GaSe<CS(NH₂)₂> nanostructure in constant magnetic field provided the combination (in the infra low frequency range) of loss tangent value (less then 1) with ultrahigh dielectric constant. This combination was promising for the accumulation of electrical energy on the quantum level.
|
| first_indexed | 2025-11-27T23:54:39Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116933 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2519-2485 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-27T23:54:39Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Іващишин, Ф.О. Балабан, О.В. Григорчак, І.І. 2017-05-18T12:31:07Z 2017-05-18T12:31:07Z 2016 Модифікація властивостей клатрато/кавітандних комплексів InSe<CS(NH₂)₂> ТА GaSe<CS(NH₂)₂> при їх синтезі в магнітному полі / Ф.О. Іващишин, О.В. Балабан, І.І. Григорчак // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 145-151. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116933 537.226.8 У роботі запропоновано новий технологічний підхід до синтезу мультипошарових наноструктур, який дає можливість підсилення їх сенсорних властивостей та застосування для високоефективного неелектрохімічного акумулювання електричної енергії. Показано, що синтез наноструктури InSe<CS(NH₂)₂> в постійному магнітному полі призводить до зміни магніторезистивного ефекту з від’ємного на додатній. Для наноструктури GaSe<CS(NH₂)₂>, синтезованої в постійному магнітному полі, зростає індуктивний відгук та діелектрична проникність більше, ніж на два порядки, також зареєстровано колосальний магнітоємнісний ефект. Синтез наноструктури GaSe<CS(NH₂)₂> у постійному магнітному полі забезпечує поєднання значення тангенса кута електричних втрат (меншого від одиниці) у інфранизькочастотному діапазоні з надвисоким значенням діелектричної проникності. Це є перспективним для накопичення електричної енергії на квантовому рівні. В работе предложен новый технологический подход к синтезу мультислоистых наноструктур, который дает возможность усиления их сенсорных свойств и применения для высокоэффективного неэлектрохимического аккумулирования электрической энергии. Показано, что синтез наноструктуры InSe<CS(NH₂)₂> в постоянном магнитном поле приводит к изменению магниторезистивного эффекта с отрицательного на положительный. Для наноструктуры GaSe<CS(NH₂)₂>, синтезированной в постоянном магнитном поле, растет индуктивный отзыв и диэлектрическая проницаемость больше, чем на два порядка, также зарегистрирован колоссальный магнитоемкостный эффект. Синтез наноструктуры GaSe<CS(NH₂)₂> в постоянном магнитном поле обеспечивает сочетание меньшего единицы значения тангенса угла электрических потерь в инфранизкочастотном диапазоне со сверхвысоким значением диэлектрической проницаемости, является перспективным для накопления электрической энергии на квантовом уровне. In this paper, new technological approach to the synthesis of multi layered nanostructures was proposed. It increased sensory properties of these nanostructures and used for highly efficient nonelectrochemical accumulation of electrical energy. It was shown, that the synthesis of InSe<CS(NH₂)₂> nanostructures in the constant magnetic field led to changes in magnetoresistive effect from negative to positive. For nanostructure GaSe<CS(NH₂)₂>, synthesized in a constant magnetic field, the inductive response and dielectric permittivity increased by more than two orders of magnitude. Also for this nanostructure huge magnetic capacitive effect was registered. Synthesis of GaSe<CS(NH₂)₂> nanostructure in constant magnetic field provided the combination (in the infra low frequency range) of loss tangent value (less then 1) with ultrahigh dielectric constant. This combination was promising for the accumulation of electrical energy on the quantum level. uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Журнал физики и инженерии поверхности Модифікація властивостей клатрато/кавітандних комплексів InSe<CS(NH₂)₂> ТА GaSe<CS(NH₂)₂> при їх синтезі в магнітному полі Модификация свойств клатрато/кавитандных комплексов InSe<CS(NH₂)₂> и GaSe<CS(NH₂)₂> при их синтезе в магнитном поле Properties modification of clathrate/kavitand systems InSe<CS(NH₂)₂> AND GaSe<CS(NH₂)₂> at their synthesis in magnetic field Article published earlier |
| spellingShingle | Модифікація властивостей клатрато/кавітандних комплексів InSe<CS(NH₂)₂> ТА GaSe<CS(NH₂)₂> при їх синтезі в магнітному полі Іващишин, Ф.О. Балабан, О.В. Григорчак, І.І. |
| title | Модифікація властивостей клатрато/кавітандних комплексів InSe<CS(NH₂)₂> ТА GaSe<CS(NH₂)₂> при їх синтезі в магнітному полі |
| title_alt | Модификация свойств клатрато/кавитандных комплексов InSe<CS(NH₂)₂> и GaSe<CS(NH₂)₂> при их синтезе в магнитном поле Properties modification of clathrate/kavitand systems InSe<CS(NH₂)₂> AND GaSe<CS(NH₂)₂> at their synthesis in magnetic field |
| title_full | Модифікація властивостей клатрато/кавітандних комплексів InSe<CS(NH₂)₂> ТА GaSe<CS(NH₂)₂> при їх синтезі в магнітному полі |
| title_fullStr | Модифікація властивостей клатрато/кавітандних комплексів InSe<CS(NH₂)₂> ТА GaSe<CS(NH₂)₂> при їх синтезі в магнітному полі |
| title_full_unstemmed | Модифікація властивостей клатрато/кавітандних комплексів InSe<CS(NH₂)₂> ТА GaSe<CS(NH₂)₂> при їх синтезі в магнітному полі |
| title_short | Модифікація властивостей клатрато/кавітандних комплексів InSe<CS(NH₂)₂> ТА GaSe<CS(NH₂)₂> при їх синтезі в магнітному полі |
| title_sort | модифікація властивостей клатрато/кавітандних комплексів inse<cs(nh₂)₂> та gase<cs(nh₂)₂> при їх синтезі в магнітному полі |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116933 |
| work_keys_str_mv | AT ívaŝišinfo modifíkacíâvlastivosteiklatratokavítandnihkompleksívinseltcsnh22tagaseltcsnh22priíhsintezívmagnítnomupolí AT balabanov modifíkacíâvlastivosteiklatratokavítandnihkompleksívinseltcsnh22tagaseltcsnh22priíhsintezívmagnítnomupolí AT grigorčakíí modifíkacíâvlastivosteiklatratokavítandnihkompleksívinseltcsnh22tagaseltcsnh22priíhsintezívmagnítnomupolí AT ívaŝišinfo modifikaciâsvoistvklatratokavitandnyhkompleksovinseltcsnh22igaseltcsnh22priihsintezevmagnitnompole AT balabanov modifikaciâsvoistvklatratokavitandnyhkompleksovinseltcsnh22igaseltcsnh22priihsintezevmagnitnompole AT grigorčakíí modifikaciâsvoistvklatratokavitandnyhkompleksovinseltcsnh22igaseltcsnh22priihsintezevmagnitnompole AT ívaŝišinfo propertiesmodificationofclathratekavitandsystemsinseltcsnh22andgaseltcsnh22attheirsynthesisinmagneticfield AT balabanov propertiesmodificationofclathratekavitandsystemsinseltcsnh22andgaseltcsnh22attheirsynthesisinmagneticfield AT grigorčakíí propertiesmodificationofclathratekavitandsystemsinseltcsnh22andgaseltcsnh22attheirsynthesisinmagneticfield |