Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку
Методом електрохімічного осадження вирощено масиви наноструктур оксиду цинку на поверхні поруватого кремнію. Виявлено вплив температури електроліту на морфологію вирощених шарів ZnO. У роботі вивчено вольт-амперні характеристики отриманих гібридних структур, часові і спектральні залежності їх фотові...
Saved in:
| Published in: | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Date: | 2016 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2016
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116940 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку / І.Б. Оленич // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 186-193. — Бібліогр.: 25 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862545295090384896 |
|---|---|
| author | Оленич, І.Б. |
| author_facet | Оленич, І.Б. |
| citation_txt | Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку / І.Б. Оленич // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 186-193. — Бібліогр.: 25 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Журнал физики и инженерии поверхности |
| description | Методом електрохімічного осадження вирощено масиви наноструктур оксиду цинку на поверхні поруватого кремнію. Виявлено вплив температури електроліту на морфологію вирощених шарів ZnO. У роботі вивчено вольт-амперні характеристики отриманих гібридних структур, часові і спектральні залежності їх фотовідгуку в широкому діапазоні електромагнітного випромінювання. Результати досліджень проаналізовано в рамках якісної моделі, за якою різні значення ширини забороненої зони наноструктур оксиду цинку, поруватого кремнію і кремнієвої підкладки забезпечують ефективне поглинання ультрафіолетового, видимого та інфрачервоного випромінювання. Отримані результати розширюють перспективу застосування структур на основі поруватого кремнію і ZnO у фотоелектроніці.
Методом электрохимического осаждения выращены массивы наноструктур оксида цинка на поверхности пористого кремния. Выявлено влияние температуры электролита на морфологию выращенных слоев ZnO. В работе изучены вольт-амперные характеристики полученных гибридных структур, временные и спектральные зависимости их фотоответа в широком диапазоне электромагнитного излучения. Результаты исследований проанализированы в рамках качественной модели, согласно с которой разные значения ширины запрещенной зоны наноструктур оксида цинка, пористого кремния и кремниевой подложки обеспечивают эффективное поглощение ультрафиолетового, видимого и инфракрасного излучения. Полученные результаты расширяют перспективу применения структур на основе пористого кремния и ZnO в фотоэлектронике.
Zinc oxide nanostructured arrays were grown on porous silicon surface by electrochemical deposition method. The influence of temperature on the morphology of the grown ZnO layers is confirmed. Voltage-current curves of obtained hybrid structures are investigated. Time and spectral dependencies of the photoresponse of these structures are studied for a wide range of electromagnetic radiation. The results are interpreted in the frame of the qualitative model, which suggests that different band gap value for zinc oxide, porous silicon and silicon substrate ensure efficient UV, visible and IR absorption. Obtained data widen the perspective of using porous silicon based structures and ZnO in photoelectronics.
|
| first_indexed | 2025-11-25T06:37:37Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-116940 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2519-2485 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-25T06:37:37Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Оленич, І.Б. 2017-05-18T14:31:06Z 2017-05-18T14:31:06Z 2016 Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку / І.Б. Оленич // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 186-193. — Бібліогр.: 25 назв. — укр. 2519-2485 PACS 73.50.Pz, 73.63.-b https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116940 537.312, 535.215 Методом електрохімічного осадження вирощено масиви наноструктур оксиду цинку на поверхні поруватого кремнію. Виявлено вплив температури електроліту на морфологію вирощених шарів ZnO. У роботі вивчено вольт-амперні характеристики отриманих гібридних структур, часові і спектральні залежності їх фотовідгуку в широкому діапазоні електромагнітного випромінювання. Результати досліджень проаналізовано в рамках якісної моделі, за якою різні значення ширини забороненої зони наноструктур оксиду цинку, поруватого кремнію і кремнієвої підкладки забезпечують ефективне поглинання ультрафіолетового, видимого та інфрачервоного випромінювання. Отримані результати розширюють перспективу застосування структур на основі поруватого кремнію і ZnO у фотоелектроніці. Методом электрохимического осаждения выращены массивы наноструктур оксида цинка на поверхности пористого кремния. Выявлено влияние температуры электролита на морфологию выращенных слоев ZnO. В работе изучены вольт-амперные характеристики полученных гибридных структур, временные и спектральные зависимости их фотоответа в широком диапазоне электромагнитного излучения. Результаты исследований проанализированы в рамках качественной модели, согласно с которой разные значения ширины запрещенной зоны наноструктур оксида цинка, пористого кремния и кремниевой подложки обеспечивают эффективное поглощение ультрафиолетового, видимого и инфракрасного излучения. Полученные результаты расширяют перспективу применения структур на основе пористого кремния и ZnO в фотоэлектронике. Zinc oxide nanostructured arrays were grown on porous silicon surface by electrochemical deposition method. The influence of temperature on the morphology of the grown ZnO layers is confirmed. Voltage-current curves of obtained hybrid structures are investigated. Time and spectral dependencies of the photoresponse of these structures are studied for a wide range of electromagnetic radiation. The results are interpreted in the frame of the qualitative model, which suggests that different band gap value for zinc oxide, porous silicon and silicon substrate ensure efficient UV, visible and IR absorption. Obtained data widen the perspective of using porous silicon based structures and ZnO in photoelectronics. uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Журнал физики и инженерии поверхности Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку Электрические и фотоэлектрические свойства гибридных структур на основе пористого кремния и оксида цинка Electrical and photoelectric properties of hybrid structures based on porous silicon and zinc oxide Article published earlier |
| spellingShingle | Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку Оленич, І.Б. |
| title | Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку |
| title_alt | Электрические и фотоэлектрические свойства гибридных структур на основе пористого кремния и оксида цинка Electrical and photoelectric properties of hybrid structures based on porous silicon and zinc oxide |
| title_full | Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку |
| title_fullStr | Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку |
| title_full_unstemmed | Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку |
| title_short | Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку |
| title_sort | електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116940 |
| work_keys_str_mv | AT oleničíb električnítafotoelektričnívlastivostígíbridnihstrukturnaosnovíporuvatogokremníûíoksiducinku AT oleničíb élektričeskieifotoélektričeskiesvoistvagibridnyhstrukturnaosnoveporistogokremniâioksidacinka AT oleničíb electricalandphotoelectricpropertiesofhybridstructuresbasedonporoussiliconandzincoxide |