Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства

Разработана технология приготовления тонких кристаллических плёнок TbSb₂ методом вакуумно-термического испарения из двух независимых источников Tb и Sb. В температурной области 100–300 K измерены температурные зависимости удельного электросопротивления, постояной Холла и термо-ЭДС. Показано, что нос...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Журнал физики и инженерии поверхности
Date:2016
Main Author: Джабуа, З.У.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2016
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116936
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства / З.У. Джабуа // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 162-165. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Разработана технология приготовления тонких кристаллических плёнок TbSb₂ методом вакуумно-термического испарения из двух независимых источников Tb и Sb. В температурной области 100–300 K измерены температурные зависимости удельного электросопротивления, постояной Холла и термо-ЭДС. Показано, что носителями заряда являются электроны и плёнки TbSb₂ по своим электрическим свойствам являются металлами. Розроблено технологію приготування тонких кристалічних плівок TbSb₂ методом вакуумно-термічного випаровування з двох незалежних джерел Tb і Sb. У температурному інтервалі 100–300 K виміряні температурні залежності питомого електроопору, постійної Холла і термо-ЕРС. Показано, що носіями заряду є електрони і плівки TbSb₂ за своїми електричними властивостями є металами. A processes has been developed for growth of thin crystiline films by thermal evaporation using Tb and Sb separate sources. Temperature dependences of specific resistance, Holl constsnts and thermo emf are measured in temperature area 100–300 K. It is shown that carriers of a charge are electrons and films of TbSb₂ on the electric properties are metals.
ISSN:2519-2485