Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства

Разработана технология приготовления тонких кристаллических плёнок TbSb₂ методом вакуумно-термического испарения из двух независимых источников Tb и Sb. В температурной области 100–300 K измерены температурные зависимости удельного электросопротивления, постояной Холла и термо-ЭДС. Показано, что нос...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Журнал физики и инженерии поверхности
Дата:2016
Автор: Джабуа, З.У.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2016
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116936
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства / З.У. Джабуа // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 162-165. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862644135841759232
author Джабуа, З.У.
author_facet Джабуа, З.У.
citation_txt Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства / З.У. Джабуа // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 162-165. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Журнал физики и инженерии поверхности
description Разработана технология приготовления тонких кристаллических плёнок TbSb₂ методом вакуумно-термического испарения из двух независимых источников Tb и Sb. В температурной области 100–300 K измерены температурные зависимости удельного электросопротивления, постояной Холла и термо-ЭДС. Показано, что носителями заряда являются электроны и плёнки TbSb₂ по своим электрическим свойствам являются металлами. Розроблено технологію приготування тонких кристалічних плівок TbSb₂ методом вакуумно-термічного випаровування з двох незалежних джерел Tb і Sb. У температурному інтервалі 100–300 K виміряні температурні залежності питомого електроопору, постійної Холла і термо-ЕРС. Показано, що носіями заряду є електрони і плівки TbSb₂ за своїми електричними властивостями є металами. A processes has been developed for growth of thin crystiline films by thermal evaporation using Tb and Sb separate sources. Temperature dependences of specific resistance, Holl constsnts and thermo emf are measured in temperature area 100–300 K. It is shown that carriers of a charge are electrons and films of TbSb₂ on the electric properties are metals.
first_indexed 2025-12-01T08:39:01Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116936
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2519-2485
language Russian
last_indexed 2025-12-01T08:39:01Z
publishDate 2016
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
record_format dspace
spelling Джабуа, З.У.
2017-05-18T12:37:23Z
2017-05-18T12:37:23Z
2016
Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства / З.У. Джабуа // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 162-165. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2519-2485
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116936
541-67:661.863/888
Разработана технология приготовления тонких кристаллических плёнок TbSb₂ методом вакуумно-термического испарения из двух независимых источников Tb и Sb. В температурной области 100–300 K измерены температурные зависимости удельного электросопротивления, постояной Холла и термо-ЭДС. Показано, что носителями заряда являются электроны и плёнки TbSb₂ по своим электрическим свойствам являются металлами.
Розроблено технологію приготування тонких кристалічних плівок TbSb₂ методом вакуумно-термічного випаровування з двох незалежних джерел Tb і Sb. У температурному інтервалі 100–300 K виміряні температурні залежності питомого електроопору, постійної Холла і термо-ЕРС. Показано, що носіями заряду є електрони і плівки TbSb₂ за своїми електричними властивостями є металами.
A processes has been developed for growth of thin crystiline films by thermal evaporation using Tb and Sb separate sources. Temperature dependences of specific resistance, Holl constsnts and thermo emf are measured in temperature area 100–300 K. It is shown that carriers of a charge are electrons and films of TbSb₂ on the electric properties are metals.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Журнал физики и инженерии поверхности
Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства
Технологія приготування тонких плівок TbSb₂ та їх електрофізичні властивості
Technology of preparing thin films TbSb₂ and the physical properties
Article
published earlier
spellingShingle Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства
Джабуа, З.У.
title Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства
title_alt Технологія приготування тонких плівок TbSb₂ та їх електрофізичні властивості
Technology of preparing thin films TbSb₂ and the physical properties
title_full Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства
title_fullStr Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства
title_full_unstemmed Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства
title_short Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства
title_sort технология приготовления тонких плёнок tbsb₂ и электрофизические свойства
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116936
work_keys_str_mv AT džabuazu tehnologiâprigotovleniâtonkihplenoktbsb2iélektrofizičeskiesvoistva
AT džabuazu tehnologíâprigotuvannâtonkihplívoktbsb2taíhelektrofízičnívlastivostí
AT džabuazu technologyofpreparingthinfilmstbsb2andthephysicalproperties