Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства
Разработана технология приготовления тонких кристаллических плёнок TbSb₂ методом вакуумно-термического испарения из двух независимых источников Tb и Sb. В температурной области 100–300 K измерены температурные зависимости удельного электросопротивления, постояной Холла и термо-ЭДС. Показано, что нос...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2016 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2016
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116936 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства / З.У. Джабуа // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 162-165. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862644135841759232 |
|---|---|
| author | Джабуа, З.У. |
| author_facet | Джабуа, З.У. |
| citation_txt | Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства / З.У. Джабуа // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 162-165. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Журнал физики и инженерии поверхности |
| description | Разработана технология приготовления тонких кристаллических плёнок TbSb₂ методом вакуумно-термического испарения из двух независимых источников Tb и Sb. В температурной области 100–300 K измерены температурные зависимости удельного электросопротивления, постояной Холла и термо-ЭДС. Показано, что носителями заряда являются электроны и плёнки TbSb₂ по своим электрическим свойствам являются металлами.
Розроблено технологію приготування тонких кристалічних плівок TbSb₂ методом вакуумно-термічного випаровування з двох незалежних джерел Tb і Sb. У температурному інтервалі 100–300 K виміряні температурні залежності питомого електроопору, постійної Холла і термо-ЕРС. Показано, що носіями заряду є електрони і плівки TbSb₂ за своїми електричними властивостями є металами.
A processes has been developed for growth of thin crystiline films by thermal evaporation using Tb and Sb separate sources. Temperature dependences of specific resistance, Holl constsnts and thermo emf are measured in temperature area 100–300 K. It is shown that carriers of a charge are electrons and films of TbSb₂ on the electric properties are metals.
|
| first_indexed | 2025-12-01T08:39:01Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116936 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2519-2485 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T08:39:01Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Джабуа, З.У. 2017-05-18T12:37:23Z 2017-05-18T12:37:23Z 2016 Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства / З.У. Джабуа // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 162-165. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116936 541-67:661.863/888 Разработана технология приготовления тонких кристаллических плёнок TbSb₂ методом вакуумно-термического испарения из двух независимых источников Tb и Sb. В температурной области 100–300 K измерены температурные зависимости удельного электросопротивления, постояной Холла и термо-ЭДС. Показано, что носителями заряда являются электроны и плёнки TbSb₂ по своим электрическим свойствам являются металлами. Розроблено технологію приготування тонких кристалічних плівок TbSb₂ методом вакуумно-термічного випаровування з двох незалежних джерел Tb і Sb. У температурному інтервалі 100–300 K виміряні температурні залежності питомого електроопору, постійної Холла і термо-ЕРС. Показано, що носіями заряду є електрони і плівки TbSb₂ за своїми електричними властивостями є металами. A processes has been developed for growth of thin crystiline films by thermal evaporation using Tb and Sb separate sources. Temperature dependences of specific resistance, Holl constsnts and thermo emf are measured in temperature area 100–300 K. It is shown that carriers of a charge are electrons and films of TbSb₂ on the electric properties are metals. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Журнал физики и инженерии поверхности Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства Технологія приготування тонких плівок TbSb₂ та їх електрофізичні властивості Technology of preparing thin films TbSb₂ and the physical properties Article published earlier |
| spellingShingle | Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства Джабуа, З.У. |
| title | Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства |
| title_alt | Технологія приготування тонких плівок TbSb₂ та їх електрофізичні властивості Technology of preparing thin films TbSb₂ and the physical properties |
| title_full | Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства |
| title_fullStr | Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства |
| title_full_unstemmed | Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства |
| title_short | Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства |
| title_sort | технология приготовления тонких плёнок tbsb₂ и электрофизические свойства |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116936 |
| work_keys_str_mv | AT džabuazu tehnologiâprigotovleniâtonkihplenoktbsb2iélektrofizičeskiesvoistva AT džabuazu tehnologíâprigotuvannâtonkihplívoktbsb2taíhelektrofízičnívlastivostí AT džabuazu technologyofpreparingthinfilmstbsb2andthephysicalproperties |